简明教程-第5章

1、半导体器件原理简明教程第5章 金属半导体接触和异质结作者：傅兴华 陈军宁等单位：贵州大学、安徽大学制作时间：2010年10月科学出版社高等教育出版中心理想金属半导体接触理想金属-半导体接触的基本假定 金属半导体直接接触，没有任何中间介质层； 没有界面态。2022/10/102科学出版社高等教育出版中心理想金属半导体接触理想金属-n硅半导体接触前的能带图(m s)2022/10/103科学出版社高等教育出版中心理想金属半导体接触理想金属-n硅半导体接触平衡态能带图(m s)2022/10/104科学出版社高等教育出版中心理想金属半导体接触理想金属-n硅半导体接触正偏能带图(m s)2022/10

2、/105科学出版社高等教育出版中心理想金属半导体接触理想金属-n硅半导体接触反偏能带图(m s)2022/10/106科学出版社高等教育出版中心理想金属半导体接触理想金属-p硅半导体接触平衡态能带图(m s)2022/10/107科学出版社高等教育出版中心理想金属半导体接触理想金属-p硅半导体接触正偏和反偏能带图(m s)半导体表面形成空穴积累层2022/10/109科学出版社高等教育出版中心理想金属半导体接触理想金属-p硅半导体接触正偏和反偏能带图(m s)2022/10/1010科学出版社高等教育出版中心理想金属半导体接触理想金属-n硅半导体接触平衡态能带图(m s)半导体表面形成电子积累

3、层2022/10/1011科学出版社高等教育出版中心理想金属半导体接触理想金属-n硅半导体接触正偏和反偏能带图(m s)2022/10/1012科学出版社高等教育出版中心理想金属半导体接触理想金属-半导体接触小结2022/10/1013科学出版社高等教育出版中心金属半导体接触的非理想效应镜像电荷和镜像电场2022/10/1014科学出版社高等教育出版中心金属半导体接触的非理想效应肖特基势垒降低效应2022/10/1015科学出版社高等教育出版中心金属半导体接触的非理想效应非理想金属半导体接触能带图2022/10/1016科学出版社高等教育出版中心金属半导体接触的非理想效应界面态产生的原因晶格周

4、期性在半导体表面中断；半导体表面缺陷；半导体表面吸附其它原子。2022/10/1017科学出版社高等教育出版中心金属半导体接触的非理想效应界面态和钉扎效应2022/10/1018科学出版社高等教育出版中心肖特基接触的电流电压关系金属-n型半导体肖特基接触能带图2022/10/1019科学出版社高等教育出版中心肖特基接触的电流电压关系电流电压关系分析2022/10/1020科学出版社高等教育出版中心肖特基接触的电流电压关系电流电压关系分析2022/10/1021科学出版社高等教育出版中心肖特基结与pn结主要特性比较都具有整流特性；肖特基结的反向电流比pn结大得多，具有明显的非饱和特性；肖特基结是

5、多数载流子器件，而pn结是少数载流子器件；肖特基结两侧载流子的看到的势垒是不相同的，而pn结界面两侧电子和空穴看到的势垒是相同的。2022/10/1022科学出版社高等教育出版中心欧姆接触的实现方法选择合适的金属，使之与半导体形成欧姆接触；半导体表面电极接触处重掺杂。2022/10/1023科学出版社高等教育出版中心欧姆接触的实现方法重掺杂半导体表面的能带图2022/10/1024科学出版社高等教育出版中心异质结能带图异质结能带图的三种对应关系2022/10/1025科学出版社高等教育出版中心异质结能带图异质结能带图的画法第一步：计算导带和价带能量差2022/10/1026科学出版社高等教育出

6、版中心异质结能带图异质结能带图的画法第二步：对齐费米能级，预留过渡区，判断接触后能带弯曲方向在一条直线上标记EC、EV 、Eg1和Eg2。 2022/10/1027科学出版社高等教育出版中心异质结能带图异质结能带图的画法第三步：将标记有EC、EV 、Eg1和Eg2 的直线放入过渡区的适当位置。2022/10/1028科学出版社高等教育出版中心异质结能带图异质结能带图的画法第四步：用平滑曲线将半导体带边与标记直线上相应的带边点连接2022/10/1029科学出版社高等教育出版中心异质结的基本特性pn异质结的接触电势差2022/10/1030科学出版社高等教育出版中心异质结的基本特性pn异质结的电

7、场分布2022/10/1031科学出版社高等教育出版中心异质结的基本特性pn异质结的电势分布2022/10/1032科学出版社高等教育出版中心异质结的基本特性pn异质结的耗尽区和电容2022/10/1033科学出版社高等教育出版中心异质结的基本特性pn异质结的注入效率2022/10/1034科学出版社高等教育出版中心同型异质结平衡态能带图2022/10/1035科学出版社高等教育出版中心同型异质结加偏压能带图2022/10/1036科学出版社高等教育出版中心同型异质结加偏压能带图2022/10/1037科学出版社高等教育出版中心同型异质结同型异质结高电子迁移率多沟道并联2022/10/1038

8、科学出版社高等教育出版中心应变异质结异质外延12022/10/1039科学出版社高等教育出版中心应变异质结异质外延22022/10/1040科学出版社高等教育出版中心应变异质结异质外延32022/10/1041科学出版社高等教育出版中心应变异质结异质外延42022/10/1042科学出版社高等教育出版中心应变异质结硅锗应变异质结的禁带宽度与锗摩尔分数关系曲线2022/10/1043科学出版社高等教育出版中心应变异质结硅锗应变基区双极型晶体管结构2022/10/1044科学出版社高等教育出版中心应变异质结硅锗应变基区双极型晶体管杂质分布2022/10/1045科学出版社高等教育出版中心应变异质结硅锗应变基区双极型晶体管正向有源状态能带图2022/10/1046科学出版社高等教育出版中心应变异质结硅锗-硅应变结沟道张应力提高n-MOSFET电子迁移率2022/10/1047科学出版社高等教育出版中心应变异质结硅锗-硅应变结沟道压应力提高p-MOSFET空穴迁移率2022/10/1048科学出版社高等教育出版中心应变异质结压应力提高p-MOSFET空穴迁