ch16电流放大作用

1、ch16电流放大作用1.3.1 BJT的构造及类型1.3 双极型晶体管BJT1.3.2 BJT的电流分配与放大原理1.3.3 BJT的共射特性曲线1.3.4 BJT的主要参数半导体三极管图片半导体三极管图片1.3.1 BJT的构造简介 半导体三极管的结构有两种类型:NPN型和PNP型。两种类型的三极管发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示Base 发射极，用E或e表示Emitter；集电极，用C或c表示Collector。 发射区集电区基区三极管符号 构造特点： 发射区的掺杂浓度最高； 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。管芯

2、结构剖面图 放大的概念：变化量；能量控制作用。 双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。 假设在放大工作状态：发射结加正向电压正偏，集电结加反向电压反偏。1.3.2 BJT的电流分配与放大原理 现以 NPN型三极管的放大状态为例，来说明三极管内部的电流关系。 根本共射放大电路 ：基极电流控制集电极电流 1.3.2 BJT的电流分配与放大原理一. 晶体管内部载流子的运动 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输表达出来的。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。发射区：发射载流子集电区：搜集载流子基区：传送和控制载流子 以NPN为例 扩散到基区的自由电子与空穴的复合形

3、成基极电流IB 基区复合电流IBN 发射结加正偏，扩散运动形成发射极电流IE。 自由电子扩散电流IEN 空穴扩散电流IEP 集电结(搜集结加反向电压，漂移运动形成集电极电流IC。 基区非平衡少子漂移电流ICN 平衡少子漂移电流ICBO。 以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管。或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 于是可得如下电流关系式: IE= IEN+ IEP 且有IENIEP IEN=ICN+ IBN 且有IEN IBN ，ICNIBN IC=ICN+ ICBO IB=IEP+ IBNICBOIE=IEP+IEN=I

4、EP+ICN+IBN =(ICN+ICBO)+(IBN+IEPICBO) IE =IC+IB二. 电流分配关系定义:称为共发射极接法直流电流放大系数。根据传输过程可知：三. 共射电流放大系数穿透电流反向饱和电流 是交流电流放大系数，同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 1 称为共基极直流电流放大系数。它表示最后达到集电极的电子电流ICN与总发射极电流IE的比值。ICN与IE相比，因ICN中没有IEP和IBN，所以 的值小于1, 但接近1。 为电流放大系数，它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 = 0.90.99IC=ICN+ICBO= IE+ICBO= (IC+IB)+ICBO其中：IE=IB+ IC因 1, 所以 1 由以上分析可知，发射区掺杂浓度高，基区很薄，是保证三极管可以实现电流放大的关键。 假设两个PN结对接，相当于基区很厚，所以没有电流放大作用，基区从厚变薄，两个PN结演变为三极管，这是量变引起质变的又一个实例。 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流可以通过基区传输，然后到达集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是：1内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。2外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。1.3.2 BJT的电流分配与放大原理问题1：除了从三