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1、材料科学基础课后习题答案(部分)-第2版-西安交通大学(2)(-110)(3)2.(2 6 3)m是指数中0的个数，n是相同指数的个数3.4.6.晶面及晶向100110111100110111bccfcc密排面指数密排面原子密度密排方向指数密排方向原子密度bcc（110）111fcc（111）110hcp（0001）1/a7.(1)(100)晶面间距为a=0.286nm(110)晶面间距(123)晶面间距自己计算8.(1)不是（2）不用看9.自己计算10.不用看12.（1）0.097+0.181=0.27814-17不用看18自己看第四章3.自己看4.不用看5. （1）1点为正刃位错，2点为右

2、螺位错， 3点为负刃位错，4点为左螺位错。（2）在晶体的上下底面施加一对平行于b的切应力，且下底面的切应力与b同向平行。（3）滑移面下部晶体相对于上部晶体产生与b相同的滑移，并在晶体侧表面形成相应台阶。6.应在滑移面上、下两部分晶体施加一切应力，切应力的方向应与de位错线平行。（2）在上述切应力作用下，位错线de将向左（或向右）移动，即沿着与位错线de垂直的方向（且在滑移面上）移动。当位错线沿滑移面旋转360度后。在晶体表面沿柏氏矢量方向产生宽度为一个b的台阶7.在两根位错线上12,34为刃位错，其余为螺位错。（2）OS上的各段位错都可在该滑移面内滑移，OS上的12，34位错不能运动，其余各段都可在该滑移面内滑移。8.（1）AB和CD位错线的形状都不变，但AB的长度缩短b2，CD的长度增加b1（2）AB位错上形成右螺型扭折，EF上形成左螺型扭折。9.半径为r1的位错环。10.自己看11.（1）能，因为能量

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