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文档简介

1、三极管的参数解释A入-光谱半宽度A VF-正向压降差A Vz-稳压范围电压增量 Aav-电压温度系数Aa-温度系数ABV cer-基极与发射极串接一电阻,CE结击穿电压 ABVcbo-发射极开路,集电极与基极间击穿电压ABVceo-基极开路,CE结击穿电压 ABVces-基极与发射极短路CE结击穿电压ABVebo-集电极开路EB结击穿电压ACib- 共基极输入电容ACic-集电结势垒电容ACieo-共发射极开路输入电容ACies-共发射极短 路输入电容ACie-共发射极输入电容ACjo/Cjn-结电容变化ACjo-零偏压结电容ACjv- 偏压结电容ACj-结(极间)电容,表示在二极管两端加规定

2、偏压下,错检波二极管的总 电容ACL-负载电容(外电路参数)ACn-中和电容(外电路参数)ACob-共基极输出电 容。在基极电路中,集电极与基极间输出电容ACoeo-共发射极开路输出电容ACoe-共发 射极输出电容ACo-零偏压电容ACo-输出电容ACp-并联电容(外电路参数)ACre-共发 射极反馈电容ACs-管壳电容或封装电容ACTC-电容温度系数ACTV-电压温度系数。在 测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比ACt-总电容ACvn-标称电 容Adi/dt-通态电流临界上升率Adv/dt-通态电压临界上升率AD-占空比AESB-二次击 穿能量Afmax-最高振荡频率。当三

3、极管功率增益等于1时的工作频率AfT-特征频率Af- 频率Ah RE-共发射极静态电压反馈系数AhFE-共发射极静态电流放大系数Ahfe-共发射 极小信号短路电压放大系数AhIE-共发射极静态输入阻抗Ahie-共发射极小信号短路输入 阻抗AhOE-共发射极静态输出电导Ahoe-共发射极小信号开路输出导纳Ahre-共发射极 小信号开路电压反馈系数AIAGC-正向自动控制电流AIB2-单结晶体管中的基极调制电流 AIBM-在集电极允许耗散功率的范围内,能连续地通过基极的直流电流的最大值,或交流 电流的最大平均值AIB-基极直流电流或交流电流的平均值AIcbo-基极接地,发射极对地 开路,在规定的V

4、CB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流AIceo-发射极 接地,基极对地开路,在规定的反向电压VCE条件下,集电极与发射极之间的反向截止电 流AIcer-基极与发射极间串联电阻R,集电极与发射极间的电压VCE为规定值时,集电极 与发射极之间的反向截止电流AIces-发射极接地,基极对地短路,在规定的反向电压VCE 条件下,集电极与发射极之间的反向截止电流AIcex-发射极接地,基极与发射极间加指定 偏压,在规定的反向偏压VCE下,集电极与发射极之间的反向截止电流AICMP-集电极最 大允许脉冲电流AICM-集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。AICM-最大输出 平均电流AIc

5、-集电极直流电流或交流电流的平均值 AIDR-晶闸管断态平均重复电流 AID-暗电流AIEB10-双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流AIEB20-双基 极单结晶体管中发射极向电流AIebo-基极接地,集电极对地开路,在规定的反向电压VEB 条件下,发射极与基极之间的反向截止电流AIEM-发射极峰值电流AIE-发射极直流电流 或交流电流的平均值AIF( AV)-正向平均电流AIF(ov)-正向过载电流AIFM(IM)-正 向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光 二极管极限电流。AIFMP-正向脉冲电流AIFRM-正向重复峰值电流AIFSM-正向

6、不重复 峰值电流(浪涌电流)AIF-正向直流电流(正向测试电流)。错检波二极管在规定的正向 电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连 续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电 流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流AiF-正向总瞬时电流AIGD-晶闸管控制极不 触发电流AIGFM-控制极正向峰值电流AIGT-晶闸管控制极触发电流AIH-恒定电流、维 持电流。AIi-发光二极管起辉电流AIL-光电流或稳流二极管极限电流AIOM-最大正向(整流)电流。在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流

7、电路中允许连续通过错检波二极管的最大工作电流AIop-工作电流AIo-整流电流。在特定 线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流AIP-峰点电流AIR(AV)-反向平均 电流AIR(In)-反向直流电流(反向漏电流)。在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆 在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加 反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正 弦半波最高反向工作电压下的漏电流。AIRM-反向峰值电流AIrp-反向恢复电流AIRRM- 反向重复峰值电流AIRR-晶闸管反向重复平均电流AIRSM-反向不重复峰值电流(反

8、向浪 涌电流)Air-反向恢复电流AiR-反向总瞬时电流AISB-二次击穿电流AIs-稳流二极管稳 定电流AIV-谷点电流AIzk-稳压管膝点电流AIZM-最大稳压电流。在最大耗散功率下稳 压二极管允许通过的电流AIZSM-稳压二极管浪涌电流AIz-稳定电压电流(反向测试电 流)。测试反向电参数时,给定的反向电流An-电容变化指数;电容比APB-承受脉冲烧毁 功率APCM-集电极最大允许耗散功率APc-集电极耗散功率APC-控制极平均功率或集 电极耗散功率APd-耗散功率APFT(AV)-正向导通平均耗散功率APFTM-正向峰值耗散 功率APFT-正向导通总瞬时耗散功率APGM-门极峰值功率A

9、PG-门极平均功率APi-输 入功率APi-输入功率APK-最大开关功率APMP-最大漏过脉冲功率APMS-最大承受脉 冲功率APM-额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率APn-噪声功率 APomax-最大输出功率APosc-振荡功率APo-输出功率APo-输出功率APR-反向浪涌 功率APsc-连续输出功率APSM-不重复浪涌功率APtot-总耗散功率APtot-总耗散功率 APZM-最大耗散功率。在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率AQ-优值(品 质因素)Ar备衰减电阻AR(th)ja-结到环境的热阻AR(th)jc-结到壳的热阻Ar(th)-瞬态电 阻Arbb

10、分钟Cc-基极-集电极时间常数,即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积Arbb分钟 -基区扩展电阻(基区本征电阻)ARBB-双基极晶体管的基极间电阻ARBE-外接基极- 发射极间电阻(外电路参数)ARB-外接基极电阻(外电路参数)ARc -外接集电极电阻(外电路参数)ARE-射频电阻ARE-外接发射极电阻(外电路参数)ARF(r)-正向微 分电阻。在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性。在某一正向电压 下,电压增加微小量 V,正向电流相应增加 I,则v/aI称微分电阻Arg-信号源内阻 Arie-发射极接地,交流输出短路时的输入电阻ARL-负载电阻ARL-负载电阻(外电路参 数)

11、Aroe-发射极接地,在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出 电阻ARs(rs)-串联电阻ARth-热阻ARth-热阻ARz(ru)-动态电阻ATa-环境温度ATa- 环境温度ATc-管壳温度ATc-壳温Atd-延迟时间Atd-延迟时间Atfr-正向恢复时间 Atf-下降时间Atf-下降时间Atgt-门极控制极开通时间Atg-电路换向关断时间ATjm- 最大允许结温ATjm-最高结温ATj-结温Atoff-关断时间Atoff-关断时间Aton-开通时 间Aton-开通时间Atrr-反向恢复时间Atr-上升时间Atr-上升时间Atstg-温度补偿二极 管的贮成温度ATst

12、g-贮存温度Ats-存储时间Ats-存贮时间ATs-结温AV n-噪声电压 AV v-谷点电压AV(BR)-击穿电压AVAGC-正向自动增益控制电压AVB2B1-基极间 电压AVBB-基极(直流)电源电压(外电路参数)AVBE(sat)-发射极接地,规定Ic、IB 条件下,基极-发射极饱和压降(前向压降)AVBE10-发射极与第一基极反向电压AVBE- 基极发射极(直流)电压AVB-反向峰值击穿电压AVCBO-基极接地,发射极对地开路, 集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压AVCB-集电极-基极(直流)电压AVcc-集电 极(直流)电源电压(外电路参数)AVCE(sat)-发射极接地,规定I

13、c、IB条件下的集电极 -发射极间饱和压降AVCEO-发射极接地,基极对地开路,集电极与发射极之间在指定条件 下的最高耐压AVCER-发射极接地,基极与发射极间串接电阻R,集电极与发射极间在指 定条件下的最高耐压AVCES-发射极接地,基极对地短路,集电极与发射极之间在指定条 件下的最高耐压AVCEX-发射极接地,基极与发射极之间加规定的偏压,集电极与发射极 之间在规定条件下的最高耐压AVCE-集电极-发射极(直流)电压AVc-整流输入电压 AVDRM-断态重复峰值电压AVEBO-基极接地,集电极对地开路,发射极与基极之间在 指定条件下的最高耐压AVEB-饱和压降AVEE-发射极(直流)电源电压(外电路参数)AVF (AV)-正向平均电压AVFM-最大正向压降(正向峰值电压)AVF-正向压降(正 向直流电压)AVGD-门极不触发电压AVGFM-门极正向峰值电压AVGRM-门极反向峰 值电压AVGT-门极触发电压AVk-膝点电压(稳流二极管)AVL -极限电压AVn(p-p)- 输入端等效噪声电压峰值 AVn-中心电压AVOM-

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