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1、第8章 单片机系统扩展 目 录 8.1 扩展并行三总线 8.2 扩展简单并行输入/输出口 8.3 扩展并行数据存储器 8.4 串行扩展总线接口技术 本章主要介绍了MCS-51单片机系统扩展的方法。通过扩展并行三总线来进行并行总线接口扩展;通过UART或I/O口模拟几种串行通信的特点来进行串行总线接口扩展。第1页,共58页。8.1 扩展并行三总线 主要内容 8.1.1 片外三总线结构 8.1.2 MCS-51系统扩展的实现 8.1.3 总线驱动第2页,共58页。8.1.1 片外三总线结构 通常,微机的CPU外部都有单独的并行地址总线、数据总线、控制总线。MCS-51单片机由于引脚的限制,数据总线
2、和地址总线是复用的。 地址需要锁存:为了能把复用的数据总线和地址总线分离出来以便同外部的芯片正确的连接,需要在单片机的外部增加地址锁存器,从而构成与一般CPU相类似的三总线结构,如图8-1所示。第3页,共58页。P2ALE89C52P0PSENWRRD地址锁存器地址总线数据总线控制总线A8A15A0A7D0D78.1.1 片外三总线结构图8-1 89C52扩展的三总线第4页,共58页。ALEP0.7P0.6P0.5P0.4P0.3P0.2P0.1P0.0LE OE8D 8Q7D 7Q6D 6Q5D 5Q4D 4Q3D 3Q2D 2Q1D 1QA7A6A5A4A3A2A1A089C5274HC5
3、73图8-2 地址总线扩展电路 地址锁存器74HC573与单片机P0口连接,扩展地址总线,如图8-2所示。 74HC573简介74HC573是有输出三态门的电平允许8位锁存器。引脚信号如下: OE:输出允许端,为0时芯片有效。LE:锁存控制端,高电平时,锁存器的数据输出端Q的状态,与数据输入端D相同,即锁存器是透明的;当LE端从高电平返回到低电平时(下降沿后),输入端的数据就被锁存在锁存器中,数据输入端D的变化不再影响Q端。第5页,共58页。 一、地址总线 地址总线(Address Bus,AB)用于传送单片机送出的地址信号,以便进行存储器单元和I/O端口的选择。 地址总线是单向的,只能由单片
4、机向外发送信息。 地址总线的数目决定了可直接访问的存储单元的数目。 二、数据总线 数据总线(Data Bus,DB)用于单片机与存储器或I/O端口之间的数据传送。 一般数据总线的位数与CPU的字长一致,MCS-51单片机的数据总线是8位的。 数据总线是双向的,可以进行两个方向的数据传送。三、控制总线 控制总线(Control Bus,CB)是单片机发出的以控制片外ROM、RAM和I/O口读/写操作的一组控制线。第6页,共58页。8.1.2 MCS-51系统扩展的实现 一、以P0口作低8位地址及8位数据的复用总线 复用,即一段时间内作两种或两种以上用途。 在这里指P0口在每个CPU周期的前半个周
5、期输出低8位地址,由地址锁存器锁存,然后由地址锁存器代替P0口输出低8位地址。 后半个周期进行8位数据的输入输出。二、以P2口作为高8位的地址总线 P0口的低8位地址加上P2的高8位地址就可以形成16位的地址总线,达到64KB的寻址能力。 但实际应用中,往往不需要扩展那么多地址,扩展多少用多少口线,剩余的口线仍可作一般I/O口来使用。第7页,共58页。 三、控制信号线ALE:地址锁存信号,用以实现对低8位地址的锁存。PSEN:片外程序存储器读选通信号。EA:程序存储器选择信号。为低电平时,访问外部程序存储器;为高电平时,访问内部程序存储器。WR:片外数据存储器写选通信号。RD:片外数据存储器读
6、选通信号。第8页,共58页。8.1.3 总线驱动 在单片机应用系统中,扩展的三总线上挂接很多负载,如存储器、并行接口、A/D接口、显示接口等,但总线接口的负载能力有限,因此常常需要通过连接总线驱动器进行总线驱动。 总线驱动器对于单片机的I/O口只相当于增加了一个TTL负载,因此驱动器除了对后级电路驱动外,还能对负载的波动变化起隔离作用。 在对TTL负载驱动时,只需考虑驱动电流的大小。 在对MOS负载驱动时,MOS负载的输入电流很小,更多地要考虑对分布电容的电流驱动。第9页,共58页。 系统总线中地址总线是单向的,因此驱动器可以选用单向的,如74LS244,还带有三态控制,能实现总线缓冲和隔离。
7、 数据总线是双向的,其驱动器也要选用双向的,如74LS245。74LS245也是三态的,有一个方向控制端DIR。DIR=1时输出(AnBn),DIR=0时输入(AnBn)。 第10页,共58页。8.3 扩展并行数据存储器主要内容 8.3.1 扩展存储器概述 8.3.2 数据存储器的扩展 数据存储器即随机存取存储器(Random Access Memory,RAM),用于存放可随时修改的数据信息。单片机使用的主要是静态RAM。 MCS-51系列单片机片外数据存储器的空间可达64KB,而片内数据存储器的空间只有128B或256B。如果片内的数据存储器不够用时,则需进行数据存储器的扩展。第11页,共
8、58页。8.3.1 扩展存储器概述 存储器扩展的核心问题是存储器的编址问题。所谓编址就是给存储单元分配地址。 由于存储器通常由多个芯片组成,为此存储器的编址分为两个层次: 即存储器芯片的选择和存储器芯片内部存储单元的选择。 第12页,共58页。 一、地址线的译码 存储器芯片的选择有两种方法:线选法和译码法。 1、线选法。所谓线选法,就是直接以系统的地址线作为存储器芯片的片选信号,为此只需把用到的地址线与存储器芯片的片选端直接相连即可。 2、译码法。所谓译码法,就是使用地址译码器对系统的片外地址进行译码,以其译码输出作为存储器芯片的片选信号。译码法又分为完全译码和部分译码两种。 第13页,共58
9、页。1)完全译码。地址译码器使用了全部地址线,地址与存储单元一一对应,也就是1个存储单元只占用1个唯一的地址。2)部分译码。地址译码器仅使用了部分地址线,地址与存储单元不是一一对应,而是1个存储单元占用了几个地址。8.3.1 扩展存储器概述第14页,共58页。译码地址线与存储器连接的地址线A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A00100图8-5 地址译码关系图8.3.1 扩展存储器概述 芯片译码地址:在设计地址译码器电路时,常采用地址译码关系图。所谓地址译码关系图,就是一种用简单的符号来表示全部地址译码关系的示意图,如图8-5所示。 第15页,共58页。 二
10、、扩展存储器所需芯片数目的确定 若所选存储器芯片字长与单片机字长一致,则只需扩展容量。所需芯片数目按下式确定: 芯片数目=系统扩展容量存储器芯片容量8.3.1 扩展存储器概述 若所选存储器芯片字长与单片机字长不一致,则不仅需扩展容量,还需字扩展。所需芯片数目按下式确定: 芯片数目= 系统字长存储器芯片字长系统扩展容量存储器芯片容量第16页,共58页。 三、38译码器74LS138 38译码器74LS138为一种常用的地址译码器芯片。其中,G1、G2A、G2B为控制端。只有当G1为“1”,且G2A、G2B均为“0”时,译码器才能进行译码输出。否则译码器的8个输出端全为高阻状态。译码输入端与输出端
11、之间的译码关系如表8-1所示。第17页,共58页。8.3.2 数据存储器的扩展 一、常用静态RAM芯片 常见的静态RAM芯片有6264(8K8位)、62256(32K8位)、628128(128K8位)等。扩展数据存储器空间地址,由P2口提供高8位地址,P0口分时提供低8位地址和用作8位双向数据总线。片外数据存储器RAM的读/写由89C51的RD(P3.7)和WR(P3.6)信号控制。数据存储器用于存储现场采集的原始数据、运算结果等,所以,外部数据存储器应能随机读写,通常由半导体静态随机存取存储器RAM组成。EPROM芯片也可用作外部数据存储器,且掉电后信息不丢失。第18页,共58页。1. 静
12、态RAM(SRAM)芯片目前常用的静态RAM电路有6116、6264、62256、628128等。它们的引脚排列如图827所示。注: 6264的26脚为高电平有效的片选端。图827 常用静态RAM芯片引脚图第19页,共58页。其引脚功能如下:A0Ai :地址输入线,i=10(6116),12(6264),14(62256)。D0D7 :双向三态数据线;CE 片选信号输入线,低电平有效,当6264的26脚(CS)为高电平,且CE为低电平时,才选中该片;OE 读选通信号输入线,低电平有效;WE 写允许信号输入线,低电平有效;VCC 工作电源,电压为+5V;GND 线路地。这3种RAM电路的主要技术
13、特性见表85。第20页,共58页。2.E2PROME2PROM是电擦除可编程只读存储器,其最大优点是能够在线擦除和改写,在写入时能自动完成擦除,并可以直接使用单片机的+5V电源。在芯片引脚上与相同容量的静态RAM是兼容的。它使单片机系统的设计,特别是调试实验更为方便、灵活。在调试程序时用E2PROM代替仿真RAM,既可方便地修改程序,又能保存调试好的程序。常用的E2PROM有2816、2864A等。第21页,共58页。8.3.2 访问片外RAM的操作时序这里包括从RAM中读(执行MOVX A,DPTR指令时RD有效)和写(执行MOVX DPTR,A指令时WR有效)两种操作时序,数据既可以从RA
14、M指向CPU(读操作),又可以从CPU指向RAM(写操作)。但基本过程是相同的。这时所用的控制信号有ALE和RD(读)或WR(写)。P0口和P2口仍然要用,在取指阶段用来传送ROM地址和指令,而在执行阶段传送片外RAM地址和读写的数据。第22页,共58页。1. 读片外RAM操作时序89C51单片机若外扩一片RAM,则应将其WR引脚与RAM芯片的WE引脚连接,RD引脚与芯片OE引脚连接。ALE信号的作用即锁存低8位地址,以便读片外RAM中的数据。读片外RAM周期时序如下页所示。第23页,共58页。图828 89C51访问片外RAM操作时序图第24页,共58页。在第一个机器周期的S1状态,ALE信
15、号由低变高,读RAM周期开始。在S2状态,CPU把低8位地址送到P0口总线上,把高8位地址送上P2口(在执行“MOVX A,DPTR”指令阶段时才送高8位;若是“MOVX A,Ri”指令,则不送高8位)。ALE的下降沿用来把低8位地址信息锁存到外部锁存器74HC373内,而高8位地址信息一直锁存在P2口锁存器中。在S3状态,P0口总线变成高阻悬浮状态。在S4状态,RD信号变为有效(是在执行“MOVX A,DPTR” 后使RD信号有效),RD信号使得被寻址的片外RAM略过片刻后把数据送上P0口总线,当RD回到高电平后,P0总线变为悬浮状态。至此,读片外RAM周期结束。第25页,共58页。2. 写
16、片外RAM操作时序向片外RAM写(存)数据,是89C51执行 “MOVX DPTR,A”指令后产生的动作。这条指令执行后,在 89C51的WR引脚上产生WR信号的有效电平,此信号使RAM的WE端被选通。写片外RAM的时序如图下图所示。第26页,共58页。开始的过程与读过程类似,但写的过程是CPU主动把数据送上P0口总线,故在时序上,CPU先向P0总线上送完低8位地址后,在S3状态就将数据送到P0总线。此间,P0总线上不会出现高阻悬浮现象。在S4状态,写控制信号WR有效,选通片外RAM,稍过片刻,P0上的数据就写到RAM内了。第27页,共58页。8.3.3 89C51扩展2KB RAM图829所
17、示电路为89C51地址线直接外扩2KB静态RAM 6116的连线图。8282(同74HC373)锁存低8位地址;89C51的WR(P3.6)和RD(P3.7)分别与6116写允许端WE和读允许端OE连接,以实现写读控制;因为系统必须使用片内ROM从0000H开始的空间,所以,EA接高电平;6116的片选控制端CE接地为常选通,地址为0000H07FFH。对于有片内Flash ROM的89C51扩展一片RAM,便可组成一个简单的系统。第28页,共58页。图829 89C51扩展2 KB RAM第29页,共58页。RAM地址P2.7P2.3 P2.2 P2.1 P2.0 P0.7P0.0 A10
18、A9 A8 A7A0 00000 0 0 0 0000 0000 0 0 0 0000 0001 1 1 1 1111 1110 00000 1 1 1 1111 1111所以地址范围为0000 0 000 0000 0000 0000 0 111 1111 1111为0000H07FFH:第30页,共58页。8.2.3 多片存储器芯片的扩展 1. 线选法寻址 外扩3片2764,8K=213 ,所以有13根地址线A12-A0。第一片的片选信号为P2.5,第二片的片选信号为P2.6,第三片的片选信号为P2.7,且都为低电平有效。当选中第一片2764时,P2.5为低电平,此时第二片和第三片芯片的片
19、选P2.6和P2.7都应该为高电平,不被选中。同理可得第二片、第三片芯片的片选情况。具体的地址分析如下页第31页,共58页。片1的片选信号为P2.5,所以片1的地址为P2.7 P2.6 P2.5 P2.4 P2.3-P2.0 P0.7-P0.0 1 1 0 0 0000 0000 0000 1 1 0 0 0000 0000 0001 1 1 0 1 1111 1111 1111所以片1的地址为0C000H0DFFFH 片2的片选信号为P2.6,所以片2的地址为P2.7 P2.6 P2.5 P2.4 P2.3-P2.0 P0.7-P0.0 1 0 1 0 0000 0000 0000 1 0
20、1 0 0000 0000 0001 1 0 1 1 1111 1111 1111所以片2的地址为0A000H0BFFFH 片3的片选信号为P2.7,所以片3的地址为P2.7 P2.6 P2.5 P2.4 P2.3-P2.0 P0.7-P0.0 0 1 1 0 0000 0000 0000 0 1 1 0 0000 0000 0001 0 1 1 1 1111 1111 1111所以片3的地址为6000H7FFFH :第32页,共58页。 2. 译码法寻址 译码法寻址就是利用地址译码器对系统的片外高位地址进行译码, 以其译码输出作为存储器芯片的片选信号, 将地址划分为连续的地址空间块, 避免了
21、地址的间断。 译码法仍用低位地址线对每片内的存储单元进行寻址, 而高位地址线经过译码器译码后输出作为各芯片的片选信号。常用的地址译码器是 3/8 译码器 74LS138。 译码法又分为完全译码和部分译码两种。 第33页,共58页。4片8K8位存储器芯片的连接图。请确定每片存储器芯片的地址范围。图831 89C51扩展4片存储器芯片连接图第34页,共58页。8K=213 ,故地址线为A12A0此处用了74HC138 3-8线译码器,并且单片机的连接如下:P2.7 P2.6 P2.5 P2.4-P2.0 P0.7-P0.0 C B A A12-A8 A7-A0且74HC138 3-8线译码器的输入
22、和输出关系为:C B A 输出0 0 0 Y00 0 1 Y10 1 0 Y20 1 1 Y3片1的片选信号为Y0,所以片1的地址为P2.7 P2.6 P2.5 P2.4 P2.3-P2.0 P0.7-P0.0 0 0 0 0 0000 0000 0000 0 0 0 0 0000 0000 0001 0 0 0 1 1111 1111 1111地址为0000H1FFFH :第35页,共58页。片2的片选信号为Y1,所以片2的地址为P2.7 P2.6 P2.5 P2.4 P2.3-P2.0 P0.7-P0.0 0 0 1 0 0000 0000 0000 0 0 1 0 0000 0000 0
23、001 0 0 1 1 1111 1111 1111所以片2的地址为2000H3FFFH 片3的片选信号为Y2,所以片3的地址为P2.7 P2.6 P2.5 P2.4 P2.3-P2.0 P0.7-P0.0 0 1 0 0 0000 0000 0000 0 1 0 0 0000 0000 0001 0 1 0 1 1111 1111 1111所以片3的地址为4000H5FFFH 片4的片选信号为Y3,所以片4的地址为P2.7 P2.6 P2.5 P2.4 P2.3-P2.0 P0.7-P0.0 0 1 1 0 0000 0000 0000 0 1 1 0 0000 0000 0001 0 1
24、1 1 1111 1111 1111所以片4的地址为6000H7FFFH :第36页,共58页。8.4 串行扩展总线接口技术主要内容 8.4.1 常用的串行总线接口简介 8.4.2 I2C总线 8.4.3 SPI串行外设接口总线第37页,共58页。8.4 串行扩展总线接口技术 串行扩展总线技术是新一代单片机技术发展的一个显著特点。 相对于并行总线接口,串行总线接口有着占用I/O口线少(一般34根),编程相对简单,易于实现用户系统软硬件的模块化、标准化等优点。 随着串行总线接口技术(SPI、I2C等)和各种串行接口芯片的发展,串行总线接口技术越来越受到人们的推崇。第38页,共58页。8.4.1
25、常用的串行总线接口简介 一、I2C(Inter Integrated Circuit) I2C总线是Philips公司推出的芯片间串行传输总线。 I2C总线是二线制,采用器件地址的硬件设置方法,通过软件寻址完全避免了器件的片选线寻址方法,从而使硬件系统具有简单灵活的扩展方法。 第39页,共58页。 二、SPI SPI总线是Motorola公司提出的一种同步串行外设接口。 SPI总线是三线制,可直接与多种标准外围器件直接接口。 三、Microware Microware总线是NS公司提出的串行同步双工通信接口。 Microware总线是三线制,由一根数据输出(SO)线、一根数据输入(SI)线和一
26、根时钟(SK)线组成。8.4.1 常用的串行总线接口简介第40页,共58页。 四、单总线(1-wire) 单总线及应用: 1-wire总线是Dallas公司研制开发的一种协议,主要用于便携式仪表和现场监控系统。 单总线结构:是利用一根线实现双向通信,由一个总线主节点、一个或多个从节点组成系统,通过一根信号线对从芯片进行数据的读取。8.4.1 常用的串行总线接口简介第41页,共58页。 五、USB(Universal Serial Bus) USB总线及应用:USB总线是Compaq、Intel、Microsoft、NEC等公司联合制定的一种计算机串行通信协议。 USB总线的主要优点:比较于其他
27、传统接口的一个优势是即插即用的实现,即插即用(Plug-and-Play)也称为热插拔(Hot Plugging)六、CAN(Controller Area Network) CAN总线及应用: CAN总线是德国Bosch公司最先提出的多主机局域网总线,是国际上应用最广泛的现场总线之一。 CAN总线的主要优点:在由CAN总线构成的单一网络中,理论上可以挂接无数个节点。8.4.1 常用的串行总线接口简介第42页,共58页。8.4.3 SPI串行外设接口总线 SPI(Serial Peripheral Interface,串行外围设备接口),是Motorola公司推出的一种同步串行通信方式,是一种
28、三线同步总线。 因其硬件功能很强,与SPI有关的软件就相当简单,使CPU有更多的时间处理其他事务。图8-15为SPI总线典型结构。 第43页,共58页。图8-15 SPI总线系统典型结构示意图 8.4.3 SPI串行外设接口总线SCKMOSIMISOMCU(主)I/OI/OI/OI/OSCKMOSIMISOMCU(从)CSSCK MOSI MISO外围器件CSSCK MOSI MISO外围器件CSSCK MOSI MISO外围器件CS第44页,共58页。SPI总线定义:串行时钟线(SCK,同步脉冲)主机输入/从机输出数据线(MISO,高位在前)主机输出/从机输入数据线(MOSI,高位在前)从机
29、选择线 一、用一般I/O口线模拟扩展SPI外设接口 用P1.0模拟MCU的数据输出端(MOSI) 用P1.1模拟SPI的SCK输出端(SCK) 用P1.2模拟SPI的从机选择端(CS) 用P1.3模拟SPI的数据输入端(MISO)第45页,共58页。 单片机模拟1位数据输入/输出的过程如下: MCU输出1位SCK时钟的低电平,使接口芯片串行左移,1位数据输入至89C52的P1.3; 再置P1.1为1,使89C52从P1.0输出1位数据至串行接口芯片 依次循环8次,完成1次通过SPI传输1个字节的操作。 在一个CLK中,下降沿输出,上升沿输入,或反之。8.4.3 SPI串行外设接口总线第46页,
30、共58页。例8-4 如图8-16所示,MCU串行输入子程序SPIIN,从2814 (E2PROM)的SPISO线上接收1字节数据并放入寄存器R7中。图8-16 89C52与MCM2814的硬件连接图P1.0P1.1P1.2P1.389C52 8 3 7 4MCM2814VCC8.4.3 SPI串行外设接口总线第47页,共58页。C语言程序清单:#inclued #include sbit sck=0 x91;/P1.1的地址sbit ss=0 x92;/P1.2的地址 sbit miso=0 x93;/P1.3的地址sbit mosi=0 x90;/P1.0的地址 unsigned char
31、spiin(void) /接收子程序 unsigned int i;unsigned char tmp=0; /接收到数据暂存于tmp sck=1; /准备开始 ss=0; /置片选信号for(i=0;i8;i+)sck=0;_nop_();_nop_();if(miso&1) tmp+=1;elsetmp+=0;tmp=tmp1;sck=1;return tmp;/接收完,返回数据第48页,共58页。汇编语言程序清单:SPIIN:SETBP1.1CLRP1.2MOVR1,#08HSPIN1:CLRP1.1NOPNOPMOVC,P1.3;从机输出送C RLCA;左移至累加器ACC SETBP1
32、.1DJNZR1,SPIN1MOVR7,ARET第49页,共58页。 例8-5 MCU串行输出子程序SPIOUT,将89C52中R7寄存器的内容传送到2814的SPISI线上。C语言程序清单:第50页,共58页。 #inclued #include sbit sck=0 x91;/P1.1的地址sbit ss=0 x92;/P1.2的地址 sbit miso=0 x93;/P1.3的地址sbit mosi=0 x90;/P1.0的地址 void spiout(unsigned char tmp) /发送子程序 unsigned int i;sck=1;ss=0; for(i=0;i8;i+)sck=0;_nop_();_nop_();if(tmp&0 x80) mosi=1;elsemosi=0;sck=1;tmp=tmp1;/左移准备取次高位 第51页,共58页。汇编语言程序清单:SPIOUT:SETB P1.1 CLR P1.2MOV R1,#08HMOV A,R7SPIOT1:CLR P1.1 NOPNOPRLC AMOV P1.0,C ;左移ACC最高位至CSETB P1.1;进位C送SPISI线上DJNZ R1,SPIOT1RET第52页,共5
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