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文档简介
(2019年5月)qq、库仑定律:Fˆ1212Fq对q的库仑力:4r12121220ˆ12从q指向q方向的单位矢量:12、电场的高斯定理真空中:EdS1qS0(S)DdSq介质中::自由电荷q00S()电位移:电极化强度:DEPE0rr0、点电荷的电场:球对称性!方向沿球面径向。q点电荷q的电场:E(r)4r204r点电荷dq的电场:(r)20、无限大均匀带电平面(两侧为均匀电场)EEEE0000、电势与电势能:VbE电势:(b为电势零点,=0)Vaba位正电荷从该点移到零电势点电场力所做的功。EqV电势能:pa0aWEEE保守力做功与势能增量的关系:abppapbE0、静电场的环路定理:(说明静电场为保守场)L、均匀带电球面的电场和电势:0(rR)Q(rR)QE(r)4R(球面及面内等电势)(rR)V04r2(rR)0r0、导体或金属静电平衡的特点:(1)导体内部场强处处为;(2)导体表面的电场强度方向垂直于导体表面;(3)导体是一等势体,其表面为等势面;(4)导体表面的电场强度大小与表面附近处的电荷面密度成正E比,即;表0(5)导体内部无净余电荷,净余电荷只能分布在导体的表面。Q、电容的定义式:CU电容器的C只与两导体的形状、大小、相对位置及周围介质有关,与Q、U无关!10、常见电容器的电容:孤立导体球的电容:CR(0rrrS平板电容器:C0dRR球形电容器:Cr012RR21l柱形电容器:C0lrln(R/R)2111、电容的串并联(与电阻的串并联公式相反)11电容串联:电容并联CC:CCiiii12、电容器的电能:Q112W2(因为Q)C22eWwdV13、静电场能量的一般公式:eeV1212其中,静电场能量密度:wE2er014、电介质中:PPp(1)电极化强度:EeV0r(2)极化电荷面密度:ˆPeˆ:nenV(3)有电介质时求解问题的顺序:先求D再求E再求B15、磁通量公式:mSB016、磁场的高斯定理:S半无限长载流直导线II00rrPPIIrr为P为P载流圆线圈IIORROI02R02RooB00细螺绕环000r0r18、安培环路定理:BI0i()LBHHII00L(L)19、磁介质中:(1)磁化强度:mmM:磁矩H(MHVmr(2)磁化电流面密度:(MM)eˆe21ˆ:21nn、(3H再求B再求B20、洛伦兹力:fmBFbB21、安培力:aIB22、霍耳电压公式:UU:霍耳电压,n:d:导体(HH板平行于磁场方向的尺寸)e23、磁矩(磁偶极矩):mˆ是线圈平面法线方向,而且是与电(enn流构成右手的法线方向)mB磁力矩:M24、磁介质分类:顺磁质:;抗磁质:;铁磁质:111rrrdm25、法拉第电磁感应定律:dti()(vB)26、动生电动势:idIdt27、自感系数:自感电动势:LLmIL互感系数:互感电动势,MMMMM21II121228、自感线圈内的磁场能量:W2m磁场能量的一般公式:wdVWmmVB211磁场能量密度:wHHB)2222m29、位移电流:本质是指变化的电场!D位移电流密度:jtdD位移电流强度:IDtdS30、麦克斯韦方程组:
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