微电子制造概论-中期检查参考

微电子制造概论中期测试参考答案名词解释请写出以下英语缩写在本专业中的一般性意义，并简要解释其涵义CD关键尺寸，是芯片特征尺寸中最小的工艺尺寸。CVDCVD，是ChemicalVaporDeposition（化学气相沉积）的缩写，是利用化学反应方式，在反应室内让反应物（通常为气态）反应生成固态生成物，并沉积在晶片表面的一种薄膜沉积技术PVD物理气相淀积，PVD(PhysicalVaporDeposition)，指利用物理过程实现物质转移，将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。QFP四方型扁平式封装技术（PlasticQuadFlatPackage），该技术实现的CPU芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式CMPChemicalMechanicalPlanarization,化学机械平坦化，是一种芯片制造工艺，用于采用化学腐蚀然后用机械摩擦的方法来进行表面抛光。填空目前采用最多的单晶硅生长方法是：CZ法半导体硅中的载流子包括电子，空穴光刻胶的种类有正胶，负胶以下电子元件的封装形式BGAPGACMOS表示互补金属氧化物半导体简答用能带论简述导体、半导体、绝缘体的区别从能带的角度看，导体中自由电子大多集中在导带，因此，在外接电场下，可以直接导电；绝缘体中的外层电子基本积聚在价带，不参与导电；半导体与绝缘体相同，外层电子基本积聚在价带，绝对温度为0时，不参与导电，但与绝缘体不同的是，其禁带宽度较小，所以价带中的电子获得较低能量就可以有一部分跃迁到导带参与导电，所以半导体呈现介于导体与绝缘体之间的导电特性。分析NPN型三极管能够产生电流放大效应的原理在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子），基区的多数载流子（空穴）很容易地穿越过发射结向反方向扩散，但因前者的浓度大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo。根据电流连续性原理得：Ie=Ib+Ic这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系简述半导体制造工艺中的离子注入相比扩散的优点和缺点优点：[a]、注入离子纯度高[b]、注入剂量范围宽，精确可控[c]、低温注入[d]、注入深度精确可控。缺点：[a]、成本高[b]、会造成晶圆衬底损伤芯片制造中氧化工艺有哪些主要的方法？它们的优缺点是什么？目前应用最广的是哪种？主要有：干氧氧化，水汽氧化，湿氧氧化，干-湿-干氧化等干氧氧化：Si+O2=SiO2,优点：生成薄膜质量好，缺点：速度慢水汽氧化：Si+H2O=SiO2+H2,优点：速度快，缺点：薄膜质量不高湿氧氧化：O2通过高纯水再与Si氧化，膜质量在上述两者之间，速度较快，缺点是质量仍然不如纯O2氧化。应用最广是干-湿-干氧化计算分析用a,b,c三个按钮控制电动机，a按钮控制电机正转，b按钮控制电机反转，c按钮则停止转动。写出真值表，逻辑关系式，逻辑图，cmos门电路图和时序图。真值表输入状态输出状态ABC正转Y0反转Y1停止Y21001001010011100