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文档简介
1、 习题1一、单项选择题(在每小题的4个备选答案中,选出正确的答案,并将其代码填在题干的括号内。每小题2分,共20分)1在检修电子线路时,若管子为NPN型,如果测得UCE=Vcc(Vcc为电源电压),则说明管子工作在( )状态。A、截止区 B、饱和区C、放大区 D、过损耗区2要求输出电压稳定,并能提高输入电阻,放大电路中应引入_。A、电压串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流串联负反馈 D、电流并联负反馈3在双端输入的差动放大电路中,输入信号ui1和ui2分别为60mv和40mv,则其共模输入信号uic和差模输入信号uid为( )A、100mv和20mv B、50mv和10mvC、100mv和
2、10mv D、50mv和20mv 4如右图,RC正弦波振荡器电路,当Rf出现短路时对电路的影响是_。A、振荡器输出电压减小 B、没任何影响C、Af1,运算放大器将处于饱和区工作状态,输出严重失真,近似方波。5右图所示电路uo与ui的运算关系为_。A、 B、. C、 D、 6在低频电子设备中,常用_正弦波振荡电路。A、RC桥式 B、变压器反馈式 C、电容三点式 D、电感三点式712单相桥式整流电路中,变压器次级电压为10V,则输出电压平均值为 ( )。 A、 5V B、9V C、10V D、14V 8下图中,各二极管和各灯性能相同,若不计二极管的正向压降,哪只灯泡最亮_。A、L1 B、L2C、L
3、3 D、一样亮9 在放大电路中,场效应管应工作在漏极特性的_。 A、可变电阻区 B、截止区 C、饱和区 D、击穿区10. 希望抑制1KHz以下的信号,应采用的滤波电路是_。 A、低通滤波电路 B、 高通滤波电路 C、带通滤波电路 D、 带阻滤波电路二、判断题(判断下列各题是否正确,正确在括号内打“”,错的打“”。每小题1分,共5分)1集成稳压电源W7812输出电压为78伏,输出的是负压。( )2在基本共射放大电路中,基极电阻RB的作用是提供合适的静态偏置电流。( )3桥式RC正弦波振荡器中,采用两级阻容耦合放大器的主要目的是增加放大倍数,便于满足振幅平衡条件。( )4电压放大倍数计算式为A=-
4、,所以,当负载电阻增大一倍时,则A也增大一倍。( )5稳压二极管是特殊的二极管,工作于反向击穿特性。( ) 三、填空题(每空1 分,共15分)1. 三极管的三个电极对地电位如下图所示,则图(a)的管子工作于_ 状态,图(b)的管子工作于_ 状态。2.能降低输出电阻的是_负反馈,能提高输入电阻的是_反馈。3_输入比例运算电路的电压放大倍数是-,_输入比例运算电路的电压放大倍数是1+。4. 在放大器的三种组态共基、共射、共集中,同时具有电压、电流、功率放大的电路为_组态;_组态电路的带负载能力最强。5. 要使晶体管起电流放大作用时,发射结必须_;集电结必须_。6. 引入深度负反馈后,放大电路增益只
5、取决于_,而与基本放大电路几乎无关。7. 要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的_元素8产生正弦波振荡的幅值平衡条件是_。9. 场效应晶体管与双极型晶体管比较,场效应晶体管属于_控制器件。10. 场效应晶体管与双极型晶体管比较,输入电阻大的是_晶体管。习题21. 当PN结承受反向电压时,其内部电流关系为( )A. 扩散电流大于漂移电流 B. 扩散电流等于漂移电流C. 扩散电流小于漂移电流 D. 无法确定2. 理想二极管构成的电路如题1图所示,其输出电压u0为()A. -15V B. -9V图 1C. -6V D. +9V图 13. 半导体三极管的特点是( )A. 输入电流
6、控制输出电流 B. 输入电压控制输出电压C. 输入电流控制输出电压 D. 输入电压控制输出电流4. 半导体三极管处在放大状态时是( )A. 集电结正偏发射结正偏 B. 集电结反偏发射结反偏C. 集电结正偏发射结反偏 D. 集电结反偏发射结正偏5. 三种组态的放大电路中,共集电极放大电路的特点是( )A. 能放大电流能放大电压 B. 能放大功率不能放大电压C. 能放大功率不能放大电流 D. 能放大电压不能放大电流6. 直接耦合放大电路存在有零点漂移现象,对此现象有较强抑制作用的电路是( )A. 共射极组态 B. 共集电极组态C. 功率放大电路 D. 差动放大电路7.共模抑制比KCMRR是( )A
7、. 差模输入信号与共模输入信号之比 B. 输入量中差模成份与共模成份之比8单相桥式整流电路变压器次级电压为15V(有效值),则每个整流二极管所承受的最大反向电压为( )A15VB21.21VC30V D42.42V9. 场效应管的转移特性如题2图,则该管为( )A. P沟道增强型FETB. P沟道耗尽型FETC. N沟道增强型FET图 2D. N沟道耗尽型FET图 210在输入量不变的情况下,若引入反馈后( ),则说明引入的反馈是负反馈。A输入电阻增大 B输出量增大 C净输入量增大 D净输入量减小11要求输出电压稳定,并能提高输入电阻,放大电路中应引入( )。A:电压串联负反馈 B:电压并联负
8、反馈 C:电流串联负反馈 D:电流并联负反馈12.若题图3所示电路中晶体管饱和管压降的数值为UCES,则最大输出功率POM( )。A BC 图 3第二题:判断题(每题2分,共10分)1、因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( )2放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;( )3 OTL(单电源)功率放大器中与负载串联的电容器的作用是在回路中起一个直流电源的作用。( )4稳压二极管是特殊的二极管,工作于反向击穿特性。( )5因为RC串并联选频网络作为反馈网络时的F0,单管共集放大电路的A0,满足正弦波振荡的相位条件AF2n(n为整数),故合理连接它们可以构成正弦波振荡电路。( )习
9、题3在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,加入( )几价元素可形成P型半导体。A. 五价 B. 四价 C. 三价2. 当温度升高后,二极管的正向电压( )A、增大 B、减小C、固定不变 D、无法确定3. 测得处于放大状态的某三极管一电极对另外两个电极的电压分别为+3.3v和+4v,则此三极管应为( )A、PNP型锗管 B、NPN型锗管C、PNP型硅管 D、NPN型硅管4. 半导体三极管处在放大状态时是( )A. 集电结正偏发射结正偏 B. 集电结反偏发射结反偏C. 集电结正偏发射结反偏 D. 集电结反偏发射结正偏5. 三种组态的放大电路中,共集电极放大电路的特点是( )A. 能放大电流能放
10、大电压 B. 能放大功率不能放大电流C. 能放大功率不能放大电压 D. 能放大电压不能放大电流6. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )。A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压不稳定7. 差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的( ),共模信号是两个输入端信号的( )。A.差 B.和 C.平均值8放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ( ),而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ( )。A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在。C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适9为了使滤波电路的输出
11、电阻足够小,保证负载电阻变化时滤波特性不变,应选用( ) 滤波电路 。A带阻 B. 带通 C. 低通 D. 有源10. 在OCL乙类功放电路中,若最大输出功率为1W,则电路中功放管的集电极最大功耗约为( ) 。 A1W B0.5W C0.2W第二题:判断题(每题2分,共10分)1、因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( )2若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。( )3若U2为电源变压器副边电压的有效值,则半波整流电容滤波电路和全波整流电容滤波电路在空载时的输出电压均为。( )4在运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地。( )5只要电路引入了正反馈,就一定会产生正弦波振荡。( )习题1 单项选择题 1. A 2. A 3 D 4 C 5 B 6 A 7 B 8 B 9 C 10 B判断题(每题1分) 1 2 3 45填空题(每题1分)1 放大 截止 2 电压 串联 3反相 同相 4 共射 共集 5 正偏 反偏6反馈网络 7 五价元素 8 AF=1 9. 电压 10 场效应管习题2一单
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