功率器件封装工艺详解(公司最新)

1、至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.2至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.主要内容介绍主要内容介绍一、功率器件后封装工艺流程一、功率器件后封装工艺流程二、产品参数一致性和可靠性的保证二、产品参数一致性和可靠性的保证三、产品性价比三、产品性价比四、今后的发展四、今后的发展2至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.划片粘片压焊塑封老化打印管脚上锡测试切筋检验包装入库Die bondingDie sawwire bondingmoldingmarkingHeat agingplatingsegregatingTesting Inspection Packi

2、ng Ware house 3至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.划片划片 划片圆硅片划片及绷片后的圆片划片：将圆片切割成单个分离的芯片划片特点：日本DISCO划片机，具有高稳定性，划片刀的厚度25um，芯片损耗小。4至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI. 日本DISKO划片机5至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.（将单颗芯片粘结到引线框架上）实物图划片粘片压焊塑封打印6至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.1、自动粘片机，芯片和引线框架的粘结牢固，一致性好。2、优质的框架及焊接材料使用，获得良好的热学和电学特性。3、芯片与框架的热匹

3、配性良好，芯片和框架之间的应力达到最小，热阻小，散热性好。4、氮氢气体保护，避免高温下材料氧化。7至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.粘片员工在认真操作8至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.全新的TO-220粘片机9至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.压焊：用金丝或铝丝将芯片上的电极跟外引线（框架管脚）连接起来。金丝金丝球焊铝丝超声波焊压焊示意图划片粘片压焊塑封打印10至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.1、自动压焊机，一致性好，焊点、弧度、高度最佳，可靠性高。2、根据管芯的实际工作电流选择引线直径规格，保证了良好的电流特性 。压

4、焊实物图11至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.全新的KS TO-92压焊机压焊车间12至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.塑封塑封塑封体框架管脚塑封：压机注 塑，将已装片的管子进行包封塑封示意图划片粘片压焊塑封打印13至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.采用环氧树脂塑封材料封装，阻燃，应力小，强度高，导热性好，密封性好，保证晶体管大功率使用情况下具有良好散热能力，管体温度低。塑封机14至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.塑封车间塑封车间塑封生产车间的景象15至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.激光打标激光打印机在

5、管体打上标记塑封切筋打印电镀测试老化16至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.电镀：纯锡电镀，符合无铅化要求切筋：器件分散连筋切筋示意图塑封切筋打印电镀测试老化17至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.切筋员工在操作18至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.1、严格的筛选条件，温度140150。2、使用有N2保护的烘箱，防止管子在高温下氧化。塑封切筋打印电镀测试老化19至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.切筋电镀测试老化检验包装测试流程20至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.测试设备测试设备KT9614与DTS-1000

6、分选机21至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.整洁的包装车间新型的包装方式编带我公司今年新引进的编带机22至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.1、产品的一致性 a.芯片生产工艺控制 b.通过细分类进行控制2、产品可靠性 a.优化芯片生产工艺提高可靠性 b.封装工艺的严格要求 23至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.高精度的测试系统 1、最高测试电压为1000V，最大电流20A，漏电流最高精度达到pA级，电压测试精度达到2mV 2、可测试的半导体器件有双极晶体管，MOS管，二极管等多种器件。 3、对于双极晶体管，可测试hFE、Vcesat、Vbes

7、at、Rhfe、Iceo、Iebo、Bveb、Icbo、Bvceo、Vfbe、Vfbc、Vfec、Bton、Bvces、Bvcer、Icer、Icex、Icbr、Icbs、BVcbo、Iceo等参数24至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.一、降低热阻二、控制“虚焊”三、增强塑封气密性25至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.降低器件发热量的三个途径一、通过优化电路，避免开关器件进入放大区，减小器件上的功率消耗 。二、降低器件的热阻，即提高器件的散热能力。 三、提高器件的电流性能，降低饱和压降 。 在电路和芯片都已固定的情况下，避免器件发热失效重要的途径就是降低器件

8、的热阻热阻 。26至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.一、热阻的定义 热阻(Rth)是表征晶体管工作时所产生的热量向外界散发的能力，单位为/W，即是当管子消耗掉1W时器件温度升高的度数。RTH总 RT1+ RT2+ RT327至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.二、晶体管热阻的组成1、RT1内热阻由芯片的大小及材料决定。2、 RT2接触热阻与封装工艺有关。3、 RT3与封装形式及是否加散热片有关。28至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI. 我们工艺控制过程中，最重要的是解决接触热阻。主要的控制手段： 1、粘片工艺对接触热阻的控制。 2、高效的测试手

9、段进行筛选 。29至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.热阻偏大的原因分析与工艺保证30至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI. 晶体管的热阻测试原理： 在一定范围内pn结的正向压降Vbe 的变化与结温度的变化T有近似线性的关系： VbekT 对于硅pn结，k约等于2，热阻的计算公式为： RthT/P 只需加一个稳定的功率，测量晶体管的Vbe即可计算出晶体管的热阻 RT。31至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI. 进行热阻测试筛选，我们用的是日本TESEC的Vbe测试仪 。32至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.Vbe测试仪的性能参数及优

10、点：测试精度：0.1mV脉冲时间精确度：1us最高电压：200V最大电流：20A优点： 1.精度高，且精度高可达到0.1mV，重复性好。 2.筛选率高 33至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.优点2：筛选率高如粘片有空洞，脉冲测试在很短功率脉冲内，由于热量来不及传导，有空洞的地方就会形成一个热点（即温度比粘结面其他地区高出很多的小区域）（如右图示 ）。 热点处温度高，Vbe将比其他地方的Vbe变化大。整个pn结的Vbe将主要受热点处的Vbe的影响，因此，有空洞的管子的Vbe比正常管子的Vbe要大很多。34至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.通过测量Vbe，再经过

11、公式 Rth Vbe /KP我公司典型产品值：35至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI._X36至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.压焊工序对引线拉力进行了严格的控制37至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.38至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.产品性价比产品性价比1、材料的选用2、先进的工艺制程3、严格的生产过程控制39至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.材料的选用材料的选用1.供应商均经过评价认证2.品质好价格高的材料40至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.先进的工艺制程先进的工艺制程 一、净化厂房，洁净度10000级，避免了粉尘灰粒的粘污二、全自动的粘片、压焊机，并有氮氢气保护三、所有产品经过高温老化，性能更稳定更可靠四、精度高、稳定性好的测试筛选设备， DTS-1000 ， Vbe41至诚至爱，共创未来 SI SEMI.SI SEMI.产品的特点产品的特点1、电流特性好，饱和压降小，在输出相同的功率下，晶体管消耗的功率小，发热量低2、产品种类型号丰富，专门针对节能灯、电子镇流器进行设计封装形式：TO-92、TO-126、TO-220、 TO-262、TO-263、TO251带抗饱和电路的系列L(低电压)系列晶体管42至诚至爱，共创未来 SI SEMI.S