光电技术复习资料_第1页
光电技术复习资料_第2页
光电技术复习资料_第3页
光电技术复习资料_第4页
光电技术复习资料_第5页
已阅读5页,还剩2页未读, 继续免费阅读

下载本文档

版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领

文档简介

1、复习提纲:1、说明什么是施主杂质和n型半导体。2、费米分布函数及其物理意义。3、以光敏电阻作为探测元件,设计光控制电路(如光控自动路灯)并简要分析 其工作原理。4、光敏电阻的工作原理5、什么是内光电效应和外光电效应?举例说明。6、简要说明PN结光伏效应。7、画出光敏电阻的结构示意图,并说明理由。8、如何选择光电导探测器的负载电阻?9、设一维n型半导体材料:当x r 0时,Ap(x) = Ap(0);当x S 时,Ap(x) = 0。列出扩散方程,导出光生空穴浓度随位置x的变化关系。10、导出N型半导体受恒定弱光照射后,突然光照停止,材料中非平衡载流子随 时间的变化关系11、光照下pn结的电流方

2、程,求出开路电压Uc和短路电流I。12、光电倍增管,若放大倍数的稳定度为1%,则电源电压的稳定度应是多少?(设K已知)13、磷掺入本征半导体硅中,形成的杂质半导体的杂质类型和半导体类型为14、根据费米分布,能量远在费米能级之上的能级上占有电子和空穴的概率15、已知本征载流子浓度和当施主杂质浓度,并假定全部电离时,电子浓度和空 穴浓度分别为?16、已知CdS的禁带宽度为2.4eV,则其本征吸收的截止波长为?17、光敏电阻的结构及其理由?光电导探测器一般封装在带有窗口的金属或塑料外壳上,光电导体贴在硬制玻 璃、云母、高频瓷等绝缘体上。光电导体做成蛇形,电极做成梳状,这样可 以保证光电导体有较大的受

3、光面积,又可以减少极间电子距离,减小电子渡 越时间,提高灵敏度。18、哪些光电探测器中不含pn结的是19、与普通光电二极管相比,PIN光电二极管的特点是?20、与普通光电二极管相比,雪崩光电二极管的特点是?21、测辐射热电偶的基本原理基于什么效应?22、PAL电视制式有哪些规定?场频50Hz,每帧扫描625行,隔行扫描,伴音、 图像载频带宽6.5MHz,电视屏幕高宽比通常为4:3或者16:9.23、像管和像增强器的作用分别是什么?像管具有让图像转换、增强、显示的功能。像增强器则可以将微弱的光学图像增 强到亮度足够的可见光图像。24、设一维n型半导体材料:当x 0时,Ap(x) = Ap(0);

4、当x S 时,Ap(x) = 0。 列出扩散方程,导出光生空穴浓度随位置x的变化关系。25、导出N型半导体受恒定弱光照射后,突然光照停止,材料中非平衡载流子随 时间的变化关系26、光照下pn结的电流方程,求出开路电压气和短路电流I。27、光电倍增管,若放大倍数的稳定度为1%,则电源电压的稳定度应是多少?(设K已知)28、光电池的基本原理?29、分析PN结的单向导电性?30、说明光电二极管的工作原理?31、结合光照下pn结的电流方程,说明硅光电池的照度-电流电压特性。32、已知太阳电池的参数为:U = 0.54V,I = 50mA,要用若干这样的光电池组合起来为0.5A、6V的蓄电池充电,应组成怎样的电路?33、定性解释金属、半导体电阻-温度系数的区别。34、按照费米分布函数,若某能级上电子占据概率为0.2,则空穴占据概率为?35、设入射光光强为10,材料表面的反射率为0.5,吸收系数为a,则距离表面为1/a处的光强为?36、已知CdS的禁带宽度,则其本征吸收的截止波长为?37、光电二极管环极有什么作用?38、光电子器件主要包括哪些类别?39、内光

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

评论

0/150

提交评论