apcvd在型电池技术中应用及后perc时代下一个可能路线探寻

是SID§

创建于1864年的德国 企业，现在为第五代§

世界范围内超过1200名员工§

销售，生产和服务遍及全球17个国家§

全球四个主要生产

超过70,000m²§

3个技术中心服务于所有关键市场§

通过ISO

9001质量体系认证§

S RP

完全整合Conf

dent

a2.SID

全球网络USAWatsonv

eSouth

KoreaAnsan

C

tyChung

L

C

tyArgentinaBuenos

A

resChinaKunshanZhuhaTurkeyIstanbuGermanyFreudenstadtConf

dent

a2.S ID

四大生产德国Area:

29,000

sqmStaff:

460Since

1962Mech.

base

productionPlastics

manufacturingWet

Process

LinesSputter

systemsBattery

systemsInkjetAdministration

/

ITFinances

/

ControllingR&DEngineeringSales

&

Service中国Area:

30,000

sqmStaff:

259Since

2009Mech.

base

productionPlastics

manufacturingWet

Process

LinesAutomationHigh-Temperature

FurnacesAdministration

/

ITFinances

/

ControllingR&DEngineeringSales

&

Service加利福尼亚Area:

3,450

sqmStaff:

73Since

2003

(1992SierraTherm)High-temperature

furnacesAPCVDAdministration

/

ITFinances

/

ControllingR&DEngineeringSales

&

Service土耳其Area:

8,000

sqmStaff:

40Since

2014Production

of

PV

ModulesFully

automatic

ProduktionLineAdministration

/

ITFinances

/ControllingSales

&

ServiceConf

dent

aSID

三大技术中心§配有最先进的设备§交叉产业，全球开发§理想的实验条件§许多新产品的安装提供了生产前的改进§大规模量产设备相关的研究§提供了完整分析的可能过去四年研发投入超过1.2亿欧元全球范围内超过200名研究员和工艺工程师Conf

dent

a铝背电池+工艺简单−

专利设计−

效率较低双面电池硼背结电池IBC+受光效果好+高效率(22%)

工艺复杂+

效率高(22%)

工艺复杂+效率非常高(23.5%)

工艺非常复杂基于n型硅的电池结构只有硼发射极能提供更高的潜在效率Conf

dent

aN型电池中硼发射极的方法旋涂+推进BBr3

/BCl3

管式扩散离子注入+激活APCVD镀膜+退火+

工艺简单+

单面工艺+工艺简单+

不需要去除BSG+

单面工艺++工艺简单易调节单面工艺+

可局部扩散+可共扩散

难BSG难以去除

非常复杂和昂贵的硬

产能低双面工艺件

高温激活几种

硼发射极的方法S id

/

Sierratherm-STI提供用于

n型电池硼发射极的APCVD设备Conf

dent

aAPCVD简介§

目的§

镀膜(BSG,PSG)§

覆盖层(SiO2,TiO2)§

均匀的膜厚§

低成本处理平台§

流程步骤加热区喷射器(掺杂层)温度稳定层喷射器(覆盖层)冷却区Conf

dent

aAPCVD-镀膜灵活§

薄膜可以按任何顺序来沉积§

多达五个独立的沉积室(带式传送系统)§

多个喷射器可应对更厚膜层的要求§

掺杂剂的浓度可以通过简单的流量调整来改变Conf

dent

a原理和性能喷射头/镀膜原理§

分开提供O2,N2

和反应气体§

直接在表面进行热活化反映§

沉积速率主要取决于气体比(O2:氢化物)和温度§

提高到3600

w/h(取决于系统和工艺)方向O2O2N2N2氢化物Conf

dent

a两种传送方式可选择:带式传送系统Conf

dent

a滚轮式传送系统§

3

或5

喷射头§

久经验证的设计§

超过100

台此种APCVD

系统目前正用于高效电池生产§

4

条轨道(156mm)=1500

WPH

产量§

占地34

m2APCVD

带式传送系统Conf

dent

aAPCVD滚轮式传送系统§

无与伦比的沉积效果(超过150nm/min)§

非常有效的使用工艺气体§

高热效率§

占地面积小§

易于进入维修§

单层和多层膜可同一步沉积§

不需要载具量产型滚轮式APCVD系统:§

2个喷射头§

5道(156

mm)=3600

WPH§

占地面积12

m2Conf

dent

a关键优势陶瓷滚轮式APCVD带式APCVD一步完成§

低成本占地面积小高产能低碎片率高uptime低耗量高工艺质量§

掺杂层和覆盖层§§完全氧化，易于去除PSG和BSG层几种可行的用途：钝化层覆盖层掺杂源层(有限源)§

技术成熟(自2004年以来，大规模生产)Conf

dent

a§

BSG作为掺杂剂硼源和/或钝化层*替代BBr3扩散过程§

PSG作为掺杂剂磷源和/或钝化层§

可以共扩散（大大减少工艺步骤和高温热处理过程）§

二氧化硅作为扩散时的掩膜§

选择性的扩散要求：沉积-图案化-刻蚀APCVD

在单晶硅

电池上的应用Conf

dent

aSID

n型PERL

|

工艺流程金属化：栅线和电极正面金属化：栅线和电极SiN

减反膜硼发射极SiN

减反膜n-type

PERL

BifacialSiNSiNSiOx

Emitter背面局域背场SiO2钝化层制绒APCVDPSG沉积激光推结去PSG/清洗APCVDBSG沉积激光推结/共扩散去BSG正面和背面SINx沉积正面背面金属化/烘干烧结测试/采用共扩散步骤的热氧化层钝化发射极，无需AlOx!Conf

dent

aSID

n型PERL|

关键步骤制绒&抛光技术PSG

沉积BSG激光掺杂氧化层回刻BSG

沉积共扩散湿法设备特性APCVD激光APCVD共扩散高反射率抛光形成选择性局域磷背场选择性发射极选择性去BSG形成硼发射极硼磷共扩散所有关键工艺均已经在使用并经过大规模量产验证Conf

dent

aSid

n-PERT

的优势效率23%有达到24%的潜力简单几乎与PERC相同的工艺步骤数性能双面无LID比其他电池结构都更小的漏电收益性极低的CoO与PERC几乎相同的OPEX但组件输出功率更高低

率98%

uptime可升级的现有产线可加入APCVD快速简单升级Conf

dent

a§

N型硅片价格只比p型硅片略高§

考虑成本和效率与多主栅技术结合的n-PERL是如今一流的技术为什么n-PERL是现金最好的选择IBC电池效率24%Conf

dent

a§

所有的主要工艺设备都经过大规模产线验证§

N-PERL可以容易的升级到IBC-只需要适当微小的改动§

与其他技术相比在系统端具有最低的CoON-PERL电池效率22%先进概念§

多主栅技术和APCVD可以用非常低的金属耗量生产IBC电池§

缩短栅线长度尤其适合IBC电池设计§

目前的工作：共扩散 低漏电流的p/n结（被资助的研究项目）§

第一块多主栅IBC电池投入量产Conf

dent

aP

型的快速进步对未来

型提出更高要求§，晶科宣布p型单晶PERC多栅电池效率23.45%；§；§；，可也p型单晶PERC效率达23.26%创当时世界，

p型单晶PERC效率22.71%创当时世界，天合p型单晶PERC效率达到22.61%创当时世界§；Conf

dent

aTHANK

YOU

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YOUR

ATTENTION!Conf

dent

aThe

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operational

profitability,

financial

strength,performance

s,

profitable

growthopportunitiesand

risk

adequatepricing,as

wellas

the

words

"may,

will,

should,expects,plans,

intends,

anticipates,

believes,

estimates,

predicts,

or

continue",

"potential,

future,

or

further",

and

similar

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that

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circumstances

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S

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