材料物理性能期末考试重点

1、 材料物理性能第一章考点1.电子理论的发展经历了三个阶段，即古典电子理论、量子自由电子理论和能带理论。古典电子理论假设金属中的价电子完全自由，并且服从经典力学规律；量子自由电子理论也认为金属中的价电子是自由的，但认为它们服从量子力学规律；能带理论则考虑到点阵周期场的作用。考点2.费米电子在T=0K时，大块金属中的自由电子从低能级排起，直到全部价电子均占据了相应的能级为止。具有能量为Ef（0）以下的所有能级都被占满，而在ef（o）之上的能级都空着，Ef（0）称为费米能，是由费米提出的，相应的能级称为费米能级。考点3.四个量子数1、主量子数n2、角量子数l3、磁量子数m4、自旋量子数mss考点4.

2、思考题1、过渡族金属物理性能的特殊性与电子能带结构有何联系？过渡族金属的d带不满，且能级低而密，可容纳较多的电子，夺取较高的s带中的电子，降低费米能级。第二章考点5.载流子载流子可以是电子、空穴，也可以是离子、离子空位。材料所具有的载流子种类不同，其导电性能也有较大的差异，金属与合金的载流子为电子，半导体的载流子为电子和空穴，离子类导电的载流子为离子、离子空位。而超导体的导电性能则来自于库柏电子对的贡献。考点6.杂质可以分为两类一种是作为电子供体提供导带电子的发射杂质，称为“施主”；另一种是作为电子受体提供价带空穴的收集杂质，称为“受主”。掺入施主杂质后在热激发下半导体中电子浓度增加（np）,

3、电子为多数载流子，简称“多子”空穴为少数载流子，简称“少子”这时以电子导电为主，故称为n型半导体。施主杂质有时也就称为n型杂质。在掺入受主的半导体中由于受主电离（pn）,空穴为多子，电子为少子，因而以空穴导电为主，故称为p型半导体。受主杂质也称为p型杂质。考点7.我们把只有本征激发过程的半导体称为本征半导体。考点8.在同一种半导体材料中往往同时存在两种类型的杂质，这时半导体的导电类型主要取决于掺杂浓度高的杂质。随着温度的升高本征载流子的浓度将迅速增加，而杂质提供的载流子浓度却不随温度而改变。因此，在高温时即使是杂质半导体也是本征激发占主导地位，呈现出本征半导体的特征（np。一般半导体在常温下靠

4、本征激发提供的载流子甚少考点9.n型半导体的电阻率在不同温区的变化规律祗址庶1祗址庶1胞利区丄木征IX禺邑2311型半导体屯阴率陋温厦的变化在低温区费米能级高于施主能级，施主杂质并未全部电离。随着温度的升高，电离施主增多使导带电子浓度增加。与此同时，在该温度区内点阵振动尚较微弱，散射的主要机制为杂质电离，因而载流子的迁移率随温度的上升而增加。尽管电离施主数量的增多在一定程度上也要限制迁移率的增加，但综合效果仍然使电阻率下降。当温度升高到费米能级低于施主能级时，杂质全部电离，称为饱和区。由于本征激发尚未开始，载流子浓度基本上保持恒定。然而，这时点阵振动的声子散射已起主要作用而使迁移率下降，因而导

5、致电阻率随温度的升高而增高。温度的进一步升高，由于本征激发，载流子随温度而显著增加的作用已远远超过声子散射的作用，故又使电阻率重新下降。考点10.电介质的极化包括电子极化、原子（离子）极化和取向极化考点11.绝缘体作为材料使用可以分为绝缘材料和介电材料两类。考点12.属于介电性的有压电性、电致伸缩性和铁电性。考点13.由于机械力的作用而激起表面电荷的效应称压电效应。考点14.为什么铁电体会有电滞回线主要是因为铁电体是由铁电畴组成的。研究表明，铁电体并不是在一个方向上单一地产生自发极化，而是在许多小区域内自发极化并具有不同的极化方向。每一极化方向相同的小区域称为铁电畴，而畴之间的界壁称为畴壁。在

6、没有外电场存在时，晶体的总电矩为零。考点15.现代超导理现代超导理论认为，在很低温度下，由于电子和声子(点阵振动)的强相互作用，使得电子能够成“对”地运动，在这些“电子对”之间存在着相互吸引的能量，这些成对的电子在材料中规则地运动时，如果碰到物理缺陷、化学缺陷或热缺陷，而这种缺陷所给予电子的能量变化又不足以使“电子对”破坏，则此“电子对”将不损耗能量，即在缺陷处电子不发生散射而无阻碍地通过，这时电子运动的非对称分布状态将继续下去。这一理论揭示了超导体中可以产生永久电流的原因。考点16.思考题1、试用能带论概念解释绝缘体和半导体满带：各能级都被电子填满的能带。满带中电子不参与导电过程。价带：由价

7、电子能级分裂而形成的能带。价带能量最高，可能被填满，也可不满。空带：与各原子的激发态能级相应的能带。正常情况下没有电子填入。当温度接近热力学温度零度时，半导体和绝缘体都具有满带和隔离满带与空带的禁带。晶体电子恰好填满了最低的一系列能带，能量再高的能带都是空的，而且最高的满带与最低的空带之间存在一个很宽的禁带(如gE25eV),那么，这种晶体就是绝缘体。半导体晶体电子填充能带的状况与绝缘体的没有本质不同，只是最高满带与最低空带之间的带隙较窄(为Eg=13eV),这样，在T=OK时，晶体是不导电的，在THOK时，将有部分电子从满带顶部被激发到空带的底部，使最高的满带及最低的空带都变成部分填充电子的

8、不满带，晶体因而具有一定的导电能力。导体中存在未满带未满带未满带未满带(由于电子未充满或能带重叠)。绝缘体的特征是价电子所处的能带都是满带，且满带与相邻的空带之间存在一个较宽的禁带禁带禁带禁带。例如，绝缘体金刚石禁带的能隙(Eg)为5.2eV(或500kJmol-1),是个典型的绝缘体。半导体的能带与绝缘体的相似，但半导体的禁带要狭窄得多(一般在1eV左右)。例如，半导体硅和锗的禁带的能隙分别为1.12eV和0.67eV。2、一块n型硅材料，掺有施主浓度ND=1.5x10i5/cm3,在室温T=300K时本征载流子浓度Ni=1.3x10i2/cm3，求此时该块半导体的多数载流子浓度和少数载流子

9、浓度。解：多数载流子浓度即为ND=1.5x1015/cm3由公式Ni2=NDxPD得PD=1.9x109/cm3此即为少数载流子浓度3、一硅半导体含有施主杂质浓度ND=9x1015/cm3和受主杂质浓度NA=1.1x1016/cm3,求在T=300K时(Ni=1.3x1010/cm3)的电子空穴浓度。解：由施主杂质浓度为ND=9x1015/cm3,以及受主杂质浓度为NA=1.1x1016/cm3可得净受主杂质浓度为PA=2x1015/cm3此即为净pD由Ni2=nDxpD得nD=8.5x104/cm3此即为电子空穴浓度第三章考点17.概念辨析1、磁矩定义为M=ISn式中，M为载流线圈的磁矩；n

10、为线圈平面的法线方向上的单位矢量；S为线圈的面积；丨为线圈通过的电流。在磁性材料中存在磁矩。磁矩可看做由北极和南极组成的小磁棒，其方向由南指北2、磁场强度H：如果磁场是由长度为1，电流为I的圆柱状线圈（N匝）产生的，对于磁场强度，不考虑材料介质特性，仅由电流决定，则H=NI/lH的单位为安/米（A/m）。3、磁感应强度B：表示材料在外磁场H的作用下在材料内部的磁通量密度，对于磁感应强度，则考虑介质特性，由介质和电流共同决定。B的单位为特斯拉（门或Wb/m2。注：B和H都是磁场向量，不仅有大小，而且有方向。4、单位体积的磁矩称为磁化强度，用M表示，即M为在外磁场日的作用下，材料中因磁矩沿外场方向

11、排列而使磁场强化的量度。M的大小与外磁场强度成正比：M=H称为磁化率，也是无量纲参数。表玉工两种单也制的换算关系国际单位制奇斯单位制换算关系磁场强度H安/米A7m)奥斯特1安/米计10=奧斯特（CM磁化强度M安/峯m)高斯1安/米中高i（c3）磁感磁强度B待斯拉（T）高斯1T=l(r离斯(G)磁化率才无址纲无量鋼磁导率卩事利Z(H7nj)无宦纲考点18.磁场强度、磁感应强度、磁化强度及其关系磁场强度H：如果磁场是由长度为/,电流为I的圆柱状线圈（N匝）产生的，对于磁场强度，不考虑材料介质特性，仅由电流决定，则H=NI/lH的单位为安/米（A/m）。磁感应强度B：表示材料在外磁场H的作用下在材料

12、内部的磁通量密度，对于磁感应强度，则考虑介质特性，由介质和电流共同决定。B的单位为特斯拉（刁或Wb/m2。B和H都是磁场向量，不仅有大小，而且有方向。磁场强度和磁感应强度的关系为B=H式中，为磁导率，是材料的特性常数，表示材料在单位磁场强度的外磁场作用下，材料内部的磁通量密度（见图3.3（b）。的单位为亨/米（H/m）。在真空中（见图3.3（a），磁感应强度为Bo=oH式中，0为真空磁导率，它是一个普适常数，其值为4X10-7H/m。描述固体材料磁性的参数有相对磁导率，磁化强度M和磁化率r相对磁导率是材料的磁导率与真空磁导率0之比。r0单位体积的磁矩称为磁化强度，用M表示，即M为在外磁场日的作

13、用下，材料中因磁矩沿外场方向排列而使磁场强化的量度。M的大小与外磁场强度成正比：M=H称为磁化率，也是无量纲参数。考点19.物质的磁性分类統聒世甜料M=H称为磁化率，也是无量纲参数。考点19.物质的磁性分类統聒世甜料S五姿遵阵的磁化曲线亚铁強性材料抗昭性材科铁昭牲材料考点20.磁化曲线BK“frftiBK“frfti图3.10铁磁体的磁化曲线和磁滞回线铁磁性物质的磁化曲线（M-H或B-H）是非线性的。如图OKB曲线所示随磁化场的增加，磁化强度M或磁感强度B开始时增加较缓慢，然后迅速地增加，再转而缓慢地增加，最后磁化至饱和。M称为饱和磁化强度，B称为饱和磁感应强度。磁化至饱和后，磁化强度不再随外

14、磁场的增加而增加SS将一个试样磁化至饱和，然后慢慢地减少H，则M也将减小，这个过程叫退磁。但M并不按照磁化曲线反方向进行，而是按另一条曲线改变，如图中的BC段所示。减小到零时，M=Mr（或Br=4Mr）oMBr分别称为剩余磁化强度、剩余磁感强度（简称剩磁）。如果要使M=O（或B=0），则必须加上一个反向磁场以，称为矫顽力。通常把曲线上的CD段称为退磁曲线。从这里可以看出，退磁过程中M的变化落后于H的变化，这种现象称为磁滞现象。考点21.磁弹性能物体在磁化时要伸长（或收缩），如果受到限制，不能伸长（或收缩），则在物体内部产生压应力（或拉应力）。这样，物体内部将产生弹性能，称为磁弹性能。因此，物体

15、内部缺陷、杂质等都可能增加其磁弹性能。考点22.技术磁化包含着两种机制：壁移磁化和畴转磁化。壁移磁化：在有效场作用下，自发磁化方向接近于H方向的磁畴长大，而与H方向偏离较大的近邻磁畴相应缩小，从而使畴壁发生位置变化其实质是：在H作用下，磁畴体积发生变化，相当于畴壁位置发生了位移。磁畴转动磁化过程：在H工0时，铁磁体磁畴内所有磁矩一致向着H方向转动的过程。外磁场的作用是导致磁畴转动的根本原因及动力（即H工0时，总自由能将发生变化，其最小值方向将重新分布,磁畴的取向也会由原来的方向向H方向转动）考点23.改善铁磁材料磁导率的方法有：消除铁中的杂质；把晶粒培育到很大的尺寸；造成再结晶织构，即在再结晶

16、时使晶体的易轴（100）沿外磁场排列起来；退火时在一定方向施加磁场，并在冷却过程中使磁场从居里点保持到材料只有很低范性的低温，这就是磁场中的退火。考点24.软磁材料容易磁化和退磁的磁性材料称为软磁材料，即这类材料的磁滞回线很窄。其特点是矫顽力低，磁导率高，每周期的磁滞损耗（Q）小。它可分为金属软磁材料和非金属软磁材料。考点25.思考题1、试说明下列磁学参量的定义和概念：磁化强度、矫顽力、饱和磁化强度、磁导率、磁化率、剩余磁感应强度、磁各向异性常数、饱和磁致伸缩系数。a、磁化强度：一个物体在外磁场中被磁化的程度，用单位体积内磁矩的多少来衡量，成为磁化强度Mb、矫顽力He：个试样磁化至饱和，如果要

17、=0或B=0，则必须加上一个反向磁场He,成为矫顽力。c、饱和磁化强度：磁化曲线中随着磁化场的增加，磁化强度M或磁感强度B开始增加较缓慢，然后迅速增加，再转而缓慢地增加，最后磁化至饱和。Ms成为饱和磁化强度，Bs成为饱和磁感应强度。d、磁导率：=B/H,表征磁性介质的物理量，称为磁导率。e、磁化率：从宏观上来看，物体在磁场中被磁化的程度与磁化场的磁场强度有关。M=H，称为单位体积磁化率。f、剩余磁感应强度：将一个试样磁化至饱和，然后慢慢地减少H，则M也将减少，但M并不按照磁化曲线反方向进行，而是按另一条曲线改变，当H减少到零时，M=Mr或Br=Mr（Mr、Br分别为剩余磁化强度和剩余磁感应强度

18、）g、磁滞消耗：磁滞回线所包围的面积表征磁化一周时所消耗的功，称为磁滞损耗Q（J/m3）h、磁晶各向异性常数：磁化强度矢量沿不同晶轴方向的能量差代表磁晶各向异性能，用Ek表示。磁晶各向异性能是磁化矢量方向的函数。i、饱和磁致伸缩系数：随着外磁场的增强，致磁体的磁化强度增强，这时|也随之增大。当H=Hs时，磁化强度M达到饱和值，此时=，称为饱和磁致伸缩所致。2、什么是自发磁化？铁磁体形成的条件是什么？有人说“铁磁性金属没有抗磁性”，对吗？为什么？a、组成铁磁性材料的原子或离子有未满壳层的电子，因此有固有原子磁矩。在铁磁性材料中，相邻离子或原子的未满壳层的电子之间有强烈的交换耦合作用，在低于居里温

19、度并且没有外加磁场的情况下，这种作用会使相邻原子或离子的磁矩在一定区域内趋于平行或者反平行排列，处于自行磁化的状态，称为自发磁化。b、铁磁性材料具有一个磁性转变温度:居里温度Tc。一般自发磁化随环境温度的升高而逐渐减小，超过居里温度Tc后全部消失，此时材料表现出顺磁性，材料内部的原子磁矩变为混乱排列。只有当TVTc时，组成铁磁性材料的原子磁矩在磁畴内才平行或反平行排列，材料中有自发磁化。材料内部相邻原子的电子之间存在一种来源于静电的相互交换作用，由于这种交换作用对系统能量的影响，迫使各原子的磁矩平行或反平行排列，形成自发磁化。c、材料的磁性来源于电子的轨道运动和电子的自旋运动。所有的材料处于磁

20、场中时，外磁场都会对电子轨道运动回路附加有洛伦兹力，使材料产生一种抗磁性，其磁化强度和磁场方向相反。抗磁性是电子轨道运动感生的，因此所有物质有抗磁性。但并非所有物质都是抗磁体，这是因为原子往往还存在着轨道磁矩和自旋磁矩所组成的顺磁磁矩。原子系统具有总磁矩时，只有那些抗磁性大于顺磁性的物质才成为抗磁体。3、什么叫磁弹性能？他受哪些因素影响？物体在磁化时伸长或收缩受到限制，则在物体内部形成应力，从而内部将产生弹性能，即磁弹性能。物体内部的缺陷、杂质等都可以增加其磁弹性能。对于多晶体而言，若磁弹性能是由于应力的存在而引起的，那么磁化方向和应力方向的夹角、材料所受的应力、饱和磁致伸缩系数和单位体积中的

21、磁弹性能都会影响该磁弹性能。4、技术磁化过程可分为那几个阶段，各个技术磁化阶段的特点是什么？什么叫单畴体？单晶体一定是单畴体吗？IIZ_tXaT厶上*、厂F4一rT*rIiab才m庆八与h曲线不再是线性。此阶段中t-h4-XriMrtJ-U/liJ多M厶HJLn-rLf-/rAn一ix公甘C口TAA/匚日厶厶44-八r口、十ZUC当磁化到SI第四部分禾:书上为三个过程，但相对而言我认为这个答案更为合理和完整。若有疑虑，可省说法一、具有强磁化强度的颗粒如磁铁矿其自发能随着体积增大能够迅速增大。在某些非子自旋最终定向排列。这种颗粒被均匀磁化，并被称为单畴（singledomain,SD）。当磁化到

22、SI第四部分禾:书上为三个过程，但相对而言我认为这个答案更为合理和完整。若有疑虑，可省说法一、具有强磁化强度的颗粒如磁铁矿其自发能随着体积增大能够迅速增大。在某些非子自旋最终定向排列。这种颗粒被均匀磁化，并被称为单畴（singledomain,SD）。说法二、多畴的大块材料在很强的外磁场的作用下，被磁化至饱和状态，整块材料内的自发磁化强度基本上取在个磁化方向上，形成一个单畴。单晶体不一定是单畴体假如单晶半径为R，单畴体的临界尺寸为r，如果Rr,则不是单畴结构；如果Rr,则肯定是单畴结构。也就是说，单畴体有一个临界尺寸，但临界尺寸r不一定是单晶尺寸。当R0第四章考点26.金属的摩尔定容热容由点阵

23、振动和自由电子两部分的贡献组成考点27.常温时与点阵振动对摩尔定容热容的贡献相比，电子的贡献微不足道，但在极高温和极低温条件下则不可忽略。这是因为在高温下，电子像金属晶体的离子那样显著地参加到热运动中，以CCccaT作出贡献。因此,在III温区CV不以3R为渐近线，而继续有所上升。在极低温度下电子摩尔定容热容不像离子热容那样急剧减小，V,m因而在极低温下起着主导作用。随T的降低CV趋近于零，当T增高到德拜温度D以上时，CV接近于3R。如果把CV看做T/n的函数，贝对所V,mDV,mV,mD有金属都得到同样的关系。过渡族金属摩尔定容热容中电子部分的贡献表现得较显著，它包括s态电子的摩尔定容热容，

24、也包括d或f态电子的摩尔定容热容。考点28.相变相变分为一级相变和高级（二级、三级相变。1、当系统由1相转变为2相时，化学势广2,而化学势的一级偏微商不相等，称为一级相变。在一级相变时发生体积突变（V的同时还发生熵（及热焓）的突变（）0属于一级相变的有：物态变化、同素异构转变、共晶、包晶、共析转变等。2、当系统相变时广2,且化学势的一级偏微商也相等，而化学势的二级偏微商不相等。贝称为二级相变。二级相变时Cp,m0*，即体积和热焓均无明显变化而Cp,m有突变属于二级相变的有：铁磁-顺磁以及部分铁电-顺电和有序-无序转变等。考点29.膨胀合金的工业应用铁磁合金的热膨胀反常在工业上有重要的应用。这里

25、大体可分为两大类：低膨胀合金和定膨胀合金。考点30.热传导的物理机制热传导的过程就是材料内部的能量传输过程。在固体中能量的载体可以有自由电子、声子（点阵波）和光子（电磁辐射）。因此，固体的导热包括：电子导热、声子导热和光子导热。考点31.思考题1、何谓德拜温度？有什么物理意义？对它有哪些测试方法？德拜温度:固体比热理论中按照德拜假设分析时产生的一个参量。（为了准确计算固体比热容而引入的一个物理量。）不同固体的德拜温度不同。物理意义:德拜温度D是反映晶体点阵内原子间结合力的又一重要物理量，是反映固体的许多特性的重要标志。测试方法：X射线衍射强度2、根据维德曼-弗兰兹定律计算镁在400的热导率。已

26、知镁在0的电阻率=4.410-6xcm，电阻温度系数=0.005-1。注意:1、计2、计=0.005-1。注意:1、计2、计时要注意开氏温度与摄氏温度的换算；注意厘米与米的换算k-23、计算时为了求。，因此公式Qk-2解：由公式/（TT）=2.54x10-8W=1T1T=o(1+T)Q得:=111111111111111111111111111-=210.5Wm-1k-1AA7TZ*第五章考点32.可见光波的波长为390770nm。考点33.偏振性是横波的特有性质。考点34.几条有关光传播特性的基本规律1、光在均匀介质中的直线传播定律；2、光通过两种介质的分界面时的反射定律和折射定律；3、光的独立传播定律和光路可逆性原理。考点35.棱镜、透镜和反射镜1、利用材料的折射性质