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文档简介
1、电子元件符号、作用、单位大全电子元器件基础知识(1)电阻导电体对电流的阻碍作用称为电阻,用符号 R表示,单位为欧 姆、千欧、兆欧,分别用d KQ、MQ表示。一、电阻的型号命 名方法: 国产电阻器的型号由四部分组成(不适用敏感电阻)第一部分: 主称,用字母表示,表示产品的名字。如R表示电阻,W表示电位器。第二部分:材料,用字母表示,表示电阻体用什么材料 类,一般用数字表示,个别类型用字母表示,表示产品属于什么 类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7- 精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T河调。第四部分:序号,用 数字表示,表示同类产品中不同品种,以区分产品的外
2、型尺寸和 性能指标等例如:R T 1 1型普通碳膜电阻组成,T-碳膜、H-组成,T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、C领积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。第三部分:分电子元器件基础知识(2)电容电容是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于隔直, 耦合,旁路,滤波,调谐回路,能量转换,控制电路等方面。用 C表示电容,电容单位有法拉(F)、微法拉(uF)、皮法拉(pF),1F=10A6uF=10A12pF电容器的型号命名方法国产电容器的型号一般由四部分组成(不 适用于压敏、可变、真空电容器)。依次分别代表名称、材料、 分类和序号。第一部分:名称,用字母表示,电容器用C
3、。第二 部分:材料,用字母表示。第三部分:分类,一般用数字表示, 个别用字母表示。第四部分:序号,用数字表示。用字母表示产 品的材料:A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃 釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃 膜、Q膝膜、T低频陶瓷、V云母纸、Y-云母、Z-纸介 电子元器件基础知识(3)一电感线圈 电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上,导线彼此互相绝 缘,而绝缘管可以是空心的,也可以包含铁芯或磁粉芯,简称电 感。用L表示,单位有亨利(H)、毫亨利(mH)、微亨利(uH),1H=10人
4、3mH=10人6uH。电感的分类按电感形式分类:固定电感、可变电感。按导磁体 性质分类:空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。按工 作性质分类:天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转 线圈。按绕线结构分类:单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。电感线圈的主要特性参数1、电感量L电感量L表示线圈本身固 有特性,与电流大小无关。除专门的电感线圈(色码电感)外, 电感量一般不专门标注在线圈上,而以特定的名称标注。2、感 抗XL电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL,单位是欧 姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2nfL 3、品质因 素Q品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量,Q为感抗X
5、L与 其等效的电阻的比值,即:Q=XL/R线圈的Q值愈高,回路的损 耗愈小。线圈的Q值与导线的直流电阻,骨架的介质损耗,屏蔽 罩或铁芯引起的损耗,高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的 Q值通常为几十到几百。4、分布电容线圈的匝与匝间、线圈与 屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容 的存在使线圈的Q值减小,稳定性变差,因而线圈的分布电容越 小越好。电子元器件基础知识(4)一半导体器件中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应 器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命 名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下:第一部 分:用数字表示半导体器件
6、有效电极数目。2-二极管、3-三极管第 二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二 极管时:A-N型锗材料、B-P型错材料、C-N型硅材料、D-P型 硅材料。表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型错材料、C- PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分:用汉语拼音字母表 示半导体器件的内型。P-普通管、V微波管、W-稳压管、C-参量 管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、 K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz,Pc3MHz,Pc1W)、D-低频大功率管(f1W)、A- 高频大功率管(f3MHz,Pc1W)、T半导体晶闸管(可控整流 器)、
7、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器 件。第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示 规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管 电流表PA 电压表PV 有功电度表PJ 无功电度表PJR 频率表PF 相位表PPA最大需量表(负荷监控仪)PM功率因数表PPF 有功功率表PW 无功功率表 PR 无功电流表 PAR 声信号HA 光信号HS 指示灯HL 红色灯HR 绿色灯HG 黄色灯HY 蓝色灯HB 白色灯HW 连接片XB插头XP 插座XS端子板XT 电线,电缆,母线W 直流母线WB插接式(馈
8、电)母线WIB 电力分支线WP 照明分支线WL应急照明分支线WE 电力干线WPM照明干线WLM 应急照明干线WEM 滑触线WT 合闸小母线WCL 控制小母线WC 信号小母线WS 闪光小母线WF 事故音响小母线WFS 预告音响小母线WPS 电压小母线WV事故照明小母线WELM 避雷器F 熔断器FU 快速熔断器FTF 跌落式熔断器FF 限压保护器件FV 电容器C 电力电容器CE 正转按钮SBF 反转按钮SBR 停止按钮SBS 紧急按钮SBE 试验按钮SBT 复位按钮SR 限位开关SQ 接近开关SQP 手动控制开关SH 时间控制开关SK 液位控制开关SL 湿度控制开关SM 压力控制开关 SP 速度控
9、制开关 SS温度控制开关,辅助开关ST电压表切换开关SV电流表切换开关SA 整流器U 可控硅整流器UR控制电路有电源的整流器VC 变频器UF变流器UC逆变器UI 电动机M异步电动机MA 同步电动机MS 直流电动机MD绕线转子感应电动机MW 鼠笼型电动机MC 电动阀YM 电磁阀YV 防火阀YF 排烟阀YS 电磁锁YL 跳闸线圈YT 合闸线圈YC气动执行器YPA,YA 电动执行器YE 发热器件(电加热)FH 照明灯(发光器件)EL 空气调节器EV 电加热器加热元件EE 感应线圈,电抗器L 励磁线圈LF 消弧线圈LA 滤波电容器LL 电阻器,变阻器R 电位器RP热敏电阻RT 光敏电阻RL 压敏电阻R
10、PS 接地电阻RG 放电电阻RD 启动变阻器RS 频敏变阻器RF 限流电阻器RC 光电池,热电传感器B 压力变换器BP 温度变换器BT 速度变换器BV 时间测量传感器BT1,BK 液位测量传感器BL 温度测量传感器BH,BM 还有:这里有一些电子元件的知识给新手,包括安邦自己: 电子元件(1)电阻电阻在电路中用“R”加数字表示,如:R1表示编号为1的电 阻。电阻在电路中的主要作用为:分流、限流、分压、偏置等。1、参数识别:电阻的单位为欧姆(Q),倍率单位有:千欧(KU),兆欧(MQ)等。换算方法 是:1兆欧=1000千欧 =1000000欧电阻的参数标注方法有3种,即直标法、色标法和数 标法。
11、a、数标法主要用于贴片等小体积的电路,如:472表示47X100Q (即4.7K); 104则表示100K b、色环标注法使用 最多,现举例如下:四色环电阻 五色环电阻(精密电阻)# 2、 电阻的色标位置和倍率关系如下表所示:颜色有效数字倍率允许 偏差(% )银色/ X0.01 10金色/ x0.1 5黑色0 +0 /棕 色 1 X10 1 红色 2 X100 2 橙色 3 X1000 / 黄色 4 X10000 / 绿 色 5 X100000 0.5 蓝色 6 X1000000 0.2 紫色 7 X10000000 0.1 灰 色 8 X100000000 / 白色 9 X100000000
12、0 / 电子元件(2) 电容1、电容在电路中一般用“C”加数字表示(如C13表示编号为13的电容)。电容是由两片金属膜紧靠,中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。电容容量的大小 就是表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容 抗,它与交流信号的频率和电容量有关。容抗XC=1/2nfc (f表示 交流信号的频率,C表示电容容量)电话机中常用电容的种类有电 解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容 等。# 2、识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相 同,分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF)、
13、微法(uF)、纳法 (nF)、皮法(pF)。其中:1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法容量大的电容其容量值在电容上直接标明, 如10 uF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示 字母表示 法:1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF数字表示法:一般用三位数字表示容量大小,前两位表示有效数字,第三位数字是是 倍率。如:102表示10 x102PF=1000PF 224表示22x104PF=0.22 uF # 3、电容容量误差表符 号F G J K L M允许 误差 1% 2% 5% 10% 15% 20% 如:一瓷片电容为 104J 表示
14、容量为0. 1 uF、误差为5%。电子元件(3) 晶体二极管晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如:D5表示编号为5的二极管。# 1、作用:二极管的主要特性是单向导电性,也 就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下 导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性,无绳电话 机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频 调制和静噪等电路中。电话机里使用的晶体二极管按作用可分 为:整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如1N4148)、肖 特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等。# 2、 识别方法:二极管的识别很简单,小功率二极管的N极(负极),在
15、二极管外表大多采用一种色圈标出来,有些二极管也用 二极管专用符号来表示P极(正极)或N极(负极),也有采用 符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正 负极可从引脚长短来识别,长脚为正,短脚为负。# 3、测试注 意事项:用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向 导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。# 4、常用 的 1N4000 系列二极管耐压比较如下:型 号 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 耐 压(V)50 100 200 400 600 8
16、00 1000 电流(A)均为 1电子元件(4)稳压二极管稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示,如:ZD5表示编号 为5的稳压管。# 1、稳压二极管的稳压原理:稳压二极管的特 点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。这样,当把稳压管 接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路 中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。# 2、故 障特点:稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳 定。在这3种故障中,前一种故障表现出电源电压升高;后2种 故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。常用稳压二极管 的 型 号及 稳 压值 如 下表: 型 号 1N4728 1N4729
17、 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4 744 1N4750 1N4751 1N4761稳压值 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V 4楼星锅安邦(11级)2011-7-4回复 电子元件(5) 电感pg圈金表示1uH (误差5%)的亨(H )换算单位有:“PN结”的结电容能随外加电感在电路中常用“L”加数字表示,如:L6pg圈金表示1uH (误差5%)的亨(H )换算单位有:“PN结”的结电容能随外加管。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制 电路上,实现低频信号调制到高频信号
18、上,并发射出去。在工作 状态,变容二极管调制电压一般加到负极上,使变容二极管的内 部结电容容量随调制电压的变化而变化。变容二极管发生故障, 主要表现为漏电或性能变差:(1)发生漏电现象时,高频调制电 路将不工作或调制性能变差。(2)变容性能变差时,高频调制电 路的工作不稳定,使调制后的高频信号发送到对方被对方接收后 产生失真。出现上述情况之一时,就应该更换同型号的变容二极 5楼星锅安邦(11级)2011-7-41回复 电子元件(7)晶体三极管晶体三极管在电路中常用“Q”加数字表示,如:Q17表示编号 为17的三极管。1、特点:晶体三极管(简称三极管)是内部含 有2个PN结,并且具有放大能力的特
19、殊器件。它分NPN型和 PNP型两种类型。2、晶体三极管主要用于放大电路中起放大作 用,在常见电路中有三种接法。为了便于比较,将晶体管三种接 法电路所具有的特点列于下表,供大家参考。6楼星锅安邦(11级)2011-7-4回复名称共发射极电路共集电极电路(射极输出器)共基极电路输入 阻抗中(几百欧几千欧)大(几十千欧以上)小(几欧几 十欧)输出阻抗中(几千欧几十千欧)小(几欧几十欧)大 (几十千欧几百千欧)电压放大倍数 大小(小于1并接近于 1)大电流放大倍数大(几十)大(几十)小(小于1并接近于 1)功率放大倍数大(约3040分贝)小(约10分贝)中(约 1520分贝)频率特性 高频差好好续表
20、应用 多级放大器中间 级,低频放大输入级、输出级或作阻抗匹配用高频或宽频带电路 及恒流源电路7楼星锅安邦(11级)2011-7-4回复电子元件(8) 场效应晶体管放大器# 1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被 广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输 入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能。# 2、场效应管分成 结型和绝缘栅型两大类,其控制原理都是一样的。# 3、场效应管 与晶体管的比较(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效 应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件 下,应选用晶体管
21、。(2)场效应管是利用多数载流子导电,所以 称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载 流子导电。被称之为双极型器件。(3)有些场效应管的源极和漏 极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。(4)场 效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工 艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应 管在大规模集成电路中得到了广泛 电子元件(9)单片机*1A/D、D/A 转换单片机硬件系统设计原则(转贴)zt() 一个单片机应用系 统的硬件电路设计包含两部分内容:一是系统扩展,即单片机内 部的功能单元,如ROM、RAM、I/OA/D、D/A 转换i=il=i
22、匹l=i器等,要设计合适的接口电路。系统的扩展和配置应遵循以下原 则:# 1、尽可能选择典型电路,并符合单片机常规用法。为硬 件系统的标准化、模块化打下良好的基础。# 2、系统扩展与外 围设备的配置水平应充分满足应用系统的功能要求,并留有适当 余地,以便进行二次开发。# 3、硬件结构应结合应用软件方案 一并考虑。硬件结构与软件方案会产生相互影响,考虑原则是: 软件能实现的功能尽可能由软件实殃,以简化硬件结构。但必须 注意,由软件实现的硬件功能,一般响应时间比硬件实现长,且 占用CPU时间。# 4、系统中的相关器件要尽可能做到性能匹 配。如选用CMOS芯片单片机构成低功耗系统时,系统中所有芯 片
23、都应尽可能选择低功耗产品。# 5、可靠性及抗干扰设计是硬 件设计必不可少的一部分,它包括芯片、器件选择、去耦滤波、 印刷电路板布线、通道隔离等。# 6、单片机外围电路较多时, 必须考虑其驱动能力。驱动能力不足时,系统工作不可靠,可通 过增设线驱动器增强驱动能力或减少芯片功耗来降低总线负 载。# 7、尽量朝“单片”方向设计硬件系统。系统器件越多, 器件之间相互干扰也越强,功耗也增大,也不可避免地降低了系i=il=i匹l=i(1)干扰源。指产生干扰的元统的稳定性。随着单片机片内集成的功能越来越强,真正的片上 系统SoC已经可以实现,如ST公司新近推出的“PSD32X系列 产品在一块芯片上集成了 8
24、0C32核、大容量FLASH存储 器、SRAM、A/D、(1)干扰源。指产生干扰的元件、设备或信号,用数学语言描述如下:du/dt,di/dt大的地方 就是干扰源。如:雷电、继电器、可控硅、电机、高频时钟等都 可能成为干扰源。(2)传播路径。指干扰从干扰源传播到敏感 器件的通路或媒介。典型的干扰传 播路径是通过导线的传导和空 间的辐射。(3)敏感器件。指容易*扰的对象。如:A/D、D/A 变换器,单片机,数字IC,弱信号放大器等。干扰的分类1干 扰的分类干扰的分类有好多种,通常可以按照噪声产生的原因、 传导方式、波形特性等等进行不同的分类。按产生的原因分:可 分为放电噪声音、高频振荡噪声、浪涌
25、噪声。按传导方式分:可 分为共模噪声和串模噪声。按波形分:可分为持续正弦波、脉冲 电压、脉冲序列等等。2干扰的耦合方式干扰源产生的干扰信号 是通过一定的耦合通道才对测控系统产生作用的。因此,我有必 要看看干扰源和*扰对象之间的传递方式。干扰的耦合方式,无 非是通过导线、空间、公共线等等,细分下来,主要有以下几 种:(1)直接耦合:这是最直接的方式,也是系统中存在最普 遍的一种方式。比如干扰信号通过电源线侵入系统。对于这种形 式,最有效的方法就是加入去耦电路。从而很好的抑制。(2)公 共阻抗耦合:这也是常见的耦合方式,这种形式常常发生在两个 电路电流有共同通路的情况。为了防止这种耦合,通常在电路
26、设 计上就要考虑。使干扰源和 祥扰对象间没有公共阻抗。(3)电 容耦合:又称电场耦合或静电耦合。是由于分布电容的存在而产 生的耦合。(4)电磁感应耦合:又称磁场耦合。是由于分布电 磁感应而产生的耦合。(5)漏电耦合:这种耦合是纯电阻性匹l=i的,在绝缘不好时就会发生。常用硬件抗干扰技术针对形成干扰 的三要素,采取的抗干扰主要有以下手段。1抑制干扰源抑制干 扰源就是尽可能的减小干扰源的du/dt,di/dt。这是抗干扰设计中 最优先考虑和最重要的原则,常常会起到事半功倍的效果。减小 干扰源的du/dt主要是通过在干扰源两端并联电容来实现。减小 干扰源的di/dt匹l=i9楼星锅安邦(11级)2011-7-4回复电子元件(10)晶体管的选用经验晶体管的品种繁多,不同的电子设备与不同的电子电路,对晶体 管各项性能指标的要求是不同的。所以,应根据应用电路的具体 要求来选择不同用途,不同类型的晶体管。# 1 .一般高频晶体 管的选用一般小信号处理(例如图像中放、伴音中放、缓冲放大 等)电路中使用的高频晶体管,可以选用特征频率范围在 30300MHZ 的高频晶体管,例如 3DG6、3DG8、3CG21、 2SA1015、2SA673、2SA733、S9011、S9012、S9014、S9
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