3188硬件-福州瑞芯微电子

福州瑞芯微电子时钟电路部分..........................................................................................................................................................................................................................4USB

电路部分...........................................................................................................................................................................................................................5DDR

电路部分...........................................................................................................................................................................................................................6FLASH

电路部分.......................................................................................................................................................................................................................8SD/T

卡电路部分......................................................................................................................................................................................................................9LORADER

升级电路设计........................................................................................................................................................................................................10DEBUG

接口电路设计说明....................................................................................................................................................................................................10电量计电路设计说明.............................................................................................................................................................................................................11充电及POWER

PATH

部分....................................................................................................................................................................................................1210PMU

电路部分......................................................................................................................................................................................................................1311

AUDIO

部分...........................................................................................................................................................................................................................16显示电路部分......................................................................................................................................................................................................................18CAMERA

电路设计说明.......................................................................................................................................................................................................21WIFI，BT，GPS

部分............................................................................................................................................................................................................223G

部分.................................................................................................................................................................................................................................26‐2

‐福州瑞芯微电子陀螺仪，GSENSOR，LIGH

SOR，指南针部分...........................................................................................................................................................

27散热处理..............................................................................................................................................................................................................................28‐3

‐福州瑞芯微电子1

时钟电路部分RK3168

有两个时钟源，分别为32.768Khz

和24Mhz：SCHNoRuleResultNote132Khz的时钟必须要接入，串联的电阻不应大于4.7K，输入

信号要求（AB5

PIN）：32K

信号高电平高于0.8*PVCC_3V3，低电平小于0.2*PVCC_3V3。2在复位信号拉高前20mS，要保证32Khz的时钟信号已经提供给主控！TPS659102自带RTC输出，没有这个问题，外置RTC要注意这个时间，如有必要，需把复位时间加长。3如果XIN24M外加MOS控制，MOS的型号注意结电容过20pF。在MOS管端的晶体匹配电容值要比另一端小。目前发现很多客户出现过类似的问题（可以去掉）。PCBNoRuleResultNote1晶体需靠近主控放置,晶体负载电容靠近相应晶体管脚放置，控制启振的MOS

管要靠近晶体放置。2晶体走线走在表层，避免打孔，建议加粗到8mil。‐4

‐福州瑞芯微电子3晶体电路及它们的走线的相邻层铺地，相应管脚可靠接地。24Mhz晶体的工作电源是

PVDD_1.0,本身幅度很低，容易受到干扰，Layout时务必 处理。2

USB

电路部分SCHNoRuleResultNote1确认USB的连接是否正确2RK3168需要两个中断：OTG_DET，USB_INT！和RK3188的主要差异3USB

差分信号线上的

ESD

必需使用低结电容的，结电容要小于5pF。4OTG

接口需要有USB_ID，上拉电阻需要NC

或上拉1.8V！已上拉至1.8V5如果因为

USB

口不够，

HUB

IC，HUB

IC

的复位管脚请用预留GPIO口控制！如果是5V直接供电的方式，5V电源也需控制。6使用HSIC

接口时，需保证HSIC

接口供电为1.2V，不能使用VDD_10。可以使用LDO供电7USB

参考电阻使用200R，不建议修改‐5

‐福州瑞芯微电子PCBNoRuleResultNote1确认USB的封装连接是否正确。2USB走线需按差分规则。差分线长度误差控制在100MIL内3USB走线需有完整参考层，同层需包地。4USB

走线要跟其他信号线避免隔层平行。5USB

走线差分阻抗控制在90

欧姆。6ESD

器件需靠USB

连接器放置，USB

走线需先经过ESD

器件，再连到主控，走线不能形成分支。3

DDR

电路部分SCHNoRuleResultNote1使用DDR3，每组（8

位或者16

位）数据线跟颗粒的连接可根据实际需要任意调换，但不得调换地址‐6

‐福州瑞芯微电子及控制信号线。2使用LPDDR2，则数据线、地址及控制信号线都不能调换。3DDR3

跟LPDDR

的供电电压不

源需按

DDR

具体型号定义。4ZQ

的参考电阻为240R,不要随意修改这个值。5DDR容量最大支持到2GB。6详细说明可以参考RK

发布的《DDR

布板Check

List》。7要确保DDR

电源上的滤波电容容量足够。确保每个电源点测量纹波小于80MV。PCBNoRuleResultNote1建议DDR

部分的layout，使用RK

提供的模版。RK提供2片/4片，单面/双面放置模版。2PCB

需满足DDR

的阻抗要求。3滤波电容的摆放要合理，大电容均匀分布，小电容紧靠管脚放置。4带

GPS，3G

等功能，但只能 一面的机， 单面放置的模版，可以适当改变叠层结构，保证在非元件层无DDR走线。DDR

电源铺铜尽量不要放置在表层。请保证叠层合理，信号层避免临层平行。5关于DDR

分组，线长，等成等要求的详细说明可以参考RK发布的DDR

LAYOUT

指导文件‐7

‐福州瑞芯微电子4

FLASH

电路部分SCHNoRuleResultNote1支持

NAND，INAND

等

FLASH

设备。请在FLASH支持列表中选择型号。2当使用toshiba

和sandisk

的DDR

模式NAND

FLASH，其28，45

脚需接到电源。3DDR

模式

NAND

FLASH，需要注意

FLASH

电源纹波，

纹波不超过电源的3%。在实际项目上请务必测量。4INAND

电源

纹波不超过电源

2%，跟其他模块共用电源时需注意消除其他模块可能引起的电源塌陷。521nm

及以下制程的INAND，请预留LDO

供电。6INAND

SD

接口上需加上拉电阻，上拉电平需跟IO

电平一致。INAND

IO有1.8V跟3.3V两种PCBNoRuleResultNote1FLASH

的滤波电容需靠近管脚放置。2INAND

的电源建议铺铜处理。3数据线走线请同组，适当控制长度，远离强干扰源。‐8

‐福州瑞芯微电子4主控端滤波电容要靠主控端焊盘放置。5CLK

线建议包地处理。5

SD/T

卡电路部分SCHNoRuleResultNote1支持高速卡。2需选择低电容的ESD

器件。PCBNoRuleResultNote1数据线走线请同组，适当控制长度，远离强干扰源。2CLK

线最好包地处理。3电容，ESD

器件要靠

放置。走线须先从

走到

ESD

器件在走到主控，ESD

敏感信号不要走到 下面的表层

。敏感信号是指主控的RESET，电源，数据线等。‐9

‐福州瑞芯微电子6

LORADER

升级电路设计NoRuleResultNote1NAND

时，使用FLASH_CLE

作为预留，以进入MASKROM

模式。2INAND

时，使用EMMC_CLKO

作为预留，以进MASKROM

模式。3.采用

SARADC

的

AIN1

输

复用为

RECOVER

检测模式，此口务必留出。7

DEBUG

接口电路设计说明NoRuleResultNote1RK31XX

专门预留一个用来作Debug

的Uart

接口（UART2），在实际产品应用中，不要使用该功能接口作其它功能使用RK3188可以使用USB口做串口‐10

‐福州瑞芯微电子8

电量计电路设计说明SCHNoRuleResultNote1选用CW2013

作为电量计，I2C

读电池电量。CW2013

带有中断脚（ALRT_N），可以在电池电压低时输出中断。PCBNoRuleResultNote1CW2013需尽量靠近电池接口放置。2CW2013

需远离热源放置。3CW2013

的电源滤波电容靠近电源管脚放置，同时电源走线需避开干扰信号，包含电源干扰信号。‐11

‐福州瑞芯微电子9

充电及POWER

PATH

部分SCHNoRuleResultNote1单电池跟双电池有不同的方案。2使用带POWER

PATH

的充电管理方案。3需根据实际需要确定充电电流，输入电流等参数。4需确保输入，输出线上的电容容量足够，也要注意耐压及材质的选择。X7R及以上规格。5需确保充电或者降压电

的电感容量，额定电流足够，最好能降额

75%‐50%使用。6充电时，系统供电跟电池供电切断的方案，不

用于只有USB

接口的项目。这种电路在 USB

后，电池切断，会导致系统供电不足。7需根据方案特性，选择合适的输入过压/过流保护电路。8不带POWER

PATH

的方案，只能用于8

寸及以下尺寸项目，需根据电源及系统要求合理设置充电电流及充电过程。9不带POWER

PATH

的方案，需确保选用的二级管，MOS

等器件在大电流时的压降足够小，导通/关闭实际满足DC/电池切换的设计要求。10边充边放的方案，在使用前需谨慎评估,需考虑电池

，低电管理等相关问题。‐12

‐福州瑞芯微电子PCBNoRuleResultNote1充电电路 靠电池端放置，如果电池接口过于处于边角处，应将充电电路放置在DC跟电池间，VSYS走线较合理处。2发热器件不要靠主控及热敏感元件太近。3DC/USB

端口处要注意ESD

处理，要尽量靠近DC/USB

端口处放置输入电容。4大电流回路走线尽量短，粗，过孔要足够。输入，充电，SYS

回路

0402

过孔5个以上。5滤波电容摆放位置要合适，接口处电容靠近接口放置，端电容靠近 管脚放置，主滤波电容要就近接地。6充电电路中的电感，续流二级管等元件按回路最短原则放置。7有散热焊盘的方案，散热焊盘上的过孔要足够，

选择孔径较大的过孔。建议使用0805过孔。8要求分地的方案，需选择合适的接地点。9带USB

及其他差分信号的方案，需按差分要求处理。如USB线，电流检测等。10PMU

电路部分SCH‐13

‐福州瑞芯微电子NoRuleResultNote1选择的PMU方案要满足系统的电流及电压等级要求。2PMU

需根据方案要求设定上电时序。3需确保输入，输出线上的电容容量足够，也要注意耐压及材质的选择。4需确保电

的电感容量，额定电流足够，最好能降额75%‐50%使用。。5需根据PMU

规格及系统要求设置每一组电源的输入输出电压，在满足系统要求的同时注意提高PMU

的效率。6用I2C

调压的PMU，请注意I2C的带宽及器件的生命周期，确保I2C

不被其他设备拉掉或者占掉带宽，导致调整不及时。PMU能单独使用一组I2C是最好的选择。7带DVFS

或者设计关掉核电压的情况，请注意默认配置及逻辑关系需正确。8VDD_ARM,VDD_LOG

建议使用

PMU

的输出，不

一个使用PMU，一个用分离元件或者两个都用分离元件。AXP的方案会用到两个分离元件，使用到3168时需谨慎评估。9使用跟RK

参考图一样的PMU

时，PMU

的各路输出电压及用途请尽量按RK

的参考图配置一致。10一组电源上带多个设备时，需考虑各个设备带来的冲击电流，必要时需在设备电源输入处加防冲击措施。重点考虑屏，WIFI模组等。PCB‐14

‐福州瑞芯微电子NoRuleResultNote1PMU部分电路要摆放在离主控不太远，但又不向主控传递热量的合适位置。2在布局时要考虑到核电压，DDR

电压网络的出线是否方便，是否能保证做到合理的铺铜有效面积。3大电流回路走线尽量短，粗，过孔要足够，必要时铺铜处理。核电压网络，DDR网络，SYS网络0402过孔5个以上。4滤波电容摆放位置要合适，电容靠近

管脚放置，主滤波电容要就近接地。5电路中的电感，续流/钳位二级管等元件按回路最短原则放置。6有散热焊盘的方案，散热焊盘上的过孔要足够，

选择孔径较大的过孔。建议使用0805过孔。7VDD_ARM,VDD_LOG,VDD_DDR

网络请铺铜处理，要保证合适的宽度及有效面积。VCC_DDR

的铺铜要覆盖整个DDR

颗粒及主控的DDR

部分。铺铜有效宽度建议最小160MIL以上。8VDD_ARM,VDD_LOG,VDD_DDR

网络的电容要合理分布。PMU的输出电容要靠近电感，其他滤波电容要靠近主控，大容量的均匀分布，小容量的靠管脚放置。9VDD_ARM,VDD_LOG,VDD_DDR

网络的反馈线走线要避免干扰，如果从远端引回，

反馈线紧跟铺铜返回。如果反馈网络带分压电阻，电阻的接地端要可靠接地，最好能跟该组电源的输入输出电容，IC

地脚共接地点。在FB

脚不要放置电容。‐15

‐福州瑞芯微电子10PMU

电路的电容，IC

地管脚需可靠接地。带模拟检测信号等电路的敏感信号线需避免干扰。11VCCIO

网络不建议铺铜，如果实在需铺铜，请保证

电源铺到模拟，RF

的敏感元件下面。CODEC,GPS等。12I2C

走线需避免同层及隔层的干扰。11

AUDIO

部分SCHNoRuleResultNote1耳机座的接法需根据耳机座

PIN

脚定义进行，需注意检测脚的选取及

/拔出耳机时检测脚的状态，耳机检测脚跟左右声道连接的耳机座，检测PIN接左声道。接左声道可以有效减少插拔噪声。2I2S,PCM

接口电平，需跟主控/模块电平相匹配。很多WIFI+BT模块，IO电平为2.8V，使用3G通话功能时，CODEC

PCM跟BT模块相连，要考虑电平匹配。3模拟信号输入/输出时，信号格式要跟其他接口匹配。需考虑是单端还是差分，是否需要带电容输出。是否满足信号幅度要求。尽量选择不带电容方式以节约成本。4带通话功能项目，需选择带消回音功能的CODEC。改善通话质量。5MIC

回路的参数设置需按MIC

的规格书设置，重点关注MIC等效电阻。‐16

‐福州瑞芯微电子6在耳机，喇叭线接口处，最好预留磁珠/电容位，以便于应对ESD,EMI。7外置功放的电路，需保证功放IN+/IN‐的参数合理，IN+端的电阻值应等于IN‐端左右声道输入电阻的并联值，IN+端电容值应为IN‐端电容值之和。8合理选择功放IC，功放电源，磁珠。选电流尽量小的IC，按IC要求看是否需要磁珠。PCBNoRuleResultNote1左右声道间要拉开距离且用地

，建议左右声道走线宽度为

10MIL

或以上。2左右声道输出的串接电阻，端接的整形网络，输出电容等元件需靠耳机座放置。3应对安规/EMI

的器件，需尽量靠近连接座放置。4差分输入的MIC

走线按差分规则，需避免同层及临层干扰，尽量远离干扰信号及元件，差分对需包地处理，走线宽度建议

10mil

以上，

电容靠

CODEC

PIN

脚放置。5SPEAKER

的走线，需要避开敏感信号，不要跟信号线，电源线隔层或同层平行，建议走线包地处理，宽度15MIL

以上。D

类输出的喇叭线按差分线处理。6I2S/PCM

走线尽量走在一组，不要求等长处理但要注意避免‐17

‐福州瑞芯微电子信号线走线长度差太多。I2S

信号不属于敏感信号，但仍需注意干扰，特别是强干扰源， 源晶体，功率电感等。7CODEC

的滤波电容，补偿电容等要靠管脚放置，

地管脚及电容要可靠接地。不建议将CODEC

的地跟主地分开，如果分地需选择合理接地点。11

显示电路部分显示部分包含屏显示及 输出显示，RK31XX

只有

RGB

输出，/LVDS/MIPI接口需外加转换

。RK31XX

有两个LCDC，可以支持双屏显示功能；两个LCDC

的性能完全一样，在实际的应用中，可根据实际情况选择LCDC

的使用。两个LCDC

跟外部器件的连接可以互换，比如原来接屏的LCDC

改接到

，原来接

的改接到屏，但一般情况下建议按RK参考图处理，以减少出错。RK610/616/618可以只用一路输出，但竖屏一定要接两组LCDC。两个LCDC

都支持RGB888、RGB666、RGB565接口，需根据屏的接口选择合适的接法，电源控制电路也要根据LCD

的SPEC

要求进行设计。屏显示部分SCHNoRuleResultNote1需按屏的接口类型选择对应的屏电路。LVDS接口的屏，RGB要按屏的

MAP

接到

LVDS

转换

。‐18

‐福州瑞芯微电子2MIPI

屏RESET

脚跟转换IC

的CS,RESET

等控制口，需使用单独IO，不能共用。3如果需要改变LCDC1

的供电电平，需注意在该电压域的IO口的电平匹配。可以不用该电压域内的IO口。4屏电源供电开关，必须加防冲击电流电路。如VCC_LCD，VSYS等。5TCON

控制电路在板上的电路，不能使用VSYS

或者BATT

做升压电源。避免显示闪烁抖动等问题。6需根据屏背光功耗选择合适的背光驱动IC，确保最大电流在IC

规格内及效率不小于80%。需在调试时确定屏最大亮度。7需要根据背光，液晶的供电的电压选择合理耐压的电容。PCBNoRuleResultNote1LVDS/MIPI

原则上建议靠屏座摆放，RGB

走线尽量走内层。2RGB走线不要求严格等长，但建议尽量注意控制等长，分辨率越高的屏，越要控制等长，720P

的屏建议各走线之间长度相差不超过1000MIL，1080P

的屏建议各条走线之间长度相差不超过500MIL。适用于各种接口的屏。3LVDS/MIPI走线要求按差分规则，需做100

欧姆差分阻抗匹配，走线宽度根据各个PCB

厂商的不同工艺而有所不同，按RK3188

的叠层及

RK

的

PCB

供应商工艺， 走线宽度为7MIL。差分对之间要

，拉开间距，间距至少

3W。差分信号最好有完整参考层。不能有干扰信号，如屏背光电源，‐19

‐福州瑞芯微电子晶体等走线与LVDS

线临层平行。4背光LAYOUT

时需注意按电流流向排放器件。IC的输入滤波电容要靠IC

管脚放置，IC

输入电容及IC

地脚要就近可靠接地。调节电流的电阻建议靠屏座放置。VSYS

走线要加粗，推荐40mil

以上。LED+/‐走线建议30mil

以上。调光的信号走线注意避开敏感信号，如MIC等。5MIPI

屏的SPI

信号需避免VSYS，D

类功放的喇叭线等强干扰。6相关电路的滤波电容靠输入管脚摆放，可靠接地；相关地管脚可靠接地。部分部分的设计要求可以参考屏部分，下面只列出较屏不同的部分。SCHNoRuleResultNote1为了消除

线对

EMI

的影响,

线上需加共模电感，共模电感应该加在转换

IC

跟

ESD器件之间，ESD

器件后面接座。2对时钟源要求高，有 的项目需控制时钟频偏。某些电视机

不显示的情况，大多跟频偏大有关。3某些IC

的I2S

信号上的电压会反串到屏电压上，建议的供电加开关。IT66121会PCB‐20

‐福州瑞芯微电子RuleResultNote1跟CODEC

共用一组I2S

接口，在走I2S

线时，需处理好I2S

走线分支问题，建议分支走线越短越好，如果能做到菊花链是最好选择。2座子端的电容，ESD

器件等需靠 座放置，走线需先从座子到

ESD

器件再到转换

。3共模电感靠转换IC

放置。12

CAMERA

电路设计说明SCHNoRuleResultNote1RK31XX

只有一组

CAMERA

接口，使 头时需使用CAMERA

的PDN

功能互切，支持1.8V

和2.8V

两种IO

电压。对头部分SI要求高的，可以考虑一个接CAMERA接口，一个走USB/HSIC接口。2头的I2C

上拉电平也要和模组的IO

电平一致。3为预防在实际产品中因CAMERA

走线过长，而造成时序问题，引起

异常，需要在

CLK

线上增加

RC

延迟电路。‐21

‐福州瑞芯微电子PCBNoRuleResultNote1数据走线建议走在一组，数据线间的长度差建议尽量小，建议不超过500mil。2MCLK

跟PCLK

走线尽量不临层或同层相邻，最好能分别用地。。3500M

像素

头需远离热源，预留散热措施。13

WIFI，BT，GPS

部分本文档只对该部分做一般性说明，详细说明请参看RK

对于涉及到RF

模块部分的专门的说明文档，模块相关部分请咨询供应商。SCHNoRuleResultNote1通常WIFI

通过SDIO/USB

接口跟主控通信，BT/GPS

通过串口/SDIO

跟主控通信。2WIFI,BT,GPS

为RF

模块，其天线部分需按RF

要求设计，在RF

连接器跟IC/模块引脚间需加阻抗匹配网络，LNA，声表面。‐22

‐福州瑞芯微电子滤波器等

RF

器件，以上器件建议按

RK

型号选择，更改建议咨询

或者相关模块供应商。3WIFI,BT,GPS

模块，外置晶体的要保证晶体频偏满足要求，调试时需进行频率校准。4需注意选择低噪声的电源。5RF

信号易受干扰，要尽量避免主板上其他器件的工作频率或者倍频处于RF

信号的频带内。6需根据具体环境设计天线。7须在具体PCB

板上调整匹配网络，以确保天线，走线及匹配网路满足50

欧姆阻抗。PCBNoRuleResultNote1布局时要考虑远离干扰源，特别是DDR，RGB

等走线。2要在主板及模块部分考虑 措施。3带

GPS的机，

框一定要全封闭，要全漏铜，要保证后无缝隙。底层尽量不走线，只可以走少量模拟，电源线。4带GPS

功能的机，在