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文档简介
一选择题:1、理想二极管的反向电阻为(BA零B无穷大C约几百千欧D以上都不对1.在换路瞬间,下列各项中除(B)不能跃变外,其他全可跃变。(a)电感电压(b)电容电压(c)电容电流4.正确的是(D(A)减少负载的工作电流(B)减少负载的有功功率(C)减少负载的无功功率(D)减少线路的功率损耗5.当三相交流发电机的三个绕组连接成星形时,若线电压u2tVBC,则相电压(DuC2202sin(t30)V3802sin(t120)V3802sin(t30)V(a)(c)(b)2202sin(t30)d)6.两个完全相同的交流铁心线圈,分别工作在电压相同而频率不同(f1>f2)的两电源下,此时线圈的磁通12(B)。(a)1>2(b)1<2(c)1=27.一负载电阻为RL,经变压器接到内阻R0800的电源上,变压器原、副绕组的额定电流为2A/20A,若使从变压器原绕组看进去的等效负载电阻RLR0时,则RL等于(B)(a)0.8Ω(b)8Ω(c)80Ω(d)800Ω13的电阻中通过2的电流,试问电阻两端的电压是(DmAA10VB6mVC1.5VD6V2、有一额定值为5W500的线绕电阻,其额定电流为(DA2500B100C1D0.13220V的电源取用的功率为1000W110V的电源上,则取用的功率为(BW。A125B250C500D10001.稳压管起稳压作用,是利用它的(DA正向特性B单向导电性C双向导电性D反向击穿特性2.某一负载消耗的有功功率为300W,消耗的无功功率为400var,则该负载的视在功率为(c(a)700VA3.图右所示电路中P(a)(a)5V(b)4V(c)3V(d)2V(b)100VA(c)500VA2.采用差分放大电路是为了(B)A加强电路对称性B抑制零点漂移C增强放大倍数D以上都不对对I将3.交流放大电路中,晶体管一旦进入饱和或截止状态,IBC(D)A增强控制能力B控制能力不变C失去控制能力D它们之间没有关系4、电路如图所示,根据工程近似的观点,ab两点间的电阻值约等于(B).ΩB.Ω.Ω.Ω5、如图电路中电压U为()).-50VB.-10V.10VD.50V10.若交流电路的电流相位比电压相位超前,则电路成(C)A.电阻性B.电感性C.电容性11.稳压管反向击穿后,其后果为(BA永久性损坏B只要流过稳压管的电流值不超过允许范围,管子不会损坏C由于击穿而导致性能下降D以上都不对1、在电阻元件的交流电路中,电压和电流的相位(A)A.相同B.电压的相位比电流的相位超前90°C.电压的相位比电流的相位落后90°2、在电感元件的交流电路中,电压和电流的相位(B)A.相同B.电压的相位比电流的相位超前90°C.电压的相位比电流的相位落后90°3、若交流电路的电流相位比电压相位超前,则电路成(C)A.电阻性B.电感性C.电容性12.动态电阻r是表示稳压二极管性能的一个重要参数,它的Z大小与稳压性能的关系是(BAr越小则稳压性能越差Z越小则稳压性能越好BrCrZ的大小不影响稳压性能ZD以上都不对13.二极管两端加上正向电压时(B)A一定导通B超过死区电压才导通C超过0.7V才导通D超过0.3V才导通5、稳压二极管的动态电阻r是指(BZA稳定电压与相应电流I之比UZZB稳压管端电压变化量U与相应电流变化量I的比值ZZC稳压管正向压降与相应正向电流的比值D以上都不对20、对三极管放大作用的实质,下面说法正确的是(DA三极管可以把小能量放大成大能量B三极管可以把小电流放大成大电流C三极管可以把小电压放大成大电压D三极管可用较小的电流控制较大的电流21、二极管两端加上正向电压时(B)A一定导通)B超过死区电压才导通C超过0.7V才导通D超过0.3V才导通2、理想二极管的正向电阻为(BA零B无穷大C约几千欧D以上都不对5.我国通常应用的交流电工频为(A)Hz。A.50B.60C.10014.就放大作用而言,射极输出器是一种(A。A有电流放大作用而无电压放大作用的电路B有电压放大作用而无电流放大作用的电路C电压和电流放大作用均没有的电路D以上都不对3.当三相对称交流电源接成星形时,若线电压为380V,则相电压为(BA.380/3VB.380/VC.380/VD.380V3215触发器输出的状态取决于(C)。A输入信号B电路的原始状态C输入信号和电路的原始状态D以上都不对1.交流铁心线圈,当线圈匝数N增加一倍,则磁通将(A)。ABCD增大减小不变以上都不正确二.填空1.电路由电源、负载中间环节三部分组成。2.如果某一元件上的电压和电流的实际方向相反,那么这一元件是电源。1、半导体是一种其导电能力介于导体与绝缘体的物质。之间2、半导体分为本征半导体和PN型半导体。3本征激发自由电子,在外电场作用下可定向运动而形成微小的电流(在常温4、在本征半导体中掺入微量五价元素可得到N型杂质半导体,在本征半导体中掺入微量三价元素可得到体。P型杂质半导5、在N型杂质半导体中,多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴。1.集成运放级间耦合方式是采用多级直接耦合。2.集成运算放大器输出级的主要特点是输出电阻越小,带负载能力越强。6P空穴自由电子。7、N型半导体主要靠自由电子来导电,P型半导体主要靠空穴通来导电。8、PN结具有单向导电性,即加正向电压时,PN结导,加反向电压时,PN结截止。9、半导体二极管的两个主要参数是最大整流电流和最大反向工作电压。10硅管和锗管两类。、硅管的导通压降约为0.7。12、硅管的死区电压约为0.5V,锗管的死区电压约为0.1。V,锗管的导通压降约为0.213、半导体二极管实质上就是一个PN结,它具有的特性是单向导电性。14、半导体三极管分为NPN型和PNP型两类。15发射区、基区、集电区。1发射结正偏,同时使集电结反偏。2、在放大电路中,晶体管的基极电流I通常称为偏置电流,B产生基极电流I的电路称为共基极电路。B3、对一个放大电路进行静态分析,首先应作该放大电路的直流通路,而作动态分析时,应作该放大电路的交流电路。4时会容引起输出信号失真。非线性失真分为截止失真和饱和失真。5、多级放大电路中级与级之间的耦合方式主要有阻容耦合和直接耦合。6、在画放大电路的直流通路时常将耦合电容视作断路,而在画其交路时常将耦合电容视作短路。16集电极、基极、发射极,分别用字母、BE表示。17PN发射结和集电结。18饱和区、截止区、放大区。19、要使三极管工作在放大状态,则外电路所加电压必须使三极管的发射结正偏,同时使集电结反偏。20、三极管具有开关特性:当三极管工作在饱和状态时,U≈0,当三极管工作在截止状态时,U≈Ucc。3.已知u=10sin(ωt+30)V,分别写出幅值U=10,有效值U=m10/52,相量Ù=10∠30°。3、一盏电灯的额定电压是220V,额定功率是60W,那么它的额定电流是0.27AV。4流入某一结点的电流之和应等于由该结点流出的电流之和,这就是KCL定律。5、计算电位时,必须选定电路中某一点作为参考点,通常设它为零。4星形连接和三角形连接两种,若负载相电压需为380V,则需采用三角形连接方式。2、交流量是指大小和方向都随时间而变化的量。5.PN结具有单向导电性,即加正向电压时,PN结处于导通状态,加反向电压时,PN结处于截止状态。6.要使三极管工作在放大状态,则外电路所加电压必须使三极管的发射结正偏,同时使集电结反偏。1、并联的负载电阻越多,总电阻越小,电路中的总电流就越大。2串联并联一个电阻。3、应用支路电流法对电路进行求解时,对于具有n个结点和b条支路的电路,可以列出n-1独立的结点方程,其余的b-n-1)个方程可由网孔列出。4、用叠加原理求解电路时,当对某一电源求解电路时,其他的电源要除去,即电压源短路,电流源开路。5、戴维宁定理中,将除去负载电阻外,可将其余部分看作一个有源二端网络,即可以等效为一个电压源串联一个电阻的形式。7.在画放大电路的直流通路时常将耦合电容视作开路,而在画其交流通路时常将耦合电容视作短路。8.若放大电路的静态工作点设置不合理或信号太大,在放大信号时会容易引起输出信号失真。非线性失真分为饱和止失真。失真和截9.当放大电路输入端短路时,输出端电压缓慢变化的现象称为零点漂移。温度是0/52,相量=10∠-30°。6、12.有两个正弦交流电流分别为i1=10Sin100πtA,i2=10Sin(100πt+90°)A,它们叠加后的电流有效值相量=11.5∠45°,对应的I瞬时值11.5sin(100πtA+451313.在电容元件的交流电路中,电压的相位比电流的相位滞后90°。814.提高交流电路功率因数的意义在于增加有用功并联电容。1、对称三相电路作星形联结时,其电路中线电压U、相电压U,LP线电流I、相电流I之间的关系为U=J3U,I=1I。LPLPLP2、对称三相电路作三角形联结时,U=1U,I=J3I。LPLP3、三相对称电源做星形连接,线电压U与相电压U的相位差是lp30°,U=J3ULP。4、三相电路中,负载的连接方法主要有星形两种,若负载相电压需为308V,则需采用星形连接方式。5、有一三相对称负载,其每项的电阻R=8X=6。如将负载联成和三角形L星形接于线电压为380VU=380VUI=LPP22A。引起这种现象的主要原因。4、10.已知i=10sin(ωt-30)A,分别写出幅值I=10,m有效值I=判断题:1×)2U和I+√)3√)4×)5√)1.√)2.P型半导体的多数载流子是空穴,因此P型半导体带正电。(×)3.在交流电路中,电感元件和电容元件的平均功率为0,所以并不消×)4.×)5.直流铁心线圈只有铜(√)1r6.磁性材料(×)1.磁感应强度B是表示磁场空间某点的磁场强弱和方向的物理量,是矢量。()2.磁场内各点磁感应强度的大小和方向均相同。(×)13.磁性材料。(×)r4.铁损Pfe包括磁滞损耗Ph和铜损。(√)5.变压器原、副绕组的电流与匝数成正比。(√)6.直流铁心线圈只有铜损(√)7.8.)9.×)1、N型半导体的多数载流子是自由电子,因此N型半导体带负电。(×)2、P型半导体的多数载流子是空穴,因此P型半导体带正电。(×)3、因为晶体三极管由两个PN结组成,所以能用两个晶体二极管反×)4、因为晶体三极管由两个PN结组成,所以晶体三极管可以当同材√)5、发射结处于正向偏置的晶体三极管,其一定是工作在放大状态。(×)6、发射结处于反向偏置的晶体三极管,其一定是工作在截止状态。(√)7√)8、在外电场作用下,半导体中会同时出现电子电流和空穴电流。(√)9、一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而减小。(√)10、今在电路中测得晶体三极管的三个管脚的电位分别为4V3.4V和9V,说明这个晶体三极管是NPN×)11、今在电路中测得晶体三极管的三个管脚的电位分别为-2.3V、-2V和-6V,说明这个晶体三极管是PNP√)12)13、二极管的反向电压一旦超过其最高反向工作电压时就会损坏。(√)14、P型半导体带正电,N×)15√)16√)17×)18√)19√)20√)1、n个电阻串联,总的阻值等于n个电阻各自倒数之和的倒数。(×)2阻a和ba>>b,那么并联后的等效电阻可约等于b×)3、一个电压源并联一个电阻的形式可等效为一个电流源串联一个×)4、任何一个有源二端线性网络都可以用一个电动势和一个电阻串联√)5、任何一个有源二端线性网络都可以用一个电流源和一个电阻串×)10.×)3、在电容元件的交流电路中,电压的相位比电流的相位超前90°(×)4、在交流电路中,电感元件和电容元件的平均功率为0,所以并不消耗能量(×)1、三相正弦交流电,当三相负载对称时,任何时刻三相电流之和总×)2.相电压是指每一相线圈或负载上的电压;线电压是指每两相线路×)五.计算100mV时,u为多少?1.电路如下图所示,试问当uiO∞∞10KΩ10KΩ2uOui2.(本题10分)用戴维南定理求下图中R上的I。LE=E3l=R=R=R=1ΩΩ(1)当开231
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