硬件开发工具spmc75f2413a evm板配套例子

1、V1.0 Mar 27, 200619, InnovationRoad Science Park Hsin-Chu 300 R.O.C.: 886-3-578-6005 Fax: 886-3-578-4418 Web:SPMC75 基础例程FLASH 操作保留对此文件修改之权利且不另行通知。可靠之信息，但并不保证本文件中绝无错误。请于向所提供之信息相信为正确且提出订单前，自行确定所使用之相关技术文件及规格为之版本。若因贵公司使用本公司之文件或产品，而涉及第三人之专利或著作权等智能权之应用及配合时，则应由贵公司负责取得同意及，本公司仅单纯贩售产品，上述关于同意及，非属本公司应为保证之责任。又系统

2、及飞航等相关设备。之正式，本公司之所有产品不得使用于医疗器材，维持生命 Sunplus Technology Co.,.PAGE 1V1.0 Mar 27, 2006页概述4例子介绍4 硬件连接5 程序设计5 1.2.3.4. Sunplus Technology Co.,.PAGE 2V1.0 Mar 27, 2006目录修订 Sunplus Technology Co.,.PAGE 3V1.0 Mar 27, 2006版本日期作者修订内容V1.02006/3/27Peixing初始版本概述1.SPMC75 系列单片机内嵌 32K FLASH器。32K 的 FLASH 共分为 16 页，每页

3、2K 字，每页可再分为 8 块，每块 256 字。其中只有位于 0 xF0000XFF7F 区域内的页在运行模式下可设置为只读或可读可写，其他页不能设置为写模式。本例通过 C 语言和汇编语言两种方式让大家了解如何对 SPMC75 单片机的 FLASH 进行擦除、单字写入、多字写入等操作。例子介绍2.定义一个错误标志单元，并将错误标志单元初始化为 0 x00ff。将 FLASH 位于0 xF0000XFF7F 区域内的 FLASH 中的一块（256 个字的空间）擦除（实现 FLASH 的擦除功能），然后对擦除的块进行校验，看是否有擦除错误的单元，若有擦除错误的单元，则错误标志单元第 0 位被清

4、0；然后利用单字写入方式向刚擦除完的 FLASH块里写入 10 个数（实现单字写入功能），而后写入的 10 个数据进行校验，若 10 个数据中有写入错误的，则错误标志单元第 1 位被清 0；然后通过多字写入模式向刚擦除完的 FLASH 块里写入 30 个数据（实现多字写入功能），而后对写入的 30 个数据进行校验，若 30 个数据中有写入错误的，则错误标志单元第 2 位被清 0。最后将错误标志单元送到 IOD 口，通过 IOD07口的 LED 显示出来，通过查看 LED 的点亮情况，就可以看出各功能的实现情况。 Sunplus Technology Co.,.PAGE 4V1.0 Mar 27

5、, 2006FLASH 操作硬件连接3.如图 1，将 JP8 短接。图 1：LED 显示原理图程序设计4.（1）实现方法：IOD 初始化为非反向输出，设一个型数组 i_str_W40，将其初始化。定义一个错误标志单元 ui_Err 并将其初始化为 0 x00ff 。将 FLASH 位于0 xF0000XFF7F 区域内的 FLASH 中的第一块（256 个字的空间）擦除（实现 FLASH的擦除功能），然后对擦除的块进行校验，看是否有擦除错误的单元，若有擦除错误的单元，则错误标志单元第 0 位被清 0（将错误标志单元 ui_Err 与 0 x e 相与）；然后利用单字写入方式向刚擦除完的 FLA

6、SH 块里写入 10 个数据（i_str_W09，实现单字写入功能），而后写入的 10 个数据进行校验，若 10 个数据中有写入错误的，则错误标志单元第 1 位被清 0（将错误标志单元 ui_Err 与 0 x d 相与）；然后通过多字写入模式向刚擦除完的 FLASH 块里写入 30 个数据（i_str_W1039，实现多字写入功能），而后对写入的 30 个数据进行校验，若 30 个数据中有写入错误的，则错误标志单元第 2位被清 0（将错误标志单元 ui_Err 与 0 x b 相与）。最后将错误标志单元 ui_Err 送到 IOD口，通过 IOD07口的 LED 显示出来，通过查看 LED

7、的点亮情况，就可以看出各功能的实现情况。 Sunplus Technology Co.,.PAGE 5V1.0 Mar 27, 2006R38470D7 LEDR39470D8 LEDIOD012IOD412R40470D9 LEDR41470D10 LEDIOD112IOD512R45470D11 LEDR46470D12 LEDIOD212IOD612R47330D13 LEDR48470D14 LEDIOD312IOD712JP82LED1LED(2)程序流程图：开始系统初始化 ui_Err = 0 xff无擦除校验-有错？有无单字写入校验-有错？有无多字写入校验-有错？有while(1

8、); Sunplus Technology Co.,.PAGE 6V1.0 Mar 27, 2006P_IOD_Buffer-W= ui_Errui_Err第20FLASH写功能多字写入方式写入30个数据ui_Err第10单字字写入方式写入写入10个数据ui_Err第00将FLASH第14页第一块擦除FLASH写使能(3)程序代码：C 语言格式 Sunplus Technology Co.,.PAGE 7V1.0 Mar 27, 2006/=/工程名称： Exa09_Flash_C/编者：/功能描述： Flash 模式设置、擦除操作、写单字操作/以及写多字操作的子程序段/组成文件： main.

9、c/spmc75f2313a.h, unspmacro.h/硬件连接： 新版评估套件/完成日期： 2006-4-12/=#include spmc75f2313a.h #include unspmacro.h#defi R P_IOB_Buffer-B.bit8 #define SRCLK P_IOB_Buffer-B.bit9 #define RCLK P_IOB_Buffer-B.bit10/=/语法格式： void Flash_RW_Disable(void)/ 功能描述： FLASH 区写/参数：无/返回值：无/=void Flash_RW_Disable(void)P_Flash_R

10、W-W = 0 x5a5a;/第一次写入控制命令 P_Flash_RW-W = 0 x4000;/第二次写入设置字,只读/= Sunplus Technology Co.,.PAGE 8V1.0 Mar 27, 2006/语法格式： void Flash_RW_Enable(void)/功能描述： FLASH区写使能/参数：无/返回值：无/=void Flash_RW_Enable(void)P_Flash_RW-W = 0 x5a5a;/第一次写入控制命令 P_Flash_RW-W = 0 x0000;/第二次写入设置字，读写/=/语法格式： void FlashErase(unsigned

11、*sectorAddress)/功能描述： 擦除一块 flash/参数：sectorAddress-要擦除的块中的任意一个地址/返回值：无/注意：每擦除一次硬件会进行延时 20ms 以上/=void FlashErase(unsigned*sectorAddress)P_Flash_Cmd-W = 0 xAAAA; /写入控制命令 P_Flash_Cmd-W = 0 x5511;/写入擦除命令*sectorAddress = 0;/向要擦除块中的 sectorAddress 地址写入 0/=/语法格式： void FlashWrite(unsigned*sectorAddress,word)/

12、功能描述： 向指定地址写入指定的数/参数：sectorAddress-要写入数据的块地址,word-要写入的数据/返回值：无/注意：写入前保证对应地址已擦除/=void FlashWriteWord(unsigned*sectorAddress,word)P_Flash_Cmd-W = 0 xAAAA;/写入控制命令P_Flash_Cmd-W = 0 x5533;/写入单字编程命令*sectorAddress = word;/向 sectorAddress 地址写入数据 word/=/语法格式：void FlashWrite(unsigned*sectorAddress,*Pword,unsi

13、gned char n)/功能描述：向指定地址写入多个数据/参数：sectorAddress-要写入数据的块地址,Pword-要写入的数据的首地址/n-要写入数据的个数/返回值：无/注意：写入前保证对应地址已擦除/=void FlashWritePage(unsigned*sectorAddress,*Pword,unsigned char n)nt i;P_Flash_Cmd-W = 0 xAAAA;/写入控制命令for(i=0;iW = 0 x5544;/写入多字编程命令*(sectorAddress + i) = *(Pword + i); /将数据写入目标地址P_Flash_Cmd-W

14、 = 0 xF;/结束连续字写入操作/=/语法格式： void LED_Display(unsignedcode) Sunplus Technology Co.,.PAGE 9V1.0 Mar 27, 2006 Sunplus Technology Co.,.PAGE 10V1.0 Mar 27, 2006/功能描述： 驱动一位数码管显示一个数据/参数：code 高 4 位显为示位码，code 低 8 位为显示段码/返回值：无/=void LED_Display(unsignedcode)unsignedi; unsigned k;k = 0 x1000;/初始化要显示的位的标志 for(i=

15、0;i= 1;/标志位右移一位RCLK = 1;/将数据显示 RCLK = 0;/=/主函数/=nt main(void)i_str_W40, *ui_Addr;unsignedi,ui_Err;ui_Err = 0 x0000;ui_Addr = (unsigned*)0 xf000;/地址指针初始化，指向写入数据的首地址P_IOB_Dir-W |= 0 x0700;/IOB810设置为输出P_IOB_Attrib-W |= 0 x0700;/IOB810设置为非反向P_IOB_Buffer-W &= 0 xf8ff;/IOB810输出为低for(i=0;i=39;i+)i_str_Wi =

16、 i;/要写入 FLASH 的数组初始化，256 个数据Flash_RW_Enable();/FLASH 写使能FlashErase(ui_Addr);/将 FLASH 第 14 页第一块擦除/校验是否块中所有数据都被正确擦除for(i=0;i=255;i+)if(*(ui_Addr+i)!=0 x f)ui_Err |= 0 x0001;/如果有错，则 ui_Err 第 00/单字写入 10 个数据for(i=0;i=9;i+)FlashWriteWord(ui_Addr+i),i_str_Wi);/单字写入 Sunplus Technology Co.,.PAGE 11V1.0 Mar 2

17、7, 2006汇编语言格式 Sunplus Technology Co.,.PAGE 12V1.0 Mar 27, 2006/=/工程名称： Exa09_Flash_ASM/编者：/功能描述： Flash 模式设置、擦除操作、写单字操作/校验单字写入的 10 个数据for(i=0;i=9;i+)if(*(ui_Addr+i)!= i_str_Wi)ui_Err |= 0 x0002;/如果有错，则 ui_Err 第 10/向擦除的块剩余空间写入 246 个数据FlashWritePage(ui_Addr+i),&i_str_W10,30);Flash_RW_Disable();/FLASH 写

18、功能/校验多字写入方式写入的 246 个数据for(i=10;i=39;i+)if( *(ui_Addr+i)!= i_str_Wi)ui_Err |= 0 x0004;/如果有错，则 ui_Err 第 20ui_Err |= 0 x0fc0;/显示看是否有错 LED_Display(ui_Err);/调用 LED 显示子程序 while(1);/以及写多字操作的子程序段/main.asm组成文件：/spmc75f2413a.inc/SPMC75F2413A 的新版 EVM 板硬件连接：/完成日期：2006-3-17/=/=.INCLUDE spmc75f2413a.inc.RAM.VAR _

19、ERR.CODE/=/主函数/=.PUBLIC _main_main:r1 = 0 x00ffP_IOD_Dir = r1/IOD07设置为输出r1 = 0 x00ffP_IOD_Attrib = r1/IOD07设置为非反向r1 = 0 x0000P_IOD_Buffer = r1/IOD07输出为 0r5 = 0 x00ff/出错标志位初始化call _Flash_RW_Enable/FLASH 写使能设置r1 = 0 xf000/擦除块的首地址call _FlashErase/擦除第 14 页第一块 Sunplus Technology Co.,.PAGE 13V1.0 Mar 27,

20、2006r1 = 0 xf000/擦除块的首地址r3 = 256/读出的数据个数寄存器?_VerifyErase:/擦除块中数据读出校验r4 = r1/读数据cmp r4,0 xf/判断是否擦除jz ?_ReadErase/对了则跳转r5 &= 0 x e/错了则错误标志位第 00?_ReadErase:/没有写错r1 += 1/地址加 1r3 -= 1/读出数据计数器减 1jnz ?_VerifyErase/256 个数据没读完则跳转r1 = 0 xf000/要写入数据的 Flash 首地址r2 = 0/要写入的数据r3 = 10/写入数据个数计数器?_WriteWord:/单字写入call

21、 _FlashWriteWord/将 r2 里面的数据写入 r1 地址中r1 += 1/地址加 1r2 += 1/数据加 1r3 -= 1/写入数据个数计数器减 1jnz ?_WriteWord/写完 10 个数据了吗r1 = 0 xf000/写入数据的块的首地址r2 = 0/校验数据初始化r3 = 10/读出的数据个数寄存器?_VerifyWord:/单字写入的数据读出校验r4 = r1/读数据 Sunplus Technology Co.,.PAGE 14V1.0 Mar 27, 2006cmp r4,r2/判断是否写错jz ?_ReadWord/写对了则跳转r5 &= 0 x d/写错了

22、则错误标志第 10?_ReadWord:/没有写错r1 += 1/地址加 1r2 += 1/数据加 1r3 -= 1/读出数据计数器减 1jnz ?_VerifyWord/单字写入的 10 个数据没读完r1 = 0 xf00a/多字写入的首地址r2 = 10/写入数据初始化r3 = 30/要写入的数据个数寄存器call _FlashWritePage/多字写入call _Flash_RW_Disable/Flash 些功能r1 = 0 xf00a/多字写入的数据读出校验r2 = 10r3 = 30?_VerifyPage:r4 = r1cmp r4,r2jz ?_Reager5 &= 0 x

23、b/错误则错误标志第 20?_Reage:r1 += 1r2 += 1r3 -= 1jnz ?_VerifyPage Sunplus Technology Co.,.PAGE 15V1.0 Mar 27, 2006P_IOD_Buffer = r5/显示错误状态，没有错误则 LED?_Loop:nopjmp ?_Loop/=/汇编格式:_Flash_RW_Disable/实现功能:FLASH 卸功能/参数:无/出口参数:无/破坏寄存器:无/=.PUBLIC _Flash_RW_Disable_Flash_RW_Disable:push r1 to spr1 = 0 x5a5aP_Flash_R

24、W = r1/第一次写入控制命令r1 = 0 x4000P_Flash_RW = r1/第二次写入设置字,只读pop r1 from spretf/=/汇编格式:_Flash_RW_Disable/实现功能:FLASH 卸功能使能/参数:无 Sunplus Technology Co.,.PAGE 16V1.0 Mar 27, 2006/ 出口参数: 无/ 破坏寄存器:无/=.PUBLIC _Flash_RW_Enable_Flash_RW_Enable:push r1 to spr1 = 0 x5a5aP_Flash_RW = r1/第一次写入控制命令r1 = 0 x0000P_Flash_RW = r1/第二次写入设置字，读写pop r1 from sp retf/=/_FlashErase语法格式：/功能描述：擦除一块 flash/r1-要擦除的块中的任意一个地址参数：/返回值：无/出口参数:无/破坏寄存器:无/=.PUBLIC _FlashErase_FlashErase:push r2 to spr2 = 0 xAAAAP_Flash_Cmd = r2/写入控制命令r2 = 0 x5511 Sunplus Technology Co.,.PAGE 17V1.0 Mar 27, 2006P_Flash_Cmd = r2/写入擦除命令r1 = r1