高三化学晶体结构与性质复习要点

1、晶体结构与性质晶体：自范性（能自发呈现多面体外形的性质），具有确定的熔沸点晶体的分类以及各自的特点晶体类型 性质比较一、离子晶体分子晶体原子晶体金属晶体结 构组成粒子阴阳离子分子原子金属阳离子和自 由电子粒子间作用力离子键范德华力共价键金属键物 理 性 质熔沸点较局低很高不确定（W最高,Hg最低）硬度硬而脆小大不确定溶解性易溶于极性溶剂， 难溶于非极性溶 剂相似相溶不溶于任何溶剂导电性不良（熔融或溶解可 导电）不良不良（半导体Si）良导体举例CsCl, NaCl, ZnS, CaF2干冰，白磷，冰， 硫磺金刚石，SiO2,SiC, 单晶硅Na, Mg, Al, Fe, Cu, Zn, PoNo

2、tice: 1.离子键既没有饱和性，又没有方向性。2.离子晶体中酸式根离子无论是强酸或弱酸均以单个离子形式存在。如KHSO4=K+HSO43.分子式只在分子晶体中表示分子的实际组成，化学式在原子、离子晶体中是表示各种离子间的最简整数比，必须约简。SiO2应为化学式e.g.在干冰晶体中，是由 CO2分子构成的，CO2则为分子式；在 SiO?晶体中，是由Si 原子与O原子以1: 2的比例交替连接成立体网状结构的，4.金属键只用于解释物理性质。三、同种晶体比较熔沸点高低.分子晶体：1.氢键2.极性3.分子量（结构相似的情况下）e.g. A. NH3 （具有氢键）SbH3AsH3PH3（比较分子量）N

3、O （极性分子）O2N2 （非极性分子）.原子晶体：键能（或键长）e.g. d（Si-Si）d（Si-C）d（C-C）所以熔沸点 单晶硅碳化硅 CaO NaFNaClNaBrNaI.金属晶体：金属离子半径越小，离子所带电荷越多，金属键 越强。eg NaMgNaK四、课本中出现的常见几种离子晶型NaCl 型a.配位数（一个离子周围最邻近的异电性离子数目）：6/6b.每个晶胞中的 Na+与Cl-数目：4/4c.阴阳离子的排列：面心立方结构d. *实例：碱金属（除 Cs）的卤化物，AgF,碱土金属氧化 物CsCI 型a,配位数（一个离子周围最邻近的异电性离子数目） 8/8b.每个晶胞中的 Cs+与C

4、I-数目：1/1c,阴阳离子的排列：简单立方结构d. *实例：CsCI, CsBr, NH4CICaF2 型a,配位数（一个离子周围最邻近的异电性离子数目） 8/4b.每个晶胞中的Ca2+与F-数目：4/4c,阴阳离子的排列：面心立方结构d. * 实例：K2s五、离子晶体边长、密度等的计算e.g.已知晶体中2个最近的Cs+离子核间距为a cm,氯化期M量为 M, Na为阿伏加德罗常数，则氯 化葩晶体的密度为。六、金属晶体类型1,简单立方堆积 利用率最低。配位数：6 举区J: Po.钾型（体心立方）将上层金属原子填入下层金属原子形成的凹穴中。配位数：8举区Na, K, Fe.镁型和铜型按照图示方

5、式堆积。配位数：12它是一种最密方式的堆积。举区Mg, Zn, Ti （镁型）Cu, Ag, Au （铜型）其立体图形按照这种方式，可以有两种堆积方式，分别是镁型和铜型上下两层都填充到编号为 1、3、5三个空穴中，这种堆积方式叫镁型。垂直投影上层填充到编号为1、3、5三个空穴中，而下层填充到编号为 2、4、6三个空穴中，这种堆积方 式叫铜型。七、晶格能1mol最能反映离子晶体稳定性的数据是它们的晶格能。离子晶体的晶格能的定义是气态离子形成离子晶体所释放的能量。通常取正值。晶格能越大，形成离子晶体越稳定，熔点越高，硬度越大。 Born-Haber循环计算Mg(s) +AHi汽化热i _ |O2(g)AH3键能AH烙变Mg