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1、大学物理AII作业 No.9原子结构 激光 固体一、选择题氢原子中处于3d量子态的电子，描述其量子态的四个量子数(,l, ml, m$)可能取的值为D (A) (3，1，1,1/2)(B) (1, 0, 1,1/2)(D) (3, 2, 0, 1/2)(C) (2, 1, 2, (D) (3, 2, 0, 1/2)解：3d量子态的量子数取值为n = 3, l=2, m = 0, 1,2在氢原子的K壳层中，电子可能具备的量子数(,l,m, ms)是A (A) (1, 0, 0, 1/2)(B) (1, 0,1, 1/2)(C) (1,1,0,1/2)(D) (2,1,0,1/2)解：K 壳层 n

2、 = 1, l=0, m i =0, m =1/2。P型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级)，在能级结构中应处于C (A)满带中。(B)导带中。禁带中，但接近满带顶。(D)禁带中，但接近导带底。与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是C (A)导带也是空带。满带与导带重合。禁带宽度较窄。满带中总是有空穴，导带中总是有电子。激发本征半导体中传导电子的几种方法有(1)热激发，(2)光激发，(3)用三价元素掺 杂，(4)用五价元素掺杂。对于纯错和纯硅这类本征半导体，在上述方法中能激发其传导 电子的只有D (A) (1)和(2)。(B) (3)和(4)。(C) (1)(2)和(3)。(D)

3、(1)(2)和(4)。硫化镉(CdS)晶体的禁带宽度为2.42eV,要使这种晶体产生本征光电导，则入射到晶体上的光的波长不能大于(普朗克常量h = 6.63 x 10-34J s，基本电荷e = 1.60 x 10- 19C)D (A) 650nm。(B) 628nm。(C) 550nm。(D) 514nm。hc解：hv = 2.42eV, 人hc6.63 x 10-hc6.63 x 10-34 x 3 x 108人 AE，X =1.85 x 10-6 (m)人AE0.67 x 10-19 x 1.6若错用铟(三价元素)掺杂，则成为 P型半导体。请在所附的能带图中定性画出施主能级或受主能级。解施主能级或受主能级。解：答案见图激光器的基本结构包括三部分，即工作物质 、 激励能源和光学谐振腔光和物质相互作用产生受激辐射时，辐射光和照射光具有完全相同的特性，这些特性是指相位、频率、偏振态

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