ME8327 5V2A 原边电源控制芯片_第1页
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文档简介

原边反馈恒压恒流控制器ME8327B一、芯片基本介绍ME8327是一款满足六级能效标准原边反馈准谐振模式的小功率AC/DC电源控制芯片。内部集成了650V,2A的高压功率MOS管，最大功率10W，用于充电器，适配器和LED驱动领域。实现±5%的恒压恒流精度和小于100mW的待机功耗。在恒压模式下内置了线电压补偿功能。采用准谐振控制，实现高效率和良好的EMI性能，满足六级能效标准要求。主要特点如下：•轻松实现能源之星6级能效要求QR模式PSR控制器，具有高效率、低EMI最大功率10W•取代线性变压器及RCC电路可实现100mW待机功耗±5%的CC和CV精度•带线损补偿内置的前沿消隐•逐周期电流限制•内置软启动•良好的保护和自恢复功能*VDD过/欠电压保护*驱动门电压嵌位*输出电压过压保护*VDD嵌位*输出过流保护*引脚悬浮保护SOP-7封装•过温保护应用范围：•电池充电器为手机、无绳电话、PDA、数码相机等•小功率适配器AC/DCLED照明

1.产品型号说明ME8：J27B)<XG环保标识——封装形式：S7-SOP7 版本或功能:A 产品品系中主一口一来由）口口八刀3AFT小K产品型号产品说明ME8327BS7G内置650V高压MOSFET功率管

电气参数（无特别说明，环境归度=25GVDD输入电压=16V）测试条件,小值娅值单位芯片电源部分（VDD管脚）〔START启动电流VDD=UVLO(ON)-1V测试VDD端电流-220PAIdd工作电流虬幽=1#CL=0.5rtFVDD=20V-1.01.5mAUVLO(on)VDD欠压保护VDD电压下降B59.510.5VUVLO(off)VDD启动电压VDD电压上升1415,516.5VOVPVDD过压保护313335VVDD_ClampVDD钳位电压lg>=7mA333537V反伽*入部分（INV曾脚）V|b<V_EA_Rsff反架奏考电压1.982.02.02VV|NV_OVP输出过压保护阚直电压2/VTmin_off最小关断时间2PSTmax_off最大关断时间2.3TlSlcable_max最大线损补偿电流日5pA电流检箱部分（cs<»）LEBCS前沿消隐时间-500-nSTd_oc芯片美断延返-100-nS怛流控制部分（CQMP管脚）V_CCiMP_REF内部COMIP压490500510TlVMOS^fr率管部分BVdssMQS的漏源击穿电压V

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