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文档简介

1、集成电路工艺生产课程教学日历周次日期教 学 内 容学时重点与难点11/9第1章 绪论1.1集成电路工艺引言2集成电路平面工艺28/91.2芯片制造工艺流程及N阱工艺1.3晶体生长及洁净2N阱工艺315/9第2章氧化2.1SiO2的结构及性质2.2SiO2的掩蔽作用2.3硅的热氧化生长动力学2硅的热氧化生长动力学422/92.4决定氧化速率常数和影响氧化速率的各种因素2.5热氧化过程中的杂质再分布2.6初始氧化阶段以及薄氧化层的生长2影响氧化速率的各种因素热氧化过程中的杂质再分布529/9第3章扩散3.1杂质扩散机构3.2扩散系数与扩散方程2杂质扩散机构菲克第一定律和扩散方程66/103.3扩散

2、杂质的分布3.4影响杂质分布的其他因素3.5扩散工艺2扩散杂质的分布扩散工艺713/10第4章离子注入4.1核碰撞和电子碰撞4.2注入离子在无定形靶中的分布4.3注入损伤4.4热退火2核碰撞和电子碰撞纵向分布和横向效应级联碰撞 热退火特性820/10第5章 物理气相淀积5.1真空蒸发法制备薄膜的基本原理5.2蒸发源5.3气体辉光放电5.4溅射2真空度与分子平均自由程电阻加热源直流辉光放电溅射特性927/10第6章化学气相淀积6.1CVD模型6.2化学气相淀积系统6.3CVD多晶硅的特性和淀积方法6.4 CVD二氧化硅的特性和淀积方法2CVD模型CVD多晶硅和二氧化硅的特性和淀积方法103/11

3、第7章 外延7.1硅气相外延的基本原理7.2外延层中的杂质分布2硅气相外延的基本原理1110/117.3低压外延7.4选择外延7.5硅烷热分解法外延7.6分子束外延7.7层错、图形漂移及层错法测量厚度7.8外延层电阻率的测量2层错、图形漂移及利用层错法测量厚度外延层电阻率的测量1217/11第8章 光刻与刻蚀工艺8.1光刻工艺流程8.2分辨率8.3光刻胶的基本属性2光刻工艺流程光刻胶的基本属性1324/118.4紫外光曝光8.5掩模版的制造8.6X射线曝光8.7电子束直写式曝光8.8ULSI对图形转移的要求8.9湿法腐蚀8.10干法刻蚀技术8.11刻蚀速率2掩模版的制造ULSI对图形转移的要求湿法腐蚀干法刻蚀技术141/12第九章 金属化与多层互连9.1 对金属化材料特性的要求9.2 铝在集成电路技术中的应用9.3 铜及低K介质9.4 多晶硅及硅化物9.5 多层互连的工艺流程9.6 平坦化及CMP工艺2金属化的基本方法、CMP工序的原理及工艺过程158/12第十章工艺集成10.1 集成电路中的隔离10.2 CMOS集成电路的工艺集成2CMOS集成电路的工艺流

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