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文档简介

1、铜金属光栅制作工艺原理得到洁净干燥的单晶硅基底后，再基底表面淀积一层铜薄膜，再用光刻胶覆 盖于表面上。用掩膜版对准后用UV光曝光后可以使光刻胶变性改变其在显影液 中的溶解度，再在显影液中显影使相应部分光刻胶溶解，就可以得到想要的图形。 然后利用光刻胶和铜的选择比不同的特性用ICP进行刻蚀。然后去除光刻胶及去 除残留物后再层积反射膜即可，此外在主要的每一步后要进行清洗。二.各步工艺描述及操作过程1得到单晶硅基底得到单晶硅基底后用改进RCA方法清洗，首先把硅片浸入piranha清洗液 19分钟去除有机物和金属，再用超纯水进行清洗。然后用稀HF清洗去除 自然氧化层，再用超纯水进行清洗。然后用NH4O

2、H:H2O2:H20为1:4:50的 SC-1清洗液清洗，再用超纯水进行清洗。重复HF清洗的步骤。最后用SC-2 清洗液清洗除去金属。再重复HF清洗的步骤，最后干燥。淀积使用磁控溅射技术。阳极上放硅片，铜靶材做阴极。真空室作为放电二极 管，通入放电气体。磁控溅射系统是在靶的周围和后面装置了磁体以俘获 并限制电子于靶的前面，提高了溅射效率。高能粒子撞击靶材使铜原子逸 出到阳极在硅片表面沉积成铜的薄膜。涂胶先进行清洗，脱水和表面成底膜处理。将硅片固定在真空载片台上，当硅 片静止或旋转得非常缓慢时，光刻胶被分滴在铜片表面。快速加速硅片的 旋转到一高的转速使光刻胶伸展到整个铜片表面。旋转甩掉，甩去多余

3、的 光刻胶，在硅片上得到均匀的光刻胶胶膜覆盖层。溶剂挥发。以固定转速 继续旋转已涂胶的硅片，直至溶剂挥发，光刻胶胶膜几乎干燥。曝光使用分布重复光刻机。掩膜版对准，后用UV光照射实现曝光。显影用连续喷雾显影法，当一个或多个喷嘴喷洒显影液到硅片表面时，真空吸 盘上的单个硅片以很慢的速度旋转。显影液以雾的形式喷洒，有些工艺使 用超声波雾化以获得低速弥散。刻蚀ICP刻蚀法：离子体区主要由附加的通过感应耦合的磁场激发而非电极间的交变电场 激发，于是等离子体密度、温度都可大大提高，此为ICP刻蚀。质量小的 电子运动快，被导电能力弱的基片吸收并积累，因此基片上有负电势首先 产生此负电势（几百伏）而后加速质量大，运动慢的带核正离子，并撞 击基片致使基片被侵蚀.。Lift-off 法在lift-off工艺中，首先形成光刻图形，然后沉积薄膜，最后用化学试 剂除去光刻胶，此时连同不需要的薄膜一同除去，这个过程恰好与刻蚀过 程相反除胶用等离子体去胶机去胶，通过氧原子与光刻胶在等离子体环境中发生反应 来去除光刻胶。层积反射膜此外要注意的是以上每一步之后都要用去离子

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