第6章光敏传感器--参考汇总课件

1、第6章 光敏传感器1光敏传感器构成：光源、光学通路、光电元件。应用：1、光量变化的非电量；2、能转换成光量变化的其他非电量。特点：非接触、响应快、性能可靠。被测量的变化光信号的变化电信号的变化6.0 引 言什么是光敏传感器？2光敏传感器的测量方法可归纳为四种形式。 36.1 概 述6.1.1 光的特性光波是波长为10106nm的电磁波。1000,000 nm10 nm780 nm380 nm可见光红外光紫外光性质：光都具有反射、折射、散射、衍射、干涉和吸收等性质。41905年，爱因斯坦提出了光子假设：光在空间传播时，是不连续的，也具有粒子性，即一束光是一束以光速运动的粒子流，爱因斯坦把这些不连

2、续的量子称为“光量子”。1926年，美国物理学家刘易斯把这一名词改称为“光子”，并沿用至今。每个光子的能量为 E=h可见，光的频率愈高，光子的能量愈大。56.1.2 光源（发光器件）1. 白炽光源最为普通的是用钨丝通电加热作为光辐射源。一般白炽灯的辐射光谱是连续的。发光范围：320 nm2500 nm, 所以任何光敏元件都能和它配合接收到光信号。 特点：寿命短而且发热大、效率低、动态特性差，但对接收光敏元件的光谱特性要求不高，是可取之处。 62. 气体放电光源利用电流通过气体产生发光现象制成的灯即气体放电灯。它的光谱是不连续的，光谱与气体的种类及放电条件有关。改变气体的成分、压力、阴极材料和放

3、电电流大小，可得到主要在某一光谱范围的辐射。 7汞灯、氢灯、钠灯、镉灯、氦灯是光谱仪器中常用的光源，统称为光谱灯。例如低压汞灯的辐射波长为254nm，钠灯的辐射波长为589nm，可被用作单色光源。 如果光谱灯涂以荧光剂，由于光线与涂层材料的作用，荧光剂可以将气体放电谱线转化为更长的波长，通过对荧光剂的选择可以使气体放电发出某一范围的波长，如照明日光灯。 气体放电灯消耗的能量为白炽灯1/2-1/3。8构成：由半导体PN结构成。特点：工作电压低、响应速度快、寿命长、体积小、重量轻，因此获得了广泛的应用。 3. 发光二极管（LEDLight Emitting Diode） 9RUNP+-UiD+_原

4、理：当加正向电压时，势垒降低，电子由N区注入到P区，和P区里的空穴复合；空穴则由P区注入到N区，和N区里的电子复合，这种电子空穴对的复合同时伴随着光子的放出，因而发光。10可供制作发光二极管的材料见下表：材料波长/nm材料波长/nmZnS340CuSe-ZnSe400630SiC480ZnxCd1-xTe590830GaP565,680GaAs1-xPx550900GaAs900InPxAs1-x9103150InP920InxGa1-xAs8501350 LED材料11 发光二极管的光谱特性如图所示。图中砷磷化镓曲线有两根，这是因为其材质成分稍有差异而得到不同的峰值波长p。除峰值波长p决定发

5、光颜色之外，峰的宽度（用描述）决定光的色彩纯度，越小，其光色越纯。12发光二极管的光谱特性0.20.40.60.8 1.0 06007008009001000GaAsPp=670nmp=655nmGaAsPp=565nmGaPp=950nmGaAs/nm相对灵敏度13U/V I/mA -10 -5 0 12GaAsP(红)GaAsP(绿)反向电压应在5V以下!发光二极管的伏安特性与普通二极管相似，但随材料的不同，开启（点燃）电压略有差异。红色约为1.7V开启，绿色约为2.2V。砷磷化镓发光二极管的伏安曲线144、激光器激光（Laser: Light amplification by stimu

6、lated emission of radiation）是20世纪60年代出现的最重大科技成就之一。具有高方向性、高单色性、高亮度和高的相干性四个重要特性。激光波长一般从0.15m到远红外整个光频波段范围。X-射线激光器。15激光器种类繁多，按工作物质分类：固体激光器（如红宝石激光器）气体激光器（如氦-氖气体激光器、二氧化碳激光器）液体激光器（染料激光器）。半导体激光器（如砷化镓激光器）16（1）固体激光器 典型实例是红宝石激光器，是1960年人类发明的第一台激光器（T.Maiman ）。工作物质为红宝石-掺0.05%Cr+3 的Al2O3棒。17（2）气体激光器工作物质是气体。种类：各种原子

7、、离子、金属蒸汽、气体分子激光器。常用的有氦氖激光器、氩离子激光器、氪离子激光器，以及二氧化碳激光器、准分子激光器等，其形状像普通的放电管一样，能连续工作，单色性好。波长覆盖了从紫外到远红外的频谱区域。 18（3）液体激光器种类：螯合物激光器、无机液体激光器和有机染料激光器，其中较为重要的是有机染料激光器。它的最大特点是发出的激光波长可在一段范围内调节，而且效率也不会降低，因而它能起着其他激光器不能起的作用。 19（4）半导体激光器与前几种相比出现较晚，其成熟产品是砷化镓激光器。特点：效率高、体积小、重量轻、结构简单，适宜在飞机、军舰、坦克上应用以及步兵随身携带。其缺点是输出功率较小。目前半导

8、体激光器可选择的波长主要局限在红光和红外区域。 2010.2.1 外光电效应在光的作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象叫做外光电效应。10.2 光电效应两类：外光电效应和内光电效应。211887年，首先是赫兹（M.Hertz）在证明波动理论实验中首次发现的；1902年，勒纳（Lenard)也对其进行了研究，指出光电效应是金属中的电子吸收了入射光的能量而从表面逸出的现象。但无法根据当时的理论加以解释 ；1905年，爱因斯坦提出了光子假设。22爱因斯坦光电效应方程： 1.光电子能否产生，取决于光子的能量是否大于该物体的表面电子逸出功A。 2. 一定时，产生的光电流和光强成正比。3.逸出的

9、光电子具有动能。 基于外光电效应的光电器件有光电管、光电倍增管。2310.2.2 内光电效应 当光照在物体上，使物体的电导率发生变化，或产生光生电动势的现象。分为光电导效应和光生伏特效应（光伏效应）。1光电导效应 在光线作用下，电子吸收光子能量从键合状态过度到自由状态，而引起材料电导率的变化。 24自由电子所占能带不存在电子所占能带价电子所占能带禁带导带价带 Eg电子能量EhEg当光照射到光电导体上时，若这个光电导体为本征半导体材料，且光辐射能量又足够强,光电材料价带上的电子将被激发到导带上去，使光导体的电导率变大。25基于这种效应的光电器件有光敏电阻。26势垒效应（结光电效应） 光照射PN结

10、时，若hEg，使价带中的电子跃迁到导带，而产生电子空穴对，在阻挡层内电场的作用下，电子偏向N区外侧，空穴偏向P区外侧，使P区带正电，N区带负电，形成光生电动势。光生伏特效应：在光作用下能使物体产生一定方向电动势的现象。基于该效应的器件有光电池和光敏二极管、三极管。PN27侧向光电效应 当半导体光电器件受光照不均匀时，光照部分产生电子空穴对，载流子浓度比未受光照部分的大，出现了载流子浓度梯度，引起载流子扩散，如果电子比空穴扩散得快，导致光照部分带正电，未照部分带负电，从而产生电动势，即为侧向光电效应。2810.3.1光电管及其基本特性 结构与工作原理10.3外光电效应器件29主要性能（1）光电管

11、的伏安特性 在一定的光照射下，对光电器件的阴极所加电压与阳极所产生的电流之间的关系称为光电管的伏安特性。真空光电管 充气光电管150100502020lm40lm60lm80lm100lm120lm4681012阴极电压/VIA/A2010050弱光强光1504681012阴极电压/VIA/A30（2）光电管的光照特性当光电管的阴极和阳极之间所加的电压一定时，光通量与光电流之间的关系。光照特性曲线的斜率称为光电管的灵敏度。图10-5 光电管的光照特性255075100200.51.52.0/1mIA/ A1.02.511-氧铯阴极2-锑铯阴极31(3) 光电管的光谱特性 一般光电阴极材料不同的

12、光电管对应不同的红限频率，因此它们可用于不同的光谱范围。 另外，同一光电管对于不同频率的光的灵敏度不同。以GD-4型光电管为例，阴极是用锑铯材料制成，其红限c=700nm，对可见光范围的入射光灵敏度比较高。适用于白光光源，被应用于各种光电式自动检测仪表中。32对红外光源，常用银氧铯阴极，构成红外探测器。对紫外光源，常用锑铯阴极和镁镉阴极。国产光电管的技术参数33由阴极、次阴极（倍增电极）、阳极组成阴极由半导体光电材料锑铯做成，次阴极是在镍或铜-铍的衬底上涂上锑铯材料形成。次阴极可达30级。通常为1214级。使用时在各个倍增电极上均加上电压，阴极电位最低，以后依次升高，阳极最高。相邻两个倍增电极

13、之间有电位差，因此存在加速电场。10.3.2 光电倍增管及其基本特性34IAKD1D2D3D4AR1R2R3R4R5RLUOUT35入射光阴极K第一倍增极第二倍增极第三倍增极第四倍增极阳极A36光电倍增管的电流放大倍数为如果n个倍增电极二次发射电子的数目相同,则in 因此阳极电流为i in,M与所加的电压有关。一般阳极和阴极之间的电压为10002500V，两个相邻的倍增电极的电位差为50100V。主要参数：1.倍增系数M：等于各个倍增电极的2次发射电子数i的乘积。37一个光子在阴极能够打出的平均电子数叫做光电阴极的灵敏度。一个光子在阳极上产生的平均电子数叫光电倍增管的总灵敏度.(2) 光电阴极

14、灵敏度和光电管的总灵敏度最大灵敏度可达10A/lm不能受强光照射。图10-7 光电倍增管的特性曲线25 50 75 100 125106极间电压/V倍增系数M10510410338（3）暗电流和本底电流由于环境温度、热辐射和其它因素的影响，即使没有光信号输入，加上电压后阳极仍有电流，这种电流称为暗电流。在其受人眼看不到的宇宙射线的照射后，光电倍增管会有电流信号输出本底脉冲。4.光电倍增管的光谱特性与相同材料的光电管的相似。3910.4 内光电效应器件10.4.1 光敏电阻1. 光敏电阻的结构和工作原理AE电极半导体玻璃底板RLEIRG图10-8 光敏电阻的结构与电路连接40如果把光敏电阻连接到

15、外电路中，在外加电压的作用下，用光照射就能改变电路中电流的大小： 41光敏电阻具有很高的灵敏度、很好的光谱特性、很长的使用寿命、高度的稳定性能、小的体积及工艺简单，故应用广泛。当光照射到光电导体上时，而且光辐射能量又足够强，光导材料价带上的电子将激发到导带上去，从而使导带的电子和价带的空穴增加，致使光导体的电导率变大。 422. 光敏电阻的主要参数和基本特性（1）暗电阻、暗电流、亮电阻、亮电流、光电流光敏电阻在未受到光照时的阻值称为暗电阻，此时流过的电流为暗电流。在受到光照时的电阻称为亮电阻，此时的电流称为亮电流。亮电流与暗电流之差为光电流。43（2）光照特性用于描述光电流与光照强度之间的关系

16、。多数是非线性的。不宜做线性测量元件，一般用做开关式的光电转换器。0.050.100.150.200.250 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0光通量/lm光电流/mA图10-9 光敏电阻的光照特性44（3）光谱特性硫化镉的峰值在可见光(380-780)区域，硫化铅的峰值在红外区域。故选用时要把元件和光源结合起来考虑。图10-10 光敏电阻的光谱特性0 500 1000 1500 2000 250020406080100硫化镉硫化铊硫化铅入射光波长/nm相对灵敏度/%45(4) 伏安特性所加的电压越高，光电流越大，而且没有饱和的现象。在给定的电压下，光电流的数值将随光照增强而增大。0 10

17、 20 30 40 5050100150200250I/ AU/V 图10-11 光敏电阻的伏安特性 46（5） 频率特性时间常数：光敏电阻自停止光照起到电流下降为原来的63%所需要的时间。入射光调制频率/Hz相对灵敏度/%0 10 102 103 10420406080100硫化镉硫化铅图10-12 光敏电阻的频率特性 多数光敏电阻的时间常数都很大。47(6) 温度特性峰值随温度上升向波长短的方向移动。204060801000 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0/m相对灵敏度（%）+20 C-20 C图10-13 光敏电阻的光谱温度特性48初制成的光敏电阻，性能不稳定。但在人工加温、光照

18、及加负载情况下，性能可达稳定。光敏电阻在最初的老化过程中，阻值会有变化，但最后达到稳定值后就不再变化。这是光敏电阻的主要优点。 光敏电阻的使用寿命在密封良好、使用合理的情况下几乎是无限长的。 （7）稳定性4910.4.2 光电池 光电池是利用光生伏特效应把光直接转变成电能的光电器件。由于它可把太阳能直接转变为电能，因此又称为太阳能电池。它有较大面积的PN结，当光照射在PN结上时，在结的两端出现电动势。故光电池是有源元件。50光电池有硒光电池、砷化镓光电池、硅光电池、硫化铊光电池、硫化镉光电池等。目前，应用最广、最有发展前途的是硅光电池和硒光电池。硅光电池的价格便宜，转换效率高，寿命长，适于接受

19、红外光。硒光电池的光电转换效率低、寿命短，适于接收可见光。砷化镓光电池转换效率比硅光电池稍高，光谱响应特性与太阳光谱最吻合，且工作温度最高，更耐受宇宙射线的辐射。适于宇宙飞船、卫星、太空探测器等方面应用。511. 光电池的结构和工作原理图10-14 光电池的结构图下电极梳状电极SiO2抗反射膜PN硅光电池的结构如图。它是在一块N型硅片上用扩散的办法掺入一些P型杂质（如硼）形成PN结。 52图10-15 光电池的工作原理示意图RLI+mAV- P N当光照到PN结区时，如果光子能量足够大，将在结区附近激发出电子-空穴对，在N区聚积负电荷，P区聚积正电荷，这样N区和P区之间出现电位差。若将PN结两

20、端用导线连起来，电路中就有电流流过。若将外电路断开，就可测出光生电动势。 532.基本特性（）光谱特性 故硒光电池适用于可见光，常用于分析仪器、测量仪表。如用照度计测定光的强度。硅光电池的光谱峰值在800nm附近，硒的在540nm附近。20406080100硒硅入射光波长/nm0 400 600 800 1000 1200相对灵敏度/%图10-16 光电池的光谱特性54(2) 光照特性不同光照射下有不同光电流和光生电动势。短路电流在很大范围内与光强成线性关系。图10-17 光电池的光照特性开路电压0.10.30.2照度/lx0 2000 4000 光生电流/mA0.20.60.4光生电压/V短

21、路电流开路电压与光强是非线性的，且在2000 lx时趋于饱和。光电池作为测量元件时，应把它作为电流源的形式来使用，不宜用作电压源，且负载电阻越小越好。55(3) 频率特性硅光电池有很高的频率响应，可用于高速记数、有声电影等方面。光电池的频率特性是反映光的交变频率和光电池输出电流的关系。图10-18 光电池的频率特性20406080100硒光电池硅光电池0 1500 3000 4500 6000 7500相对光电流/%入射光调制频率/Hz56(4) 温度特性主要描述光电池的开路电压和短路电流随温度变化的情况。开路电压随温度升高而下降的速度较快。 短路电流随温度升高而缓慢增加。 因此作测量元件时应

22、考虑进行温补。图10-19 光电池的温度特性开路电压温度/光生电流/mA1.82.22.0光生电压/V短路电流1002003004005000 20 40 60 80 1005710.4.3 光敏晶体管1. 光敏二极管光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态。光敏二极管的光照特性是线性的，适合检测等方面的应用。RL 光PNPN光58PNRE+-If59RE-+I当光照射时，光敏二极管处于导通状态。当光不照射时，光敏二极管处于截止状态。PN60612. 光敏三极管集电结一边做得很大，以扩大光的照射面积，且基极一般不接引线。PPN becNNPe bc62普通三极管ICIBeEBECIERCRbc

23、bNNP63ICeECIERCcNNPb基区很薄，基极一般不接引线；集电极面积较大。光敏三极管643. 光敏晶体管的主要特性(1) 光谱特性 存在一个最佳灵敏度波长2040608010040080012001600入射光波长/nm锗硅相对灵敏度（%）065(2) 伏安特性01234 5外加电压（V）20406080I（mA)2500Lx2000Lx1500Lx1000Lx500Lx与一般晶体管在不同的基极电流时的输出特性一样。只需把光电流看作基极电流即可。66(3) 光照特性1.02.03.02004006008001000Lx0I(A)故光敏三极管既可做线性转换元件， 也可做开关元件近似线性关系。但光照足够大时会出现饱和现象。67(4) 温度特性暗电流（mA)1030507002550C200400100300 500光电流（ A)103050700C温度变化对光电流的影响很小，对暗电流的影响很大。故电子线路中应对暗电流进行温度补偿。68(5) 频率特性减小负载电阻可以提高响应频率，但将使输出降低