电子行业中微半导体：半导体设备领先厂商发力刻蚀镀膜等IC核心环节

1、目录半导体设备领先厂商，聚焦刻蚀/镀膜两大环节1刻蚀和MOCVD行业迎增量，国产替代空间巨大2深耕介质和TSV刻蚀领域，MOCVD彰显实力3募投拟扩产升级高端设备，布局先进制程设备研发4盈利预测与估值情况5一、半导体设备领先厂商，聚焦刻蚀/镀膜两大环节1.1 国内半导体设备优质厂商，自主研发与技术实力雄厚中微公司成立于2004年，2018年注册资本4.81亿元，主要从事高端半导体设备领域。共有境外法人股东6名，境 内法人股东20名，尹志尧等自然人股东8名，其中持股5 以上股份或表决权股东，包括上海创投、巽鑫投资、南 昌智微、置都投资、中微亚洲、Grenade、Bootes、Futago、悦橙投

2、资、创橙投资、亮橙投资和橙色海岸。子公司中，中微国际负责海外销售，中微南昌负责MOCVD研发生产和销售，中微厦门负责MOCVD和刻蚀设备销售； 中微惠创负责VOC设备研发生产和销售，中微汇链负责泛半导体生态培育，参股沈阳拓荆（PECVD和ALD优质企业）中微半导体股权结构及公司结构中微亚洲5.15%Primrose4.07%美国高通Grenade1.14%2.38%Bootes2.31%Futago0.78%上自上 巽 南 置 悦 国 创 和 海 亮 君 协 国 浦 橙 君 贸 茂 励 芃 海 鑫 昌 都 橙 开 橙 谐 自 橙 邦 鑫 投 东 色 鹏 区 流 微 徽 创 投 智 投 投 创

3、投 锦 贸 投 投 控 投 新 海 投 三 投 投 投区期投 资 微 资 资 新 资 弘 基 资 资 股 资 兴 岸 资 基 资 资 资金金境内0.05%0.81% 0.81% 0.41%20.02% 19.39% 6.37% 5.48% 4.69% 4.09% 2.74%2.66% 2.46% 1.89% 1.32% 1.88% 1.64% 1.61% 1.39% 1.32%中微公司境外中微 南昌中微 汇链上海 创徒沈阳 拓荆中微厦门中微 惠创中微 国际8.47%10.96%19%95%100%100%100%100%中微 韩国100%尹志尧等8名自然人3.61%上海芯 元基中微国际台中微中

4、微湾分公司日本北美资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展部21223475/36139/20190621 17:232004年2013年2016年初2018年2017年至今2011年2012年2016年末2017年初中微有限设立首台CCP刻蚀设备Primo D-RIE研制成功首台深硅刻蚀设备产 品研制成功CCP刻蚀设备产品 Primo AD-RIE刻 蚀设备研制成功首台VOC设备产品研 制成功首台ICP刻蚀设备 产 品 Primo nanova研制成功CCP刻蚀设备产品Primo SSC AD-RIE刻蚀设备研 制成功继续引领国内半导体 设备和技术的发展首台MOCVD设备产品 Prismo

5、 D-Blue研制成功改进Primo AD-RIE 并进入5nm生产线MOCVD设备产品Prismo中微公司设立以来主要产品的演变情况2007年2010年一、半导体设备领先厂商，聚焦刻蚀/镀膜两大环节中微公司第100台MOCVD Prismo A7反应腔付运里程碑券研究发展部A7初步研制成功资料来源：招股说明书，中信建投证1.1 国内半导体设备优质厂商，自主研发与技术实力雄厚公司主要业务是开发大型真空的微观器件工艺设备，包括等离子体刻蚀和薄膜积设备。刻蚀设备方面：04年着手研发CCP刻蚀，07年Primo D-RIE研发成功，10年深硅刻蚀设备研制成功，11年CCP刻蚀Primo AD-RIE

6、研发成功，13年CCP刻蚀Primo SSC AD-RIE研发成功，16年ICP刻蚀Primo nanova 研发成功，18年 CCP刻蚀Primo AD-RIE改进，并进入台积电5nm产线。MOCVD方面， 2010年开始研发LED外延的MOCVD 设备， 12年第一代Prismo D-Blue研制成功， 17年初第二代 Prismo A7研制成功。截止17年底已经出货100台Prismo A7 MOCVD设备。一、半导体设备领先厂商，聚焦刻蚀/镀膜两大环节证券研究发展部资料来源：招股说明书，中信建投1.1 国内半导体设备优质厂商，自主研发与技术实力雄厚公司创始团队、管理层及核心技术团队均拥

7、有数十年半导体产业，尤其是半导体设备国际大厂多年经验。尹志尧：董事长/总经理，在半导体及设备行业从业35年，是国际等离子刻蚀技术重要推动者。曾任英特尔、泛 林、应用材料等负责刻蚀设备产品开发和管理工作。尹志尧博士是 89 项美国专利和200多项其他海内外专利的 主要发明人。2018年美国VLSI Research全球评比中，与英特尔董事长、格罗方德CEO一起被评为2018年国际半 导体产业十大领军明星。其他核心成员：杜志游、倪图强、麦仕义、杨伟、李天笑等均有在应用材料、泛林半导体、英特尔等半导体设备或芯片大厂从事多年研发、管理等工作。中微公司核心团队成员工作经历37%19%7%6%9%研发人员

8、 销售人员22%工程技术人员管理人员 生产人员其它9%33%34%24%博士硕士大学本科大专以下中微半导体18年员工结构中微半导体18年员工教育程度比例06004002001,4001,2001,000800中微半导体专利申请数量情况一、半导体设备领先厂商，聚焦刻蚀/镀膜两大环节资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展部资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展部公司分为电容性等离子体刻蚀设备、电感性等离子体刻蚀设备、深硅/MEMS 刻蚀设备、 MOCVD设备等不同团队。截至18年末公司研发和技术人员381名，占员工总数58 ，硕士及博士占比为42 ，涵盖了等离子体物理、射频 及微波学、结构

9、化学、微观分子动力学、光谱及能谱学、真空机械传输等相关学科的专业人员。公司高度重视研发投入与自主核心技术，并有严格的知识产权管理体系。至2019年2月末，公司申请了1201项 专利，其中发明专利 1038 项，海外发明专利465项；已获授权专利951项，其中发明专利 800项。证明公司在 自主知识产权技术方面的储备。1.1 国内半导体设备优质厂商，自主研发与技术实力雄厚中微半导体主要产品刻蚀设备MOCVD设备其他设备电容性等离子体刻蚀设备电感性等离子体刻蚀设备VOC设备一、半导体设备领先厂商，聚焦刻蚀/镀膜两大环节证券研究发展部资料来源：招股说明书，中信建投1.2 专注刻蚀/镀膜两大环节IC设

10、备，获国内外诸多知名厂商认可光刻、等离子体刻蚀、薄膜沉积设备是集成电路、 LED芯片制造三大环节的关键设备。中微半导体聚焦等离子 刻蚀、金属有机化学气相沉积（MOCVD）两大核心领域，以及VOC净化设备等。中微公司产品广泛应用于IC前道 制造、后道先进封装以及LED/MEMS制造等领域。公司等离子体设备已被广泛应用于国际一线客户，覆盖从 65纳米到14纳米，及7纳米/5纳米最先进制程的IC加 工制造及先进封装。公司MOCVD设备在行业领先客户生产线上大规模投入量产，成为世界排名前列、国内占主导地位的氮化镓基LED MOCVD设备厂商。最近的LED扩产厂商中，多数采购中微MOCVD设备，国内市占

11、率超80 。中微半导体产品涵盖刻蚀/镀膜两大核心环节刻蚀干法刻蚀（等离子刻蚀）湿法刻蚀金属刻蚀介质刻蚀硅刻蚀电感耦合等离子 体刻蚀（ICP）多晶硅栅单晶硅槽氧化硅氮化硅铝合金钨接触金属一、半导体设备领先厂商，聚焦刻蚀/镀膜两大环节建投证券研究发展部资料来源：行业资料，中信1.2 专注刻蚀/镀膜两大环节IC设备，获国内外诸多知名厂商认可刻蚀是利用化学或者物理方法有选择性地从硅片表面去除不需要材料的过程，刻蚀的目标是涂胶的硅片上正确 复制掩模图形。刻蚀分为干法和湿法刻蚀两大类，其中湿法用于尺寸较大情况，干法用于亚微米情况。干法刻蚀，按照产生等离子体方式分为电容耦合（CCP）、电感耦合（ICP）两种

12、主流方式，CCP刻蚀通过电容产 生等离子体，而ICP刻蚀通过螺旋线圈产生等离子体。按照刻蚀材质的不同，又分为金属、介质和硅刻蚀。其中CCP刻蚀常用于刻蚀氧化物、氮化物等介质材料，ICP刻蚀主要用于单晶硅、多晶硅等材料刻蚀。中微半导体在CCP刻蚀设备上业内领先，ICP刻蚀上表现优秀。中微半导体聚焦的刻蚀领域电容耦合等离子体刻蚀（CCP）刻 蚀 设 备镀 膜 设 备中微产品电容性等离子刻蚀（Primo AD-RIE）电感性等离子刻蚀（Primo nanova）深硅刻蚀（Primo TSV）MOCVD（Prismo D-lue）MOCVD（Prismo A7）一、半导体设备领先厂商，聚焦刻蚀/镀膜两

13、大环节部资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展资料来源：麦肯锡，中信建投证券研究发展部1.2 专注刻蚀/镀膜两大环节IC设备，获国内外诸多知名厂商认可中微产品线细分看：（1）刻蚀设备，包括电容性等离子刻蚀（CCP）、电感性等离子刻蚀（ICP），TSV刻蚀。 国内同行包括北方华创，国际厂商包括应用材料（AMAT）、泛林（Lam Research）、东京电子（TEL）;（2）镀 膜设备，主要为MOCVD，国内同行包括中晟光电等，国际厂商包括美国Veeco和德国AIXTRON。半导体设备作为整个半导体产业的上游核心，年市场规模约在600亿美金，支撑着下游3000多亿美金芯片市场， 继而对手机、电

14、脑、家电等万亿美元级终端市场，对软件、互联网、电子商务、传媒、大数据等几十万亿美金 市场有着至关重要影响。中微半导体具体产品及同业厂商国际主要产商国内主要产商半导体设备对整个信息产业至关重要时间奖项授予方2018年、2017年2016年、2017年中国半导体 设备行业五强企业中国半导体行业协会2013年、2018年第15届、第20届中国国际工业 博览会银奖中国国际工业博览会组委会2014年第16届中国国际工业博览会金奖中国国际工业博览会组委会2017年2017年突出贡献奖全国半导体设备和材料标准 化技术委员会2010、2011、2015年上海市科技进步一等、二等、 二等奖上海市人民政府2013

15、年中国专利金奖国家知识产权局2011年-2017年上海市浦东新区科技进步一等 奖（四次）、二等奖（一次）上海市浦东新区人民政府2012年国家战略性创新产品国家科技部2013年2012年优秀项目团队奖国家科技重大专项实施管理 办公室一、半导体设备领先厂商，聚焦刻蚀/镀膜两大环节资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展部资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展部1.2 专注刻蚀/镀膜两大环节IC设备，获国内外诸多知名厂商认可公司是国内领先的半导体设备厂商，获得69项知名奖项，其中包括中国国际工业博览会多次银奖/金奖，国家知 识产权局专利金奖、科技部国家战略创新产品、半导体协会全国半导体设备前五

16、强、上海市科技进步一等奖等。中微公司在 2018年度 VLSI Research“客户满意度”调查中位居全球半导体设备公司的第三名，在刻蚀和清洗 设备供应商排中位列二，在全球薄膜沉积备供应商排名第一。体现了公司产品在全球市场竞争力和客户满意度。中微半导体获得国内多次重大奖项中微半导体产品的口碑得到国际协会认可40%50%60%70%80%90%2016年2017年2018年前五大客户的销售占比LED刻蚀设备IC华灿光电璨扬光电三安光电乾照光电长江储存华虹宏力中芯国际联华电子 台积电 SK 海力士格罗方德中微半导体MOCVD设备华力微电子博世晶方科技华邦电子一、半导体设备领先厂商，聚焦刻蚀/镀膜

17、两大环节部资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展部1.2 专注刻蚀/镀膜两大环节IC设备，获国内外诸多知名厂商认可公司刻蚀设备涵盖IC制造厂商和封测厂商，包括台积电、中芯国际、联华电子、华力微电子、海力士、长江存 储、华邦电子、晶方科技、格罗方德、博世、意法半导体 。公司MOCVD设备包括三安光电、璨扬光电、华灿光电、乾照光电等LED外延厂商和功率器件厂商。公司前五大客户销售占比从16年的85.74 ，下降到18年的60.55 ，对前五大客户依赖逐渐降低，客户群体扩大。 18年前五大客户包括乾照光电、三安光电、长江存储、海外客户（台积电、联电、海力

18、士等）、华力微电子。中微半导体下游主要客户公司对前五大客户销售依赖降低6.19.7216.390.30.91-200%-100%0%100%200%-505101520-2.3920162017营业收入（亿元）营业收入YoY（右轴）2018净利润（亿元）净利润YoY（右轴）2016-2018年中微半导体营收和净利润情况470362889656561155853032832062106530%10%20%30%50%40%60%70%80%90%100%01000020000300004000050000600007000080000900002017年2016年刻蚀设备营收 其他设备营收MOC

19、VD设备营收占比（右轴）2018年MOCVD设备营收刻蚀设备营收占比（右轴）其他设备营收占比中微半导体营收拆分（单位；万元人民币）一、半导体设备领先厂商，聚焦刻蚀/镀膜两大环节资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展部资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展部1.3 公司营收与利润增长明显，大力投入研发提升技术水平公司营收和净利润增长明显，2016年、2017年、2018年分别为6.10亿元、9.72亿元、16.39亿元，对应2017年增 速59.45 、2018年增速68.66 ；归母净利润分别为-2.39亿元、0.3亿元、0.91亿元，对应2017年扭亏，2018年 增速203.3 。

20、细分看，刻蚀设备16-18年营收分别为4.7亿、2.9亿、5.6亿元，MOCVD设备在16-18年营收分别为0.16亿、5.3亿、 8.3亿元，MOCVD占营收比例提升明显，从16年的3 提升至17-18年的64 -60 ，而刻蚀设备占比则从16年的96 降 至17-18年的35 -40 。中微半导体毛利率与净利率-30%-20%-10%0%10%20%30%40%50%201620172018率（%）中微半导体各业务毛利率分析43.13%47.52%33.82%38.13%26.33%40.06%39.15% 38.37%37.28%58.25%58.23%65.16%20%30%40%50

21、%60%70%20162017刻蚀设备MOCVD备品备件2018设备维护一、半导体设备领先厂商，聚焦刻蚀/镀膜两大环节毛利率（%）净利资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展部资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展部1.3 公司营收与利润增长明显，大力投入研发提升技术水平16年-18年，整体毛利率分别为 42.52 、38.59 和 35.50 ，17年整体毛利率同比下降3.93个百分点，主要系刻 蚀设备毛利率降低所致；18年整体毛利率同比下降3.09个百分点，主要系MOCVD设备毛利率下降所致。16-18年， 净利率分别为-39.2 、3.08 、5.54 ，受益于三费占营收比例下降，

22、带动盈利水平提升。17年刻蚀设备毛利率降低，主要因为（1）当年销售规模处于低谷；（2）为积累先进工艺经验，增加客户粘性， 公司对部分客户使用略低于预期情况进行补偿。17年MOCVD毛利率提升明显，主要因为推出第二代Prismo A7， 技术含量提升带动价格提升；18年毛利率下降主要为扩大市场份额采取的策略性降价。-3%1%5%9%13%17%21%25%201620172018财务费用占营收比例中微半导体费用占营收比例情况0%10%20%30%40%50%010,00020,00030,00040,00050,00020172016研发投入（万元）2018研发投入占比（%）-右轴中微半导体研发

23、投入及占比一、半导体设备领先厂商，聚焦刻蚀/镀膜两大环节销售费用占营收比例管理支出占营收比例资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展部资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展部公司营收与利润增长明显，大力投入研发提升技术水平公司16年-18年，销售费用占比从21.71 逐年下降至13.21 ；管理费用占比稳中微降，从9.38 降至7.96 ；而财务费用占比整体较小，维持在0.4 -1.8 区间。身处技术壁垒较高的半导体设备行业，公司持续保持高研发投入，报告期内公司累计研发投入10.37 亿元， 约占营业收入的 32 。单年研发投入从16年的3.02亿元，增长至18年的4.04亿元。随着营收

24、规模在17-18年 的快速增长，研发投入占营收比例从50 降至25 ，但仍然保持相对较高水平。中微半导体研发投入具体结构分析0%5%10%15%20%25%0501001502002503003502016研发费用2017开发支出政府补助冲减2018合计增速0%10%20%30%40%50%201620172018中微半导体研发占比与同业A股上市公司对比一、半导体设备领先厂商，聚焦刻蚀/镀膜两大环节部资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展北方华创中微半导体资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展部公司营收与利润增长明显，大力投入研发提升技术水平2016年，公司研发投入全额在研发费用科目列

25、示；2017年-2018年，公司政府补助采用净额法核算，各期末公 司以政府研发补助冲减相应研发投入；同时，公司将满足资本化条件的研发投入计入开发支出。根据项目研发进展，研发投入资本化金额，在2016年-2018年分别为0、1.62亿、1.92亿元；政府补助冲减在 2016-2018年分别为1.12亿（包含在研发费用里面）、1.12亿、0.93亿元。对标国内上市公司北方华创，中微与其在研发投入比例基本持平，略有高低，2018年均保持在25 -27 左右。目录半导体设备领先厂商，聚焦刻蚀/镀膜两大环节1刻蚀和MOCVD行业迎增量，国产替代空间巨大2深耕介质和TSV刻蚀领域，MOCVD彰显实力3募投

26、拟扩产升级高端设备，布局先进制程设备研发4盈利预测与估值情况5510490680740 740820920 9201010128049425879881031171341301932380%2%4%6%8%10%12%1550 14%16%020040060080010001200140016002008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018美元）自给率（右轴）-10%0%10%20%30%40%50%60%0100200300400500600700201320142015全球半导体设备销售（亿美元） 全球半导体设备增速-右轴20

27、1620172018E大陆半导体设备销售（亿美元） 大陆半导体设备增速-右轴二、刻蚀和MOCVD行业迎增量，国产替代空间巨大2.1 国内集成电路及设备市场高速增长，国产替代需求旺盛2018年国内集成电路市场规模约1550亿美金，2013-2018年复合增速达13.6 。其中国产IC产品规模2018年仅 238亿美金，对应2013-2018年复合增速约18.2 。国内IC市场整体自给率逐年提升，已经从2011年10.7 增长至 2018年的15.4 ，整体仍偏低，有待进一步提升。单看半导体设备，2018年全球销售规模在621亿美金，2013-2018年复合增速约14.3 ；大陆销售规模在128亿

28、美 金，大陆对设备需求占全球比例约20.6 ，2013-2018年复合增速约30.4 ，约是全球半导体设备增速2倍多。中国集成电路市场规模及国产化率全球及大陆半导体设备销售额及增速中国IC市场规模（亿美元）国产IC规模（亿资料来源：IC Insights，中信建投证券研究发展部资料来源：SEMI，中信建投证券研究发展部0%10%20%30%40%50%60%020406080100120201320142015201620172018E国产半导体装备产业销售额（亿元）销售增速-右轴自给率-右轴0%10%20%30%40%50%60%0204060801001201402013201420152

29、01620172018E销售额年增速大陆半导体设备市场销售额及增速国产半导体设备销售额及设备自给率大陆半导体设备市场销售额（亿美金）资料来源：SEMI，中信建投证券研究发展部资料来源：中国电子专用设备协会，中信建投证券研究发展部2.1 国内集成电路及设备市场高速增长，国产替代需求旺盛大陆半导体产业加速发展，相关半导体设备市场销售额从2015年开始加速增长。2018年，国内集成电路和设备 市场规模增速分别为23.3 、56.1 ，高于全球整体增长水平，是全球半导体设备市场的增长动力之一。根据现 有规划，未来三年大陆将要新建26条晶圆线，继续带动大陆半导体设备需求。国内半导体设备企业销售额近几年持

30、续增长，截止2018年已经达到109亿人民币规模，2013-2018年复合增速约29.4 ，略低于中国半导体设备市场销售额复合增速的30.4 。半导体设备自给率整体略有提升，约在13 -16 ， 与整个IC产业自给率基本持平。二、刻蚀和MOCVD行业迎增量，国产替代空间巨大0%5%10%20%25%30%04080120160中国欧洲日本韩国全球半导体设备需求（单位：亿美金）北美中国台湾其他全球半导体设备需求各地区占比2017年设备 国产化率16%10%12%14%16%18%20%22%24%010020015%300400500600201620172015中国大陆北美欧洲其他地区2018

31、E日本台湾2019E韩国大陆占比资料来源：SEMI，中信建投证券研究发展部资料来源：SEMI，中信建投证券研究发展部2.1 国内集成电路及设备市场高速增长，国产替代需求旺盛2017年大陆半导体设备需求约82亿美金，其中国产化率仅16 ，大陆成为全球第三大半导体设备需求地区，占比约14 ，低于韩国的32 和台湾的20 。2018年，大陆半导体设备需求占全球比例则增加至20 ，2019年有望超过韩国，成为全球半导体设备最大需求 地区，规模占全球比例约27 ，高于韩国的25 和台湾的17 。未来三年，不管是大陆半导体设备需求空间增长还是自给率提升，都将给本土设备厂商带来巨大配套机会。中国半导体设备需

32、求全球占比情况全球各地区半导体设备市场规模（亿美金）70026%20035%二、刻蚀和MOCVD行业迎增量，国产替代空间巨大42%15%7%6%8%16%6%0%5%10%15%20%35%30%25%40%45%中国大陆中国台湾日本韩国东南亚美洲欧洲及其他光刻机/光刻 胶处理, 23%薄膜沉积设 备, 18%CMP/表面处理/清洁, 13%检测设备, 13%其他沉积设 备, 9%刻蚀设备, 24%资料来源：SEMI，中信建投证券研究发展部资料来源：SEMI，中信建投证券研究发展部国内集成电路及设备市场高速增长，国产替代需求旺盛目前各地方政府总投资约5100亿元，加上大基金一期1400亿，合计

33、约5500亿元，支持各地集成电路产业发展。 根据现有规划，2017-2020年全球共新建62条晶圆线，其中26条位于中国地区，17-20 年分别对应6/13/6/1条 新线，合计占比约42 。晶圆制造设备中，光刻/刻蚀/镀膜等环节价值占比较高，分别为23 、24 、18 ，高于离子注入/CMP等环节。考虑市场空间及技术成熟度，刻蚀/镀膜环节国内厂商替代潜力较大，国内刻蚀设备龙头、中微半导体等厂商 有望实现份额提升。2017-2020年全球合计新增晶圆产线各地区占比刻蚀/镀膜设备占据IC晶圆制造设备比例二、刻蚀和MOCVD行业迎增量，国产替代空间巨大0204060801001202019E202

34、0E2017E2018E介质刻蚀硅刻蚀金属刻蚀化合物半导体刻蚀2021E电子束刻蚀020040060080010001200140016002017E2018E功率/MEMMS/CIS/特色工艺 非本土代工企业2019E2020E2021E本土代工企业 本土存储企业新建晶圆线设备总投资（亿元）2017-2021年大陆各新建晶圆线投资情况（亿元）大陆新建晶圆线带动刻蚀设备需求情况（亿元）非本土存储企业大陆资料来源：中信建投证券研究发展部预测资料来源：中信建投证券研究发展部预测2.1 国内集成电路及设备市场高速增长，国产替代需求旺盛根据规划，中国地区新增的fab线，总投资超1万亿元，满产后产能较目

35、前产能提升约3倍。其中，存储是新线 重点，投资占比高达67 ，晶圆代工占比26 。其中本土存储企业为53 ，非本土存储企业为14 ，而本土代工企 业投资占比为15 ，非本土代工企业占比11 。根据建设进度调整设备订单释放时间，对应2017-2021 年每年设备需求为769、1498、1451、1477、1135 亿元。刻蚀设备中介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀、电子束刻蚀对应增量为486 亿/466 亿/41 亿/10 亿。二、刻蚀和MOCVD行业迎增量，国产替代空间巨大刻蚀和CVD设备在晶圆产线中价值占比提升资料来源：SEMI，中信建投证券研究发展部2.2 先进制程及芯片微缩带动设备需求，刻蚀和C

36、VD行业迎增量随着集成电路制造线宽不断缩小、芯片结构 3D化，互连层数增多，带动刻蚀和镀膜需求增多，从2013年之后， 刻蚀设备和CVD设备在产线中价值占比显著提升。目前，全球刻蚀设备市场以介质刻蚀和硅刻蚀为主，分别占比合约47 ，47 ，而金属刻蚀仅3 ，这与2010年后， 整个集成电路工艺从铝互连（刻蚀铝金属）转向铜互联（刻蚀介质）有关，导致金属刻蚀与介质刻蚀此消彼长。47%48%2017年全球刻蚀设备市场份额3% 2%硅刻蚀介质刻蚀金属刻蚀其他资料来源：行业资料，中信建投证券研究发展部二、刻蚀和MOCVD行业迎增量，国产替代空间巨大8001000120014001600180020000

37、2040608010012014016018065nm45nm28nm20nm14nm10nm7nm5nm全工艺步骤（右轴）020406080100120140160随着逻辑芯片制程进一步缩小刻蚀步骤增多2016-2025年全球刻蚀机设备市场规模（亿美金）逻辑芯片制程所需刻蚀步骤（左轴）资料来源：半导体观察，中信建投证券研究发展部20162025E全球刻蚀机市场规模（亿美金）资料来源：The information network，中信建投证券研究发展部2.2 先进制程及芯片微缩带动设备需求，刻蚀和CVD行业迎增量受限于193纳米的浸没式光刻机限制，晶圆制造向7纳米、5纳米以及更先进的工艺发展

38、，除了采用昂贵的EUV光 刻机之外，14纳米及以下的芯片制造很多都通过多重模板效应来实现制程微缩，刻蚀和镀膜加工步骤增多。10纳米制程是关键节点，相较于14纳米，其刻蚀步骤为115步，增加77 ，到5纳米制程刻蚀步骤将是14纳米的 2.5倍及以上。全球刻蚀设备市场规模目前约80亿美金，2025年有望增至140亿美金左右，年复合增长率为6.6 ， 行业规模稳健增长。二、刻蚀和MOCVD行业迎增量，国产替代空间巨大8%24%11%13%38%15%53%17%19%2%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%100%55%20%19%6%泛林半导体东京电子应用材料其他投证券研究发

39、展部资料来源：The information network，中信建企业A企业B泛林半导体中微公司东京电子应用材料其他资料来源：中国国际招标网，中信建投证券研究发展部2.2 先进制程及芯片微缩带动设备需求，刻蚀和CVD行业迎增量全球范围看，刻蚀设备市场呈现三家独大局面，泛林半导体占据半壁江山，市场份额约55 ，东京电子其次， 市占率约20 ，应用材料与东京电子相当，市占率约19 。大陆刻蚀设备厂商在本土晶圆厂的新建产线上具备性价比、服务、响应速度等优势，突破较国外市场更快。根据国内两家存储芯片制造企业的招标情况看，从中微采购的刻蚀机台数占整体刻蚀机台采购比例约15-17 ，逼近东京电子和应用材

40、料，进步明显。2017年全球刻蚀设备市场份额国内两家存储芯片制造企业采购刻蚀设备机台数占比二、刻蚀和MOCVD行业迎增量，国产替代空间巨大0%5%10%15%20%25%05001,0001,5002,0002,500201320142015201620172018E中国MOCVD设备保有量（台）保有量增速-右轴0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%20162017国欧洲2018日本中国大陆中国台湾韩国美资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展部资料来源：高工LED，中信建投证券研究发展部2.2 先进制程及芯片微缩带动设备需求，刻蚀和CVD行业迎增量中国大陆是全球

41、LED芯片第一大产区，规模占全球比例从2016年的47 ，提升至2108年的69 ，远高于排名第二 的台湾地区15 ，和第三的韩国5 。三安光电、华灿光电、乾照光电、聚灿光电等诸多本土企业在LED外延领域具备相当竞争力，技术、实力和地 位相较集成电路领域更优。中国MOCVD设备保有量近五年保持持续增长，截止2018年，中国MOCVD设备保有量为1938台，全球第一。全球各地区LED芯片产业规模占比中国MOCVD设备保有量持续增长二、刻蚀和MOCVD行业迎增量，国产替代空间巨大0%50%100%150%200%250%300% 350%400%010020030020182019E2020E20

42、21E2022ELED市场规模YoY0%100%200%300%400%500%600%700%800%900%0100200300400500600700Mini LED市场规模（亿元）Mini资料来源：高工LED，中信建投证券研究发展部2019E2020E2021E2022E2023E2024EMicro LED市场规模（亿元）Micro LED市场规模YoY资料来源：高工LED，中信建投证券研究发展部2.2 先进制程及芯片微缩带动设备需求，刻蚀和CVD行业迎增量LED行业除了普通LED芯片外，红黄光LED、VCSEL激光器、深紫外LED 以及 Mini LED、Micro LED、氮化镓

43、基射 频/功率器件（5G/汽车电子）等诸多应用市场正在打开，原有蓝光LED芯片（普通LED）形成的市场空间正在扩 容，带动MOCVD设备市场需求增长。Mini/Micro LED在背光源/显示方面潜力巨大，性能优势明显，苹果、三星、LG、索尼等正布局发展。预计2022年，Mini/Micro LED两者合计行业规模在600亿元左右，2019-2022年复合增速分别为112 、326 。Mini LED市场规模预测及增速Micro LED市场规模预测及增速400450%8001000%二、刻蚀和MOCVD行业迎增量，国产替代空间巨大展部资料来源：行业资料，中信建投证券研究发2.3 持续升级刻蚀及

44、MOCVD产品，体量成长空间巨大长江存储与华力微二期设备招标结果显示，大陆企业中标了薄膜沉积（北方华创）、刻蚀（北方华创/中微）、 氧化扩散（北方华创/屹唐）、清洗（盛美/北方华创）、CMP（华海清科）等工艺环节。在薄膜沉积、刻蚀、清 洗、氧化扩散、涂布显影去胶等环节，本土设备厂商已具备进入先进制程产线的量产能力。刻蚀方面中微半导体覆盖介质刻蚀/硅刻蚀，镀膜环节MOCVD；而北方华创刻蚀方面实现硅/金属/介质刻蚀全覆 盖，以及镀膜环节的PVD、LPCVD、PECVD、ALD等设备。此外北方华创还覆盖氧化扩散、清洗设备等环节，产品 线更为全面。值得注意的是：中微半导体拳头产品为介质刻蚀（CCP）

45、,而北方华创主要产品为硅刻蚀和金属刻蚀（ICP）。国内主要半导体设备厂商业务覆盖IC环节情况二、刻蚀和MOCVD行业迎增量，国产替代空间巨大研究内容成果完成进度完成时间经济利益产生方式当期资本化金额（万元）累计资本化金额（万元）资本化起始时点14-7纳米CCP介质刻蚀机 研发及产业化已获授权专利7项； 申请中专利69项实施中根据技术开 发进度推 进，预计在2019年及以 后年度完成产品销售（预计）8,962.4015,919.492017年1月14-7纳米ICP介质刻蚀机 研发及产业化已获授权专利13项； 申请中专利27项5,512.288,753.272017年1月高端MEMS等离子体刻蚀

46、设备研发及产业化已获授权专利3项； 申请中专利5项1,166.412,775.982017年1月高温MOCVD设备已获授权专利11项； 申请中专利6项2,089.612,959.632017年11月国产化加热系统在MOCVD设备上推广应用已获授权专利5项； 申请中专利1项1,307.432,030.212017年1月新型高产能MOCVD设备 研发已获授权专利22项； 申请中专利5项完成2018年8月产品销售197.252,503.302017年1月高端MOCVD设备研发已获授权专利11项；完成2018年8月产品销售14.4465.992017年1月究发展部申请中专利1项资料来源：招股说明书，中

47、信建投证券研2.3 持续升级刻蚀及MOCVD产品，体量成长空间巨大产品升级方面，根据研发资本化情况来看，已取得一定成果。其中，针对下一代高产能蓝绿光的新型高产能 MOCVD设备，针对UV LED和硅基氮化镓功率器件的高温MOCVD设备，均已初步研制完成。7-14纳米的CCP/ICP刻蚀、高端MEMS刻蚀也都在研发过程中，取得阶段性成果，预计在2019年及以后完成。此次科创板募投项目中也包含了针对这些刻蚀和MOCVD项目的扩产、升级和研发。中微半导体研发项目进展情况（研发费用资本化项目）二、刻蚀和MOCVD行业迎增量，国产替代空间巨大35302520151050-52016应用材料2018维易科

48、-80%-60%-40%-20%0%20%40%20162018维易科应用材料 爱思强泛林半导体 北方华创2017东京电子 中微公司2017泛林半导体东京电子 公司部爱思强北方华创中微资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展部2.3 持续升级刻蚀及MOCVD产品，体量成长空间巨大与同行业半导体设备公司对比，国内中微半导体、北方华创的净利润规模相对偏小，远低于应用材料、泛林半 导体和东京电子，体量和盈利提升空间巨大。以2018年为例，应用材料、泛林、维易科、爱思强、北方华创、中微半导体的净利润分别为33.1亿、23.4亿、- 4.1亿、0.52亿、0.

49、41亿、0.13亿美金，净利润率分别为25.7 、21.5 、-75.1 、17.3 、8.5 、5.4 。半导体设备行业作为高投入、技术/资金/客户壁垒极高的行业，强者恒强的属性在营收规模、市占率、盈利水平上均有体现。中微半导体与同业公司净利润对比（亿美金）中微半导体与同业公司净利率对比二、刻蚀和MOCVD行业迎增量，国产替代空间巨大目录半导体设备领先厂商，聚焦刻蚀/镀膜两大环节1刻蚀和MOCVD行业迎增量，国产替代空间巨大2深耕介质和TSV刻蚀领域，MOCVD彰显实力3募投拟扩产升级高端设备，布局先进制程设备研发4盈利预测与估值情况577.17%29.74%34.51%2.56%54.58

50、%50.77%19.02%13.87%13.83%0.91%1.13%0.88%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%2016刻蚀设备MOCVD2017备品备件2018设备维护78.3%29.6%46.2%2.0%53.9%37.7%17.9%14.1%14.5%1.25%1.71%1.62%0%10%20%30%40%50%60%70%80%201620172018设备维护3.1 产品线以刻蚀及MOCVD为主，已经具备竞争力具体业务细分看，公司产品主要为刻蚀设备、MOCVD两大类，相应的备品备件为第三大业务，设备维护一般属于 配套服务，收入贡献极小。其中，2016-201

51、8年，刻蚀设备营收占比分别为77.2 、29.7 、34.5 ，MOCVD设备营收占比分别为2.6 、54.6 、50.8 ，备品备件营收占比分别为19.0 、13.9 、13.8 ，设备维护营收占比约在1 。2016-2017年，刻蚀设备、MOCVD、备品备件、设备维护的毛利润占比与营收占比基本一致。但2018年，刻蚀设 备与MOCVD设备营收占比与毛利润占比差异较大，主要与当年MOCVD毛利率下降，刻蚀毛利率上升有关。中微半导体各业务营收占比中微半导体各业务毛利润占比资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展部专用设备刻蚀设备专用设备MOCVD备品备件资料来源：招股说明书，中信建投证券研究

52、发展部三、深耕介质和TSV刻蚀领域，MOCVD彰显实力AMAT0.5%TEL52.4%Lam40.1%SEMES3.1%中微2.5%Mattson 1.4%Lam47.7%TEL 26.6%AMAT18.7%Hitachi SEMES Mattson 3.7%1.9%0.8%中微0.6%2017年全球介质刻蚀设备市场厂商份额2017年全球干法刻蚀设备市场厂商份额发展部资料来源：行业资料，中信建投证券研究资料来源：行业资料，中信建投证券研究发展部三、深耕介质和TSV刻蚀领域，MOCVD彰显实力3.1 产品线以刻蚀及MOCVD为主，已经具备竞争力公司刻蚀设备包括电容等离子刻蚀，电感等离子刻蚀，TS

53、V刻蚀三大类。其中介质刻蚀是公司优势领域，主要采 用电容等离子刻蚀（CCP），其2017年全球市占率为2.5 ，18年预计在5 左右。介质刻蚀设备领域全球巨头为东京电子，17年市占率52.4 ，泛林位居第二，17年市占率为40.1 ，两家独大。整个干法刻蚀设备市场来看，2017年泛林市占率为47.7 ，位居第一，东京电子为26.6 ，位居第二，应用材料为18.7 ，位居第三。2017年中微半导体刻蚀业务整体市占率约0.6 。0%20%40%60%80%100%Wafer bonding TB & DebondDRIECVDPVDECSPTSLAMOthersEVGTELSUSS Microte

54、cAMATAM资料来源：Yole，中信建投证券研究发展部三、深耕介质和TSV刻蚀领域，MOCVD彰显实力0%20%40%60%80%100%2005201020162017AixtronVeeco中微资料来源：2017年集成电路制造年会，中信建投证券研究发展部3.1 产品线以刻蚀及MOCVD为主，已经具备竞争力中微半导体的TSV刻蚀设备在3年内已出货100多个反应台，在MEMS和CIS加工上超过每月10万片晶圆。国内市占 率约在58 +，可用于8寸和12寸产线。2016年中微TSV刻蚀设备全球市占率约24 ，低于泛林的40 ，高于AMAT和 英国SPTS，上升趋势有望持续。国内MOCVD市场，

55、中微2017年市占率约80 ，Veeco约20 ，成为17年国内LED芯片扩产厂商如三安、华灿、聚灿等 独家供应商，占据市场主要份额，打破了之前Veeco和Aixtron两家外企垄断局面。18年中微MOCVD全球市占率约 41 。尤其是18H2,公司MOCVD设备全球市占率高达60 。2016年全球3D TSV设备市场份额占比国内MOCVD设备市场份额情况36.3820.508.3211.80%17.00%56.90%36.00%44.00%37.70%0%10%20%30%40%50%60%4035302520151050Veeco18年营收（亿元）AIXTRON营收增速（%）-右轴中微半导

56、体毛利率（%）-（右轴）01020304050过去主流目前主流正在开发主流MOCVD设备反应腔加工能力（单位：4英寸片）公司目前正在开发42片MOCVD机型中微半导体MOCVD业务的同业对比部资料来源：招股说明书，中中信建投证券研究发展资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展部三、深耕介质和TSV刻蚀领域，MOCVD彰显实力3.1 产品线以刻蚀及MOCVD为主，已经具备竞争力大尺寸衬底外延，大反应腔室是MOCVD设备厂商的努力方向，增加规模效应，降低成本。目前行业主流MOCVD设 备反应腔的加工能力为折合34片4英寸外延片，41片4英寸外延片超大反应器正在开发中。公司MOCVD产品包括第一代

57、Prismo D-Blue，第二代Prismo A7，分别对应14片、34片4寸片单台产能，业内领先。公司MOCVD业务18年营收8.3亿元，增速为57 ，毛利率为38 ，营收和毛利率逐步逼近同业国际MOCVD厂商AIXTRON和Veeco。（注：AIXTRON和Veeco营收包括MOCVD业务及其他业务营收）755056337160%62%64%66%68%70%76%10090807060504030201002016年度2017年度2018年度刻蚀设备产量（腔）刻蚀设备销量（腔）产销率610613635710640%45%50%55%60%65%70%75%80%020406080100

58、72% 12074% 1401602016年度MOCVD设备产量（腔）2017年度2018年度MOCVD设备销量（腔）产销率公司刻蚀设备产量与销量情况95资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展部资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展部三、深耕介质和TSV刻蚀领域，MOCVD彰显实力公司MOCVD设备产量与销量情况3.2 刻蚀设备与MOCVD设备经营情况分析报告期内，公司刻蚀设备的产量、销量合计分别为 220 腔、160 腔。其中以介质和TSV刻蚀为主，电感深硅刻蚀累计产量14腔、10腔体，占比仍然较低。MOCVD的产量、销量合计分别为 248 腔、166 腔。报告期内，公司刻蚀设备和

59、MOCVD产品主要采用以销定产模式，产量总体高于销量主要源于大部分机台发出后 需数月调试和验收后方可确认收入，差值为部分已交付未验收的设备,确认为发出商品。-41.07%115.15%4.25%-9.02%-100%-50%0%50%100%150%2017年2018年刻蚀设备销售数量变动比例刻蚀设备销售单价变动比例85.96%79.20%-15.62%-500%0%500%1000%1500%2000%2017年2018年资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展部MOCVD销售数量变动比例MOCVD销售单价变动比例资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展部三、深耕介质和TSV刻蚀领域，M

60、OCVD彰显实力公司刻蚀设备销量与价格变动公司MOCVD设备销量与价格变动1800.00%3.2 刻蚀设备与MOCVD设备经营情况分析17年刻蚀设备销量较低主要是受当年下游大客户设备支出缩减影响，公司大客户本土厂商较多，17年国内厂商 扩产节奏有所放缓，18年大陆IC制造资本开支又恢复增长。MOCVD设备在公司17年度成功推出 Prismo A7后，迅 速占领国内市场，MOCVD设备销量迅速攀升。价格上，刻蚀设备单价在18年下降明显，主要系公司 Primo SSC AD-RIE型号刻蚀设备销售提升，而该型号是 单腔单反应台，较其它单腔多反应台设备售价相对较低所致。MOCVD设备单价在17年较高