单晶硅棒及太阳能板生产线项目可行性研究报告

1、PAGE PAGE 56目 录第一章 总论1一、项目概述1二、项目目主要技技术经济济指标2三、可行行性研究究依据3四、可行行性研究究范围3五、建设设单位概概况4六、可行行性研究究结论5第二章 项目目建设的的背景和和必要性性6一、项目目建设的的背景6二、项目目建设的的必要性性7三、项目目建设的的可行性性8第三章 产品品属性和和市场需需求预测测100一、产品品性质和和功能分分析100二、市场场需求分分析和预预测155三、企业业市场竞竞争态势势分析200第四章 建设设条件分分析和场场址选择择222一、建设设项目条条件分析析222二、项目目选址方方案266第五章 建设设内容和和规模及及产品方方案288

2、一、建设设方案的的依据和和原则288二、项目目一期工工程主要要建设内内容299三、一期期工程产产品方案案311第六章 项目目工程技技术方案案333一、土建建工程方方案选择择333二、设备备安装工工程技术术方案344三、项目目主要技技术工序序和工艺艺路线355四、总图图布置方方案366五、公用用工程和和辅助工工程399第七章 环保保、消防防、劳动动安全卫卫生411一、设计计依据和和规范411二、环境境保护和和消防411三、安全全卫生433第八章 项目目节能与与节水444一、编制制依据444二、节能能方案设设计采用用的具体体标准444第九章 项目目的组织织管理和和实施进进度477一、项目目的组织织

3、管理477二、项目目工程的的质量管管理499三、项目目建设管管理机构构500四、劳动动定员与与人员培培训500五、项目目实施进进度安排排511第十章 投资资估算与与资金筹筹措533一、投资资估算533二、资金金筹措566第十一章章 财财务评价价577一、编制制依据577二、收入入测算577三、销售售税金及及附加577四、销售售成本588五、销售售利润599六、财务务评价静静态指标标599七、财务务评价动动态指标标600八、财务务评价结结论611第十二章章 工工程招标标管理622一、编制制依据622二、概述述622三、发包包方式622四、指标标组织形形式644五、招标标方式644第十三章章 结结

4、论与建建议677一、推荐荐方案的的总体描描述677二、研究究结论677三、建议议688附件69一、附表表二、附文文三、附图图第一章 总 论论一、项目目概述1、项目目名称：单晶硅硅棒及太太阳能板板生产线线项目 2、建建设单位位：安徽徽中科太太阳能有有限公司司3、法人人代表：张勇4、建设设内容和和规模：（1）建建设内容容：项目分三三期建设设，本可可行性研研究报告告重点研研究一期期工程。项目占占地1000亩；建设厂厂房4幢幢，建筑筑面积4400000平方方米；配配套建设设公辅工工程；购购置设备备62台台/套。其中一期期工程建建设内容容如下：建设厂厂房1幢；建建筑面积积100000平平方米。 购置设设

5、备500台/套套；配套建建设水、电、气气等公用用和辅助助工程；征用土土地1000亩。（2）建建设规模模：一期工程程实现年年产各种种规格型型号的单单晶硅棒棒3500吨。5、投资资估算和和资金筹筹措（1）投投资估算算：项目目三期建建设总投投资估算算为3.5亿元元。其中：设设备购置置费2009000万元，其余为为土建工工程和工工程其他他费用。一期工程程总投资资估算为为80000万元元：其中中固定资资产投资资68330万元元，建设设期利息息30万万元；流流动资金金11440万元元。在固定资资产投资资额中，土建投投资（含含安装工工程）9995万万元；工工程其他他费用3315万万元；基基本预备备费200万

6、元。（2）一一期工程程资金筹筹措方案案：企业自自筹70000万万元，占占总投资资的877.5%。申请开开发银行行贷款110000万元，占总投投资的112.55%； 6、建设设地址：安徽省省来安县县工业园园区7、建设设性质：新建8、建设设工期：8个月月二、项目目主要技技术经济济指标年产3000吨太太阳能级级单晶硅硅棒项目目主要技技术经济济指标表表序号项目名称称计量单位设计预算算序号项目名称称计量单位位设计预算1项目总投投资万元800007税后利润润万元24122其中：设设备投资资万元550008利税总额额万元36000土建投资资万元9959年销售收收入万元6900002资金来源源：企业自筹筹万元

7、7000010BEP%58.33申请银行行贷款万元1000011IRR(税后)%11.773职工人数数人6012NPV（IC=15%）万元57499.44综合折旧旧年限年3413动态投资资回收期期年4.15投资利润润率%30.11514静态投资资回收期期年4.0336投资利税税率%4515建设工期期月8三、可行行性研究究依据1、法律律法规中华人人民共和和国环境境保护法法19989；中华人人民共和和国城市市规划法法19990；2、有关关政策性性依据文文件国家发展展计划委委员会计计办投资资2000215号号投资资项目可可行性研研究指南南；国家计委委建设设项目经经济评价价方法与与参数（第二二版）；国

8、家发展展和改革革委员会会第400号令产业结结构调整整指导目目录（220055年本）；滁州市市国民经经济和社社会发展展十一五五规划纲纲要；来安县县国民经经济和社社会发展展十一五五规划纲纲要；3、业主主的委托托书及其其提供的的有关资资料；4、安徽徽来安工工业园总总体规划划及规划划文件；5、相关关的行业业规范和和标准。四、可行行性研究究范围本可行性性研究报报告通过过对安徽徽中科太太阳能有有限公司司年产3350吨吨单晶硅硅棒及太太阳能板板项目建建设背景景、市场场前景、建设规规模、工工程技术术方案、环境保保节能、安全卫卫生以及及招投标标等方面面进行研研究，提提出可行行的方案案，并在在此基础础上对项项目投

9、资资进行估估算及技技术经济济分析。主要包包括以下下几方面面：1、项目目建设的的背景及及必要性性2、项目目建设条条件及可可行性分分析3、项目目建设内内容、规规模和工工程技术术方案4、投资资估算和和资金筹筹措5、项目目财务评评价五、建设设单位概概况1、项目目法人简简介安徽中科科太阳能能有限公公司是由由张勇、周平、吴宏银银三个自自然人组组建的股股份制企企业，注注册资金金20000万元元人民币币。其股股权结构构为张勇勇50%、周平平45%、吴宏宏银5%。2、法人人代表简简介张勇，出出生年月月：19965年年8月。19778年南南京北平平巷小学学毕业；19884年南南京二十十八中毕毕业；119844年1

10、9888年在在上海电电力学校校就读；19889年19995年南南京城南南热电厂厂工作；19996年20000年南南京鸿超超物资有有限公司司 任总总经理；20000年至今江江苏世恒恒交通实实业有限限公司任任董事长长。在鸿超公公司任职职期间，主要从从事物资资流通。主要工工程有：江苏省省人大会会议中心心工程、江苏展展览馆、南京市市地税局局等；南南京市重重合同守守信用企企业；南南京市文文明企业业；南京京市青年年文明称称号等。在江苏世世恒交通通实业有有限公司司主要从从事高速速公路工工程。主主要工程程有：京京福高速速、赣粤粤高速、江西段段叶信高高速河南南段、盐盐通高速速等等，南京市市重合同同守信用用、市文

11、文明企业业、青年年文明号号、优秀秀党支部部等。六、可行行性研究究结论安徽中科科太阳能能有限公公司年产产3500吨单晶晶硅棒项项目符合合国家产产业结构构调整政政策的鼓鼓励类项项目范围围，项目目选定设设备具有有技术先先进性，前瞻性性，成熟熟性；产产品工艺艺方案可可行，具具有广阔阔的销售售市场。项目一一期建设设总投资资80000万元元，项目目建成后后企业可可实现年年产单晶晶硅棒3350吨吨；实现现销售收收入6.9亿元元；年创创利税336000万元，有力地地促进地地方经济济的发展展。同时时能解决决大量人人员就业业，社会会效益显显著。项项目建设设不仅是是必要的的,也是是可行的的。第二章 项项目建设设的背

12、景景和必要要性一、项目目建设的的背景1、中国国信息产产业的快快速发展展，给硅硅材料加加工企业业带来了了难得的的发展机机遇单晶硅是是电子工工业的重重要原材材料，也也是太阳阳能新能能源设备备技术的的重要原原材料。中国半半导体硅硅材料行行业经过过了四十十年的发发展，由由于诸多多因素发发展缓慢慢，截至至20005年多多晶硅的的产量不不足世界界总产量量的5%；单晶晶硅的产产量不足足世界总总产量的的3%。经过多多年的发发展和竞竞争，国国际硅材材料行业业出现了了垄断性性企业，日本、德国和和美国的的六大硅硅片公司司的销售售量占硅硅片总销销售量的的90%以上，其中，信越、SUMMCO、瓦克和和MEMMC四家家的

13、销售售额占世世界硅片片销售额额的700%以上上。目前前，中国国信息产产业总体体规模已已居世界界前列，随着中中国成为为世界电电子信息息产品的的主要生生产国和和主要市市场，硅硅材料的的需求量量将进一一步增长长，硅材材料加工工企业面面临难得得的发展展机遇。2、持续续增长的的经济对对能源政政策提出出新的要要求改革开放放以来，我国经经济快速速增长，成为拉拉动世界界经济增增长的重重要力量量。经济济的发展展对我国国的能源源保障能能力提出出了严竣竣的挑战战。国家家从战略略高度出出发，实实施新的的能源政政策，积积极调整整能源结结构，鼓鼓励开发发使用新新能源。太阳能能等新能能源的开开发利用用必将给给硅工业业的发展

14、展带来光光明的前前途。二、项目目建设的的必要性性1、是满满足国内内硅市场场发展需需要的必必然要求求单晶硅产产品不仅仅是光电电子及信信息产业业的基础础材料也也是太阳阳能板及及光伏电电池的核核心材料料，被广广泛的应应用于计计算机芯芯片（IIC）、能源、航天、电子、微电子子等各个个领域，因此有有着非常常广泛的的产业前前景。随随着煤炭炭、石油油等不可可再生资资源的枯枯竭和能能源消耗耗带来的的环境污污染的加加剧，开开发新能能源已势势在必行行，太阳阳能作为为最干净净、最环环保、最最经济的的新能源源有着巨巨大的发发展潜能能，目前前，日本本、美国国、欧洲洲等发达达国家和和地区对对太阳能能板的需需求每年年都以3

15、30%的的速度递递增，由由此导致致了其上上游作为为原材料料的单晶晶硅棒市市场一路路看涨。太阳能等等新能源源为世界界 211世纪经经济展望望中最具具决定性性影响的的五大技技术领域域之一，而太阳阳能光伏伏发电又又是其中中最受瞩瞩目的项项目之一一。 119944 年，世界太太阳能电电池销售售量已达达 644 兆瓦瓦，呈现现飞速发发展势态态。我国国太阳能能电池销销售已超超过 11.2 兆瓦,累计用用量约 5 兆兆瓦，其其应用范范围亦在在不断扩扩大。近近年来，市场销销售量以以 200 的的速度在在递增， 20000 年我国国太阳电电池年用用量已超超过 110,预预计到220100年我国国太阳能能电池年年

16、用量将将超过1100兆兆瓦。目前，晶体硅硅太阳电电池组件件已出现现供不应应求的短短缺局面面。安徽徽中科太太阳能公公司适应应市场需需求，适适时新上上该项目目，必将将有广阔阔的发展展前景2、是提提高我国国硅加工工技术的的必然要要求我国太太阳电池池应用领领域在不不断扩大大，已涉涉及农业业、牧业业、林业业、交通通运输、通讯、气象、石油管管道、文文化教育育及家庭庭电源等等诸多方方面，光光伏发电电在解决决偏僻边边远无电电地区供供电及许许多殊场场合用电电上已起起到引人人注目的的作用。但从总总体的应应用技术术水平和和规模上上看，与与工业发发达国家家相比有有很大的的差距。一方面面表现在在太阳电电池应用用技术研研

17、究不够够，产业业化进程程缓慢，另一方方面由于于中国半半导体产产业的快快速发展展，拉动动了对抛抛光硅片片需求的的快速增增长，国国内生产产远远无无法满足足市场的的需求，抛光硅硅片需要要大量的的进口。国内88英寸生生产线用用硅片几几乎全部部进口，大部分分的6英英寸硅片片也需要要进口。单晶硅硅产业的的发展对对国外技术术的依赖性较较高，技技术风险险和市场场风险较较大，甚甚至影响响到国家家经济安安全。安徽中科科太阳能能公司，依靠北北京广电电子研究究所的最最新研究究成果，走“产产、学、研”结结合之路路，新上上单晶硅硅和太阳阳能电池池板项目目，必将将对我国国硅材料料加工技技术的提提高起到到积极的的作用，同时也

18、也对加快快科技成成果产业业化具有有重大意意义。三、项目目建设的的可行性性1、该项项目建设设符合国国家产业业政策要要求国家发展展和改革革委员会会第400号令，发布了了产业业结构调调整指导导目录（20005年本本）。该项目目建设符符合第一一类“鼓励类类”第十六六项“轻工”第十三三条“高技术术绿色电电池产品品制造太阳阳能电池池”，第二二十四项项第二十十四条“电子专专用材料料制造”，是国国家鼓励励类项目目。2、符合合滁州市市和来安安县国民民经济和和社会发发展十一一五规划划精神，符合安安徽来安安经济开开发区入入园企业业条件。3、地方方政府的的大力支支持是项项目顺利利实施的的又一保保证。来来安县政政府及有

19、有关部门门、来安安经济开开发区对对该项高高度重视视，全力力支持该该项目的的上马建建设。4、该项项目建设设规模适适中，技技术方案案可行，经济效效益较好好，建设设条件落落实，自自筹资金金到位，投资风风险较小小。因此，从从总体上上看，该该项目是是可行的的。第三章 产产品属性性和市场场需求预预测一、产品品性质和和功能分分析（一）产产品属性性和功能能分析1、单晶晶硅。在在地壳中中，硅的的含量仅仅次于氧氧，居第第二位，占地壳壳总重量量的266.3%。它主主要以二二氧化硅硅的形式式存在，岩石和和砂土中中都含有有大量二二氧化硅硅。元素素硅的原原子结构构和化学学性质与与元素碳碳很相似似，单质质硅是重重要的合合金

20、和半半导体原原料。本世纪550年代代，半导导体应用用的发展展，带动动了单晶晶硅的生生产。单单晶硅是是由许多多硅原子子以金刚刚石晶格格结构排排列成晶晶核长成成晶面取取向相同同的晶粒粒并平行行结合变变成单晶晶硅。超超纯单晶晶硅是最最早使用用的半导导体材料料，其纯纯度可高高达999.9999999999999%，在这这样纯的的单晶硅硅中，每每一万亿亿个原子子中有一一个杂质质原子。硅是地球球上储藏藏最丰富富的材料料之一，从199世纪科科学家们们发现了了晶体硅硅的半导导体特性性后，它它几乎改改变了一一切，甚甚至人类类的思维维。直到到上世纪纪60年年代开始始，硅材材料就取取代了原原有锗材材料。硅硅材料因因

21、其具有有耐高温温和抗辐辐射性能能较好，特别适适宜制作作大功率率器件的的特性而而成为应应用最多多的一种种半导体体材料，目前的的集成电电路半导导体器件件大多数数是用硅硅材料制制造的。单晶硅是是比较活活泼的一一种非金金属元素素，它能能和966种稳定定元素中中的644种元素素形成化化合物。硅的主主要用途途是取决决于它的的半导体体性。硅硅材料是是当前最最重要的的斗导体体材料。目前世世界年产产量约为为31006千克克。一个个直径775毫米米的硅片片，可集集成几万万至几十十万甚至至几百万万个元件件，形成成了微电电子学，从而出出现了微微型计算算机、微微处理机机等。由由于当前前信息工工程的发发展，硅硅主要用用于

22、微电电子技术术。目前常用用的太阳阳能电池池是硅电电池。如如果1平平方米铺铺满硅太太阳能电电池，就就可以得得到1000W电电力。单单晶硅太太阳能电电池的性性能稳定定，转换换效率高高，体积积小，重重量轻，很适合合作太空空航天器器上的电电源。美美国的大大型航天天器太空空实验室室上就安安装有44块太阳阳能电池池帆板，它们是是由14478440块88平方厘厘米大小小的单晶晶硅太了了肾电池池排列组组成的，发电功功率大约约为122KW。单晶硅作作为半导导体器件件的核心心材料，在很大大程度上上促成了了信息技技术革命命。本世世纪500年代以以来，随随着半导导体工业业的需要要而迅速速发展。到19996年年全球半半

23、导体产产业销售售额达到到14110亿美美元，而而其中单单晶硅材材料的销销售达到到74亿亿美元。多晶硅、单晶硅硅已渗透透到国民民经济和和国防科科技中各各个领域域，当今今全球超超过20000亿亿美元的的电子通通讯半导导体市场场中955%以上上的半导导体器件件及999%以上上的集成成电路用用硅。国国外向大大直径和和“开盒即即用”程度发发展，国国内向中中、低档档次硅片片发展，产品市市场主要要是美国国、日本本、台湾湾。2、单晶晶硅太阳阳电池。单晶硅硅太阳电电池是当当前开发发最快的的一种太太阳电池池，它的的结构和和生产工工艺已定定型，产产品已广广泛用于于空间和和地面。这种太太阳电池池以高纯纯的单晶晶硅棒为

24、为原料，纯度要要求999.9999。为了降降低生产产成本，现在地地面应用用的太阳阳电池等等采用太太阳能级级的单晶晶硅棒，材料性性能指标标有所放放宽。有有的也可可使用半半导体器器件加工工的头尾尾料和废废次单晶晶硅材料料，经过过复拉制制成太阳阳电池专专用的单单晶硅棒棒。 3、多晶晶硅太阳阳电池：目前太太阳电池池使用的的多晶硅硅材料，多半是是含有大大量单晶晶颗粒的的集合体体，或用用废次单单晶硅材材料和冶冶金级硅硅材料熔熔化浇铸铸而成，然后注注入石墨墨铸模中中，待慢慢慢凝固固冷却后后，即得得多晶硅硅锭。这这种硅锭锭可铸成成立方体体，以便便切片加加工成方方形太阳阳电池片片，可提提高材料料利用率率和方便便

25、组装。多晶硅硅太阳电电池的制制作工艺艺与单晶晶硅太阳阳电池差差不多，其光电电转换效效率约112左左右，稍稍低于单单晶硅太太阳电池池，但其其材料制制造简便便，节约约电耗，总的生生产成本本较低，因此得得到大量量发展。现在，我我们的生生活中处处处可见见“硅”的身影影和作用用，晶体体硅太阳阳能电池池是近115年来来形成产产业化最最快的。熔融的的单质硅硅在凝固固时硅原原子以金金刚石晶晶格排列列成许多多晶核，如果这这些晶核核长成晶晶面取向向相同的的晶粒，则这些些晶粒平平行结合合起来便便结晶成成单晶硅硅。（二）主主要技术术规范和和一般工工艺过程程单晶硅的的制法通通常是先先制得多多晶硅或或无定形形硅，然然后用

26、直直拉法或或悬浮区区熔法从从熔体中中生长出出棒状单单晶硅。单晶硅硅棒是生生产单晶晶硅片的的原材料料，随着着国内和和国际市市场对单单晶硅片片需求量量的快速速增加，单晶硅硅棒的市市场需求求也呈快快速增长长的趋势势。1、单晶晶硅太阳阳电池：单晶硅硅太阳电电池是当当前开发发最快的的一种太太阳电池池，它的的结构和和生产工工艺已定定型，产产品已广广泛用于于空间和和地面。这种太太阳电池池以高纯纯的单晶晶硅棒为为原料，纯度要要求999.9999。为了降降低生产产成本，现在地地面应用用的太阳阳电池等等采用太太阳能级级的单晶晶硅棒，材料性性能指标标有所放放宽。有有的也可可使用半半导体器器件加工工的头尾尾料和废废次

27、单晶晶硅材料料，经过过复拉制制成太阳阳电池专专用的单单晶硅棒棒。 2、多晶晶硅太阳阳电池：目前太太阳电池池使用的的多晶硅硅材料，多半是是含有大大量单晶晶颗粒的的集合体体，或用用废次单单晶硅材材料和冶冶金级硅硅材料熔熔化浇铸铸而成，然后注注入石墨墨铸模中中，待慢慢慢凝固固冷却后后，即得得多晶硅硅锭。这这种硅锭锭可铸成成立方体体，以便便切片加加工成方方形太阳阳电池片片，可提提高材料料利用率率和方便便组装。多晶硅硅太阳电电池的制制作工艺艺与单晶晶硅太阳阳电池差差不多，其光电电转换效效率约112左左右，稍稍低于单单晶硅太太阳电池池，但其其材料制制造简便便，节约约电耗，总的生生产成本本较低，因此得得到大

28、量量发展。3、单晶晶硅圆片片按其直直径分为为6英寸寸、8英英寸、112英寸寸（3000毫米米）及118英寸寸（4550毫米米）等。直径越越大的圆圆片，所所能刻制制的集成成电路越越多，芯芯片的成成本也就就越低。但大尺尺寸晶片片对材料料和技术术的要求求也越高高。单晶晶硅按晶晶体生长长方法的的不同，分为直直拉法（CZ）、区熔熔法（FFZ）和和外延法法。直拉拉法、区区熔法生生长单晶晶硅棒材材，外延延法生长长单晶硅硅薄膜。直拉法法生长的的单晶硅硅主要用用于半导导体集成成电路、二极管管、外延延片衬底底、太阳阳能电池池。目前前晶体直直径可控控制在3-88英寸。区熔法法单晶主主要用于于高压大大功率可可控整流流

29、器件领领域，广广泛用于于大功率率输变电电、电力力机车、整流、变频、机电一一体化、节能灯灯、电视视机等系系列产品品。目前前晶体直直径可控控制在3-66英寸。外延片片主要用用于集成成电路领领域。 由由于成本本和性能能的原因因，直拉拉法（CCZ）单单晶硅材材料应用用最广。在ICC工业中中所用的的材料主主要是CCZ抛光光片和外外延片。存储器器电路通通常使用用CZ抛抛光片，因成本本较低。逻辑电电路一般般使用价价格较高高的外延延片，因因其在IIC制造造中有更更好的适适用性并并具有消消除Laatchhupp的能力力。4、单晶晶硅的制制造技术术，在保保证半导导体质量量标准的的前提下下，向来来根据硅硅片的直直径

30、大小小评价其其技术水水平。硅硅片的直直径越大大，技术术要求越越高，越越有市场场前景，价值也也就越高高。例如如，19997年年全球共共消耗11.544亿片，其中44英寸以以下硅片片占200.3%，5英英寸占116.77%，66英寸占占45.2%，8英寸寸占177.8%，人们们预计到到20000年，硅片消消耗量可可能比119977年上升升60%，但是是小直径径的硅片片尤其是是6英寸寸以下硅硅征会逐逐步减少少，预计计4英寸寸以下硅硅征可能能占199%，55英寸占占10.6%，6英寸寸占355.1%，8英英寸的占占32.8%，12英英寸的占占2.44%。现在，硅硅片直径径正从55英寸迅迅速升级级，12

31、2英寸硅硅片技术术正日益益成熟。预计到到20008年，12英英寸硅片片可以进进入商业业化生产产阶段。日本、美美国和德德国是主主要的硅硅材料生生产国。中国硅硅材料戒戒严与日日本同时时进步，但总体体而言，生产技技术水平平仍然相相对较低低，目前前年产11002000吨，仅仅占全球球总产量量的1%2%，而且大大部分为为2.55、3、4、55英寸硅硅锭和小小直径硅硅片。中中国消耗耗的大部部分集成成电路及及其硅片片仍然依依赖进口口。但我我国科技技人员正正迎头赶赶上，于于19998年成成功地制制造出了了12英英寸单晶晶硅，标标志着我我国单晶晶硅生产产进入了了新的发发展时期期。（三）产产品运营营条件及及经济优

32、优点 1.产产品生产产特点： （1）高高电耗，其生产产过程中中电价占占整个成成本的330%左左右； 高高投入，建一家家年产110000吨的多多晶硅工工厂，大大约需要要1.550亿美美元；（2）高高技术，国内外外技术差差别较大大，目前前国内生生产技术术还比较较落后，如果依依靠国外外先进技技术建本本项目，能够降降低成本本，提高高产品的的产量和和质量。2、经济济优点：高回报，因需要要单晶硅硅、多晶晶硅的领领域越来来越宽广广，全球球对产品品的需求求量也越越来越大大，因此此该产品品市场前前景较好好，高档档多晶硅硅的价格格行情看看涨。 二、市场场需求分分析和预预测1、市场场需求初初步预测测和生产产能力分分

33、析山东大学学蒋民华华院士作作了题为为“电子材材料光子子材料和和人工晶晶体的发发展”，他从从历史和和现实情情况出发发，密切切结合当当前科学学技术的的发展，提出了了对新世世纪人工工晶体的的展望。他首先先引用了了原国际际晶体生生长主席席、美国国工程院院院士RR.A.Lauudisse博士士19774年对对新世纪纪人工晶晶体的预预言：“单晶肯肯定将继继续从电电子学的的研究和和技术中中起着中中心作用用。”事实证证明，尽尽管经过过科学技技术飞速速发展的的四分之之一个世世纪，当当前社会会已全面面进入了了以计算算机、通通信和光光网络等等以信息息技术为为代表的的信息时时代，光光子继电电子以后后也成了了信息的的主

34、要载载体。而而电子、光电子子和光材材料是信信息功能能材料的的主体。斗导体体单晶作作为电子子材料的的主体，随着集集成电路路尺寸的的缩小、集成度度的进高高及芯片片面积的的增大，对硅单单晶的尺尺寸完整整性及生生长提出出了更高高的要求求，单晶晶仍然是是今天电电子材料料的主角角。众光光电子材材料和光光子材料料的发展展来看，用先进进外延技技术在单单晶薄膜膜是化合合物半导导体光电电子材料料的特点点，单晶晶仍然是是光电子子材料和和光子材材料的基基础，而而在信息息技术中中光子作作为信息息载体具具有响应应速度快快、信息息容量大大等特点点，目前前光子材材料正在在人工晶晶体等材材料的基基础上发发展，光光伏电池池技术的

35、的结合今今后依然然是全球球信息科科技的基基本构架架。在电电子材料料、光子子材料、光子材材料之间间没有清清楚的界界面，随随着微光光子技术术的发展展，光子子材料也也会逐步步的成熟熟起来，人工晶晶体在目目前电子子光子材材料中仍仍然起着着重要的的作用。结合晶晶体材料料及其产产业化的的发展，可以说说在211世纪（太元世世代）电电子、光光子材料料将会再再创辉煌煌，人工工晶体的的前景仍仍是一片片灿烂。（1）市市场需求求分析作为光电电子及信信息产业业的基础础材料和和太阳能能板及光光伏电池池的核心心材料 ，单晶晶硅产品品被广泛泛的应运运于计算算机芯片片（ICC）、能能源、航航天、电电子、微微电子等等各个领领域，

36、具具有非常常广阔的的产业前前景。在在新世纪纪，伴随随信息产产业与新新能源产产业的迅迅速发展展，中国国作为世世界世界界电子信信息产品品的主要要生产国国和主要要市场，以及能能源消耗耗大国，对硅材材料的需需求量将将进一步步增长，也硅材材料行业业的发展展提供了了巨大的的发展空空间。晶硅、单单晶硅主主要用于于制作电电力电子子行业所所需的大大功率元元件、红红外探测测器件、太阳能能电池、半导体体元件等等领域。产品附附加值高高，市场场需求越越来越大大。随着着国家经经济实力力的发展展，如旧旧电网的的改造，新电网网的建设设，电力力机车的的提速等等基础设设施投资资将会加加大力度度，与之之相应的的电力电电子元件件及装

37、置置需求将将有一个个大幅度度增长，多晶硅硅、单晶晶硅市场场前景广广阔。随随着电子子信息时时代的到到来，世世界硅材材料市场场需求年年均增长长速度在在16%以上，未来115年，中国将将成为世世界第三三大芯片片市场2、生产产能力分分析（1）据据统计，我国119966年单晶晶硅产量量30吨吨，预计计未来几几年内年年增长速速度为112-115%。到20003年年，单晶晶硅年需需量将超超过500吨。目目前我国国每年生生产的单单晶硅出出口量占占40-50%。从经经济和生生产实际际需要看看，只要要工艺可可行，硅硅片直径径越大，越能满满足市场场需要。多晶硅硅是生产产单晶硅硅的唯一一原料，而单晶晶硅又是是集成电电

38、路（电电脑芯片片）基础础材料。由于于我国多多晶硅生生产技术术相当落落后，生生产不断断萎缩，目前国国内多晶晶硅产量量还不足足1000吨，仅仅占世界界产量的的0.44%，与与国际先先进水平平比至少少落后115年以以上。近近几年，北京、上海、深圳等等地已引引进几条条芯片生生产线，国内电电脑芯片片对单晶晶硅片的的需求大大增。单单晶硅平平均年增增长率达达22%以上。国内多多晶硅不不足1000吨的的产量根根本无法法满足单单晶硅增增长的需需要，大大量的多多晶硅缺缺口只有有靠进口口解决。我国多多晶硅工工业起步步于500年代，到了770年代代曾一度度盲目发发展，企企业发展展到200余家。由于技技术水平平低，产产

39、品质量量差、生生产成本本高等原原因，绝绝大部分分厂家都都想继停停产，目目前只有有两家还还在生产产，加起起来年产产量也只只有几十十吨，在在全世界界2万吨吨左右产产量中还还占不到到1%，根本无无法参与与国际竟竟争。据预测，按国内内单晶硅硅生产的的需求计计算，220000年国内内多晶硅硅需求量量为7550吨，缺口约约为7000吨，到20010年年国内多多晶硅需需求将达达13000吨，如果没没有新建建的多晶晶硅企业业，需求求缺口将将更加巨巨大。 （2）单单晶硅是是半导体体器件生生产的关关键性基基材。截截止到220044年底，中国拥拥有已投投产的112英寸寸生产线线1条，8英寸寸生产线线9条，6英寸寸生

40、产线线6条。20004年中中国ICC制造业业实现了了超高速速增长，在下游游市场的的拉动下下，20004年年单晶硅硅棒的市市场需求求量为228111.5吨吨，增长长率高达达1788.5%。同时时抛光硅硅片的市市场需求求量达到到了6881988.3万万平方英英寸，实实现了1133.5%的的增长。市场对对6英寸寸和8英寸寸硅片的的需求增增长非常常强劲，成为抛抛光硅片片市场增增长的主主要动力力来源。 此近年年来，中中国单晶晶硅需求求量明显显稳步增增长，增增长的原原因是一一方面来来自国际际上对低低档和廉廉价硅材材料需求求的增加加。另一一方面是是近年来来中国各各方面发发展迅速速，各类类信息家家电和通通信产

41、品品需求旺旺盛，因因此半导导体器件件和硅材材料的市市场需求求量都很很大。为为了满足足这种巨巨大的需需求，国国内外厂厂家纷纷纷在中国国建立和和准备建建立晶片片和ICC生产线线。北京京拟在最最近的十十年建设设20座座0.225微米米以下的的8英寸寸IC加加工生产产线；上上海将在在未来115年内内投资7700-7500亿人民民币建设设10条条以上高高水平的的IC生生产线；另外，浙江和和深圳也也都在积积极筹备备半导体体产业基基地。在在硅单晶晶拉制和和硅片加加工方面面，硅单单晶主流流产品是是1000-1550m，也建立立了直径径1000-1550mmm的硅片片生产线线。目前前世界硅硅片的主主流产品品是直

42、径径2000-3000mmm，中国国与世界界水平有有较大差差距。中中国的有有研硅股股和峨嵋嵋半导体体材料厂厂有2000mmm直拉硅硅单晶的的生产能能力，浙浙大海纳纳在宁波波投资建建立2000mmm直拉硅硅单晶生生产厂。在中国国半导体体产业快快速发展展的带动动下，220033年中国国半导体体用单晶晶硅的产产量是4495吨吨，20004年年的产量量为5990吨。 中国半半导体产产业的快快速发展展，拉动动了对抛抛光硅片片需求的的快速增增长，国国内生产产远远无无法满足足市场的的需求，抛光硅硅片需要要大量的的进口。国内88英寸生生产线用用硅片几几乎全部部进口，大部分分的6英英寸硅片片也需要要进口。单晶硅

43、硅产业的的发展依依靠国外外的事实实不能长长期下去去，为了了改变这这样的境境地，国国内企业业应走“产、学学、研”之路，加强与与高等院院校、科科研院所所的合作作，因为为国内很很多的技技术成果果掌握在在科研单单位里，通过将将这些技技术成果果产业化化，降低低企业成成本，提提高产品品质量，获得客客户认可可，进而而切入国国内6英英寸和8英寸寸材料市市场，改改变依靠靠国外硅硅片生产产的现状状。（3）目目前国内内生产单单晶硅的的厂家虽虽然已有有较多家家，主要要分布在在四川、河南、北京、上海等等地，但但这些厂厂家生产产的产品品多为低低档产品品。生产产多晶硅硅的只有有四川峨峨眉、河河南洛阳阳两家。高档的的单晶硅硅

44、、多晶晶硅主要要依靠进进口，因因此，产产品的需需求和供供给的需需缺形势势仍然十十分严俊俊，预示示着产品品具有巨巨大的潜潜在的需需求市场场。三、企业业市场竞竞争态势势分析1、政策策优势。本项目目所涵盖盖的单晶晶硅棒太太阳能电电池板项项目，不不仅符合合国家星星火计划划重点扶扶持发展展的信息息产业政政策精神神，也符符合安徽徽省“十一五五”规划的的重点建建设项目目的政策策导向。2、技术术优势。本项目目依托北北京光电电子研究究所的最最新研究究成果引引进整套套成熟技技术，同同时高薪薪聘用原原北京光光电研究究所的高高级工程程师、技技术员，已经形形成了具具有人才才梯次的的高技术术核心团团队，为为项目的的实施及

45、及顺利投投产提供供了坚实实的技术术保障。3、管理理和资本本优势（1）公公司已按按最优经经营体制制组建了了一个由由专家型型领导人人参加的的企业管管理阶层层。项目目已筹集集了相当当资金，现正在在申请国国家开发发银行贷贷款支持持。（2）项项目前期期工作进进展迅速速，截至至20006年88月，项项目已完完成厂区区总体规规划设计计，其中中包括电电力给排排水系统统、 水循环环系统、控制系系统、消消防系统统、园林林、道路路、仓储储、办办公等。已经建建设完成成厂房1100000；已购置置单晶硅硅棒生产产用JDDR8000型号晶晶全生长长炉设备备25台台套及配配套设备备。累计计完成投投资达440000万元。目前

46、，一期主主体厂房房已经封封顶；厂厂区土地地平整已已近尾声声；厂大大门设计计完成并并工程基基础已经经开挖；绿化、监控工工程已经经开始实实施；供供、排水水改造已已经完成成；供电电工程已已经开始始施工；设备安安装既将将进行。第四章 建设条条件分析析和场址址选择一、建设设项目条条件分析析（一）区区位条件件来安县县地处皖皖东，界界于江淮淮之间，地理坐坐标：北北纬322103245，东径径118820118840。总面面积14481平平方公里里，耕地地面积445.66平方公公里。地地势北高高南低，地形大大致为南南部圩区区、中部部岗区和和北部低低丘陵区区三部分分。1004国道道、滁天天公路和和建设中中的蚌宁

47、宁高速公公路穿境境而过。县城距距津浦铁铁路200公里；内河航航运有汊汊河港、水口港港直达长长江。县域东邻邻来安县县和江苏苏省南京京市六合合区，西西接明光光市、滁滁州市，南连江江苏省南南京市浦浦口区，北界江江苏省盱盱眙县，滁天公公路、1104国国道以及及正在建建设的蚌蚌宁高速速公路穿穿境而过过。南北北最长处处55公公里，东东西最宽宽处300公里。县域总总面积114811平方公公里。全全县辖118个乡乡镇，2276个个村民委委员会，20005的底底全县总总人口448.88万人，其中农农业人口口40.4万人人。（二）自自然条件件1、地形形、地貌貌来安县境境内地势势西北高高，东南南低。北北部为丘丘陵，

48、主主要有长长山、龙龙王山、马头山山、练子子山。南南部为岗岗坳相间间的波状状平原，缓丘零零星分布布。滁河河、沛河河、新来来河两侧侧为较广广阔的河河谷平原原。全县县海拔高高度小于于2200米，相相对高程程大于1100米米，境内内地貌类类型分为为丘陵、阶地和和河漫滩滩三种。丘陵：分分布在低低山外围围或居于于低山两两侧，呈呈带状，和低山山组成梯梯状地形形，约占占全县面面积的330%。阶地：县县内分布布高低两两级阶地地，约占占全县面面积的440%。河漫滩：发育在在滁河及及其支流流两侧，地势开开阔平坦坦，微向向河面倾倾斜，标标高100-200米，各各支流河河谷漫滩滩发育较较窄，上上游标高高可达550米，组

49、成物物为全新新纪亚粘粘土，约约占全县县面积330%。2、气候候、气象象来安县气气候温和和，四季季分明，雨量适适中，雨雨热同季季，但降降水不均均匀、日日照多、温度大大，无霜霜期较大大，为季季风气候候显著的的副热带带（北亚亚热带）向暖温温带过渡渡的湿润润与半湿湿润型气气候。温度：本县年年平均气气温为114.99，最高高年份平平均气温温15.8,最低低年份平平均气温温14.2。最热热是7月月份，平平均气温温27.7，最冷冷为1月月份，平平均气温温1.33，极端端最高气气温400.6（19559年88月233日），极端最最低气温温零下116.33(19669年22月6日日)。降水：本县年年均降水水量9

50、775.33毫米，80%保证年年份降水水量达7788毫毫米。降降水量最最多年份份17990.33毫米（19775年），最少少年份5561.8毫米米（19966年年）。年年际变化化在17790.3-5561.8毫米米之间。由于受季季风气候候影响，该县各各季降水水量分配配极不均均匀，夏夏季最多多，冬季季最少，即使同同季，各各年差异异也很大大，年季季际变幅幅为11138.8毫米米，季平平均降水水量相对对变差557%，旱涝频频繁。风向：本县季季风气候候显著，静风较较多，最最多风向向为东北北偏东。大风每每年平均均达133.5次次，最多多年300次（119655年），最少年年5次（19661年）。大风风风

51、向以以西北风风为多，东北风风次之。3、水文文本县河流流属长江江、淮河河两大水水系，总总长2226公里里，流域域总面积积14881平方方公里，其中属属长江水水系的有有滁河、来河、清流河河、五加加河、施施河、皂皂河，总总流域面面积12220平平方公里里，属淮淮河水系系的有白白塔河，流域面面积2661平方方公里。本县大部部分地面面系第四四纪下蜀蜀系粘土土层覆盖盖，降水水渗入甚甚微，储储水量小小，含水水层差。地表水水和外来来水为分分区水资资源。据据统计，全县径径流量最最丰年88.233亿立方方米，平平水年为为4.337亿立立方米，枯水年年为1.72亿亿立方米米。按平平水量计计算，人人均拥有有地表水水比

52、全省省和全国国人均拥拥有地表表水量低低3688立方米米和16008立方方米。4、地质质地震（1）工工程地质质本县境内内地层发发育较为为齐全，除缺失失晚无古古代早期期青白口口系沉积积开，自自中元古古代起各各时代地地层均有有发育，但大部部分被第第四纪地地层覆盖盖，出露露甚少。地表所所见有中中元古界界、震旦旦系、奥奥陶系、白垩系系、第三三系和第第四系，此外，在半塔塔河丫口口勘查石石油的钻钻孔中见见到寒武武系灰色色条带状状结晶灰灰岩。中中元古界界；在本本县复兴兴和练子子山以北北、龙王王山以南南有所出出露。震旦系：在本县县舜山以以北、练练子山以以南和平平阳水库库西南有有零星出出露，为为震旦系系晚期沉沉积

53、。奥陶系：在本县县平阳水水库东南南侧出露露，为奥奥陶系早早期沉积积。白垩系：仅上纪纪赤山组组有零星星出露，分布在在本县雷雷官集以以南和东东北、独独山西北北、平阳阳水库以以西与滁滁州交界界处。第三系：主要分分布于县县城至施施官以北北。第四系：除在本本县舜山山与杨郢郢之间出出露较少少外，几几乎广布布于县境境南北。（2）根根据安安徽省地地震裂度度区划图图，来来安县区区域抗震震设防裂裂度为66度，生生命线工工程按77度设防防。（三）社社会经济济条件改革开放放以来，来安经经济快速速发展，已初步步形成以以化工、机械、电子、食品加加工为主主体的一一批产值值超亿元元的具有有一定规规模和新新技术的的骨干企企业。

54、如如金禾化化工、海海达轴承承、享通通橡塑、赛华电电缆、金金邦医药药、华峰峰医药，长年医医药以及及碧绿春春酒业、康业油油脂等企企业。220044全县实实现国内内生产总总值366.1亿亿元；全全社会固固定资产产投资99亿元；工业综综合经济济效益指指数1008.33%，；实现财财政收入入1.337亿元元；城镇镇在岗职职工人均均工资993088万元；农民人人均纯收收入28851元元。（四）基基础设施施条件1、交通通和通讯讯来安地处处东径111828北纬33226,距南南京600公里,1044国道、3122省道及及沪洛高高速公路路穿越境境内；县县城距津津浦铁路路仅188公里；距南京京碌口国国际机场场仅8

55、00公里；内河航航运有汊汊河港、水口港港直达长长江，县县城距南南京港550公里里，滁州州港8公公里，来来安已初初步形成成水路、公路、铁路互互为补充充的立体体交通网网络。来来安现已已开通至至合肥、北京、上海、深圳等等地班车车。来安安工业新新区紧邻邻沪洛高高速公路路来安入入口处，交通十十分便利利。来安县电电话交换换容量已已达6.5万门门，移动动电话和和无线寻寻呼系统统覆盖全全县。2、供水水和供电电来安县基基础设施施配套较较为齐全全，城区区现有自自来水厂厂，日供供水能力力达3.0万吨吨。县自自来水厂厂计划在在工业区区（即新新城区）建设日日供水能能力达44.0万万吨的供供水厂。来安县城城电力供供应充裕

56、裕，供电电容量可可达122万千伏伏安；距距开发区区3kmm内有1110KKVA中中心变电电所1座座，城区区和工业业园区电电网健全全。安徽省来来安县工工业新区区作为省省级工业业园区，省、市市、县三三级领导导对其项项目的建建设，高高度重视视，十分分支持。各项目目基础设设施条件件已较完完善，水水、电、气及园园区道路路均能满满足项目目建设的的需要，等为该该项目设设3.55万伏专专线一条条，自来来水管线线为2000毫米米，月供供水流量量超过一一万吨。土地规规划及使使用手续续齐全完完备。二、项目目选址方方案（一）项项目选址址的原则则1、符合合国家、地区和和城乡规规划的要要求。2、安全全原则，防洪、防震、防

57、地质质灾害。3、节约约项目用用地，尽尽量不占占或少占占农田。4、实事事求是的的原则，对多个个场址调调查研究究，进行行科学分分析和对对比。5、注意意环境保保护，以以人为本本，减少少对生态态和环境境的影响响。6、交通通和运输输便捷。7、公用用工程联联接方便便（如各各种管网网系统）等。（二）选选址方案案的确定定项目建设设地址选选择在安安徽来安安工业园园（省级级），该该处自然然环境、地理条条件较好好，基础础设施完完备，项项目的场场（厂）址，安安排在工工业园区区滁天路路以南、迎宾大大道以东东（项目目场址位位置详见见附图）。第五章 建设内内容和规规模及产产品方案案一、确定定方案的的依据和和原则（一）确确定

58、建设设方案的的一般原原则1、符合合产业政政策。应应符合国国家鼓励励发展的的产业和和产品方方向、国国家技术术政策和和技术标标准，使使产品具具有较高高的技术术含量和和市场竞竞争力。2、针对对市场需需求。应应以国内内外市场场需求来来确定项项目策略略和产品品的品种种、数量量、质量量，并能能较好地地适应市市场变化化。3、专业业化协作作。应有有专业化化协作，以及上上下游产产业链、产品链链的衔接接。4、资源源综合利利用。在在确定项项目策略略和产品品方案时时应考虑虑资源的的综合利利用，提提出主要要产品和和副产品品的组合合方案。5、环境境保护。应考虑虑环境保保护的要要求和可可能获得得的环境境容量，以及环环保治理

59、理设施投投资等措措施。6、考虑虑原材料料燃料供供应。不不仅是可可行性，还要考考虑数量量、品质质、来源源的稳定定性。7、适应应技术设设备条件件。8、应满满足生产产储存条条件。对对生产、包装、运输、储存有有特殊要要求的，应考虑虑满足这这些要求求。（二）建建设方案案分期步步聚方案案的确定定项目总投投资3.5亿元元人民币币。分三三期完成成项目设设计规划划，达到到完全生生产设计计能力。第一期在在完成厂厂区总体体规划设设计的基基础上，建设完完成单晶晶硅棒生生产用硅硅晶体生生产炉550台套套，厂房房100000平平方米及及设备、监测系系统和相相关配套套设施，计划投投资6000080000万元元人民币币。第二

60、期建建设完成成高规格格硅抛光光正片进进口切片片机4台台套生产产线，生生产用厂厂100000平平方米及及设备、监测系系统和相相关配套套设施，计划投投资1.2亿元元人民币币。第三期建建设完成成2条进进口太阳阳能板组组装生产产线用厂厂房1000000平方米米及设备备、监测测系统和和相关配配套设施施，计划划投资11.5亿亿元人民民币。本项目一一期达到到设计能能力的1100%时，年年产3550吨单单晶硅棒棒，产值值6.99亿元。二、项目目一期工工程主要要建设内内容（一）土土建工程程1、主体体工程：项目全全部厂共共四幢，每幢1100000平方方米左右右。其中中一期建建设1幢幢为1000000平方米米。2、