半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件

庚z第九章铟镓氮发光二极管庚z1庚zMOCVD:BasicMOCVD:一种在固体衬底(wafers)上外延生长半导体薄膜的方法外延(epitaxy):在单晶衬底(基片)上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层,犹如原来的晶体向外延伸了一段庚z2庚zMOCVD:BasicMaterialSystemDINitrideSubstrateHeteroepitaxyBulkinpBulkgaAsnucleationlayerdirectgrowth-directgrowthGrowthtemperature>1000℃500℃600-700℃V/IIIRatio>1000100~10TotalflowHighLOwLowReactoreparateSingleinjection.ingleinjection,IILVflexiblereactorflexiblereactorlowceiling庚z39.1GaN生长GaN有好的热稳定性和表1纤锌矿GaN和闪锌矿GaN的基本参数(=0K化学稳定性,在加热和纤锌矿GnN闪锌矿GnN光照时能缓慢溶解于强「a=0.3189c=0.5186碱中。带隙能量EeV带隙温度系数dEdT=-60F-4GaN及其三元化合物晶体Lx的稳定结构为具有六方热导率对称性的纤锌矿结构K(Wicm·立方对称性的闪锌矿结热膨胀系数x=5E-6|=31-6构是亚稳相,高压下为的电Nacl高频的介电常数535ALGa.In击穿电(2c[0001电子迁移率≤1000(cm2·V·s9.1GaN生长4庚z9.1GaN生长·1969年,美国无线电公司的Maruska用气相外延的方法在蓝宝石衬底上首次生长出单晶GaN。·Pankove等人在1971年MS结构的绿光和蓝光发光器件Maruska首次采用Mg掺杂以制作P型GaN,得到的M|S结构是辐射在430nm的紫色LED赤崎勇(Akasaki)1989年使用A|N缓冲层和低能电子辐照技术制造了第个PN结GaN基LED。1993年,中村修二采用高温退火的方法获得了P型GaN,并采用自制的MOCVD获得了高质量的GaN化合物庚z5半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件6半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件7半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件8半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件9半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件10半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件11半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件12半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件13半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件14半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件15半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件16半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件17半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件18半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件19半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件20半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件21半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件22半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件23半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件24半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件25半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件26半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件27半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件28半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件29半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件30半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件31半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件32半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件33半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件34半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件35半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件36半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件37半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件38半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件39半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件40半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件41庚z第九章铟镓氮发光二极管庚z42庚zMOCVD:BasicMOCVD:一种在固体衬底(wafers)上外延生长半导体薄膜的方法外延(epitaxy):在单晶衬底(基片)上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层,犹如原来的晶体向外延伸了一段庚z43庚zMOCVD:BasicMaterialSystemDINitrideSubstrateHeteroepitaxyBulkinpBulkgaAsnucleationlayerdirectgrowth-directgrowthGrowthtemperature>1000℃500℃600-700℃V/IIIRatio>1000100~10TotalflowHighLOwLowReactoreparateSingleinjection.ingleinjection,IILVflexiblereactorflexiblereactorlowceiling庚z449.1GaN生长GaN有好的热稳定性和表1纤锌矿GaN和闪锌矿GaN的基本参数(=0K化学稳定性,在加热和纤锌矿GnN闪锌矿GnN光照时能缓慢溶解于强「a=0.3189c=0.5186碱中。带隙能量EeV带隙温度系数dEdT=-60F-4GaN及其三元化合物晶体Lx的稳定结构为具有六方热导率对称性的纤锌矿结构K(Wicm·立方对称性的闪锌矿结热膨胀系数x=5E-6|=31-6构是亚稳相,高压下为的电Nacl高频的介电常数535ALGa.In击穿电(2c[0001电子迁移率≤1000(cm2·V·s9.1GaN生长45庚z9.1GaN生长·1969年,美国无线电公司的Maruska用气相外延的方法在蓝宝石衬底上首次生长出单晶GaN。·Pankove等人在1971年MS结构的绿光和蓝光发光器件Maruska首次采用Mg掺杂以制作P型GaN,得到的M|S结构是辐射在430nm的紫色LED赤崎勇(Akasaki)1989年使用A|N缓冲层和低能电子辐照技术制造了第个PN结GaN基LED。1993年,中村修二采用高温退火的方法获得了P型GaN,并采用自制的MOCVD获得了高质量的GaN化合物庚z46半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件47半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件48半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件49半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件50半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件51半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件52半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件53半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件54半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件55半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件56半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件57半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件58半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件59半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件60半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件61半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件62半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件63半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件64半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件65半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件66半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件67半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件68半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件69半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件70半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件71半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件72半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件73半导体照明技术：第九章-铟镓氮发光二极管课件74半导体照明技术：第九章-铟