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文档简介
1、PAGE6课时达标作业10碳、硅及其化合物基础题1硅的氧化物及硅酸盐构成了地壳中大部分的岩石、沙子和土壤。在无机非金属材料中,硅一直扮演着主角。下面几种物质中含有硅单质的是解析:玛瑙、光导纤维和水晶的主要成分是SiO2,硅单质可用来制造太阳能电池板。答案:C2新材料的新秀石墨烯、氧化石墨烯已成为物理、化学、材料科学研究的国际热点课题。其结构模型如图所示。下列有关说法正确的是A石墨烯是一种新型化合物B氧化石墨烯即石墨烯的氧化物C二者和石墨都是碳的同素异形体D氧化石墨烯具有一定的亲水性解析:石墨烯是碳的单质,A错误;氧化石墨烯因为还含有氢元素,故不是石墨烯的氧化物,也不是碳的同素异形体,B、C错误
2、;由于氧化石墨烯结构中含有羟基和羧基等亲水基团,所以具有一定的亲水性,D正确。答案:D3下列关于硅的说法不正确的是A硅的非金属元素,晶体硅是灰黑色有金属光泽的固体B硅的导电性能介于导体和绝缘体之间,是良好的半导体材料C硅的化学性质不活泼,常温下不与任何物质起反应D加热到一定温度时,硅能与氯气、氧气等非金属反应解析:晶体硅的导电性介于导体和绝缘体之间,是良好的半导体材料。硅在常温下化学性质不活泼,但仍能与氟气、氟化氢和NaOH溶液等发生反应,加热至一定温度时,硅能与氯气、氧气等发生反应。答案:C4半导体工业中,有一句行话:“从沙滩到用户”,即由SiO2制取Si。制取过程中不涉及的化学反应是A2C
3、SiO2eqo=,su420 ol,开始时须严格控制氮气的流速以控制温度的原因是_。X可能是_选填“盐酸”“硝酸”“硫酸”或“氢氟酸”。解析:1工业上采用化学气相沉淀法制备Si3N4的反应中,反应物是H2、SiCl4和N2,根据质量守恒,除了Si3N4外,含有HCl气体生成,从而写出该反应的化学方程式。2氮气中含有少量氧气及水蒸气,高温下氧气及水蒸气能明显腐蚀产品Si3N4,因此需要将氮气净化,用Cu除去氧气,硅胶除去水蒸气。氮化炉温度为12001400 ,硅的熔点为1420 ,该反应是放热反应,严格控制氮气流速,以控制温度为12001400 ,防止硅熔化成团,阻碍硅与氮气充分接触。Si3答案
4、:13SiCl42N26H2=Si3N412HCl2除去原料气中的氧气除去水蒸气这是放热反应,防止局部过热导致硅熔化熔合成团,阻碍与N2的充分接触硝酸16二氯二氢硅SiH2Cl2常用于外延法工艺中重要的硅源。易燃、有毒,与水接触易水解,沸点为8.2 。在铜催化作用下,HCl与硅在250260 反应可以制得SiH2Cl2。12D装置中生成二氯二氢硅的化学方程式为_。3按照气体从左到右的方向,制取SiH2Cl2的装置h处用止水夹夹好连接次序为a填仪器接口的字母,其中装置C用到2次。4按从左到右的顺序,前面装置C中装的药品为_,后面装置C的作用为_。5反应除生成二氯二氢硅之外,还会生成H2和_、_等
5、。6新的制取SiH2Cl2的方法是:往硅粉中先通入Cl2,在300350 反应生成SiCl4,然后再与HCl在250260 反应,可以大大提高产率。如果通入气体次序相反,结果会_解析:1浓硫酸有吸水性,使浓盐酸更易挥发出HCl。2利用原子守恒法配平。3A装置制取HCl,连接C装置干燥,从f进入D中反应,SiH2Cl2从g处挥发出来,在B装置中收集,SiH2Cl2的密度比空气大,导气管应长进短出,为防止空气中的水进入B中,则应在B后接干燥管。4前面的装置C是用来干燥氯化氢气体的,应选用P2O5或CaCl2,后面装置C的作用为尾气处理和防止空气中的水进入B中,应选碱石灰。6如果通入气体次序相反,SiH2Cl2会与Cl2继续反应,生成SiCl4、SiHCl3。答案:1吸水2Si2HCleqo=,sup7250260,sdo5铜SiH2Cl23defgbcd4P2O5或CaCl2尾气处理
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