单一来源采购专业人员论证意见表

1、单一来源采购专业人员论证意见表时间： 2016年 10月25 日中央主管预算单位中国科学院中央预算单位中国科学院物理研究所项目名称硅锗分子束外延系统中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室承担了国家重点研发计划 “半导体量子芯片” 的课题“高质量硅基半导体量子芯片材料研究” ，拟开展拥有长量子相干时间的硅基半导体量子材料的研究， 以获得比特品质因子 1000、比特数 4-6 的集成量子芯片，为项目提供具有独特性质的高质量材料。 课题的核心是获得长量子相干时间，若材料中存在核自旋， 电子自旋和核自旋的超精细相互作用使得量子相干容易在短时间内丢项目背景失，为此，实验室计划购置一台用于生长没有核自旋

2、的同位素纯化的高质量硅锗材料 （不含硅 29 和锗 73）的分子束外延系统。实验所需的分子束外延系统要求： 能够生长高质量的同位素纯化的高纯硅基量子材料。 一方面需要设备能够生长高纯的同位素纯化的硅锗材料； 另一方面需要具有非常干净的腔体即超高真空和极低的背景掺杂浓度，背景掺杂浓度需要小于14-310 cm 。此外，量子材料的生长还需设备能够在衬底温度低于零下 100 摄氏度的条件下进行。中国科学院物理研究所因承担国家重点研发计划“半导体量子芯片” 的课题“高质量硅基半导体量子芯片材料研究” ，需要采购一台用于生长同位素纯化的高质量硅锗材料的分子束外延系统。 该系统需要具有如下技术指标：生长的

3、同位素纯化的硅锗材料中硅28 含量大于 99.99%，锗 73 的含量小于 0.02%，背景掺杂浓度14-3专家 1论证意见需要小于 10cm ，衬底温度可以低至零下 100C以下。能够满足上述实验要求的设备目前国内还无法生产， 国际上也只有德国的 Dr. Eberl MBE-Komponenten GmbH公司提供的产品能够满足上述技术指标。 因此只能采用单一来源方式采购进口产品。专家姓名：王新强工作单位：北京大学职称：教授专家 2论证意见专家 3论证意见中国科学院物理研究所因承担国家重点研发计划课题“高质量硅基半导体量子芯片材料研究”，拟开展拥有长量子相干时间的硅基半导体量子材料的研究，以

4、获得比特品质因子 1000、比特数 4-6 的集成量子芯片， 为项目提供具有独特性质的高质量材料。为此，实验室计划购置一台用于能够生长没有核自旋的同位素纯化的高质量硅锗材料（不含硅 29和锗 73）的分子束外延系统。实验所需设备要求：能够生长高纯的同位素纯化的硅锗材料（硅 28含量大于 99.99%，锗73的含量小于 0.02%）；另一方面需要具有超高真空和极低的背景掺杂浓度小-3于 10 cm 。此外，量子材料的生长还需设备能够在衬底温度低于零下 100摄氏度的条件下进行。能够满足上述实验要求的设备目前国内还无法生产， 国际上也只有德国的 Dr. Eberl MBE-KomponentenG

5、mbH公司提供的设备能满足我们的要求。因此只能采用单一来源方式采购进口产品。专家姓名：何珂工作单位：清华大学职称：教授中科院物理所因开展拥有长量子相干时间的硅基半导体量子材料的研究，以获得比特品质因子 1000、比特数 4-6 的集成量子芯片，需要采购一台硅锗分子束外延系统用于生长高质量的同位素纯化的硅锗半导体量子芯片材料。系统需要硅锗材料中硅是没有核自旋的硅28材料，锗是不含锗 73的材料，背景掺杂浓度需要小于14-3前能够满足上述实验要求的设备国内还无法生产，国际上也只有德国的 Dr. Eberl MBE-KomponentenGmbH公司提供的产品能够满足要求。 因此只能采用单一来源方式

6、采购进口产品。专家 4论证意见专家 5论证意见专家姓名：赵建华工作单位：中国科学院半导体研究所职称：研究员中科院物理所承担的国家重点研发计划“半导体量子芯片”的课题“高质量硅基半导体量子芯片材料研究”，需要生长高质量的同位素纯化的硅基半导体量子芯片材料，以获得长量子相干时间。 为此，需要采购一台硅锗分子束外延系统。 系统需要硅锗材料是同位素纯化的，即硅 28含量大于 99.99%，锗73的含量小于 0.02 ）；14-3同时背景掺杂浓度需要小于 10 cm ；且可在低于零下 100 C的条件下进行生长。能够满足上述实验要求的设备目前国内还无法生产，国际上也只有德国的Dr.Eberl MBE-KomponentenGmbH公司提供的产品能够满足实验所需技术要求。因此只能采用单一来源方式采购进口产品。专家姓名：刘峰奇