GB/T 11498-2018半导体器件集成电路第21部分：膜集成电路和混合膜集成电路分规范(采用鉴定批准程序)

ICS31200

L57.

中华人民共和国国家标准

GB/T11498—2018/IEC60748-211997

代替:

GB/T11498—1989

半导体器件集成电路第21部分

:

膜集成电路和混合膜集成

电路分规范采用鉴定批准程序

()

Semiconductordevices—Interatedcircuits—Part21

g:

Sectionalspecificationforfilmintegratedcircuitsandhybridfilm

integratedcircuitsonthebasisofthequalificationapprovalprocedures

(IEC60748-21:1997,IDT)

2018-12-28发布2019-07-01实施

国家市场监督管理总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T11498—2018/IEC60748-211997

:

前言

半导体器件集成电路已经或计划发布以下部分

《》:

半导体器件集成电路第部分总则

———GB/T16464—19961:(idtIEC60748-1:1984)

半导体器件集成电路第部分数字集成电路

———GB/T17574—19982:(idtIEC60748-2:

1985)

半导体器件集成电路第部分模拟集成电路

———GB/T17940—20003:(idtIEC60748-3:

1986)

半导体器件集成电路第部分接口集成电路第一篇线性数

———GB/T18500.1—20014::

字模拟转换器空白详细规范

/(DAC)(idtIEC60748-4-1:1993)

半导体器件集成电路第部分接口集成电路第二篇线性模

———GB/T18500.2—20014::

拟数字转换器空白详细规范

/(ADC)(idtIEC60748-4-2:1993)

半导体器件集成电路第部分半定制集成电路

———GB/T20515—20065:(idtIEC60748-5)

半导体器件集成电路第部分半导体集成电路分规范不包括混

———GB/T12750—200611:(

合电路

)(idtIEC60748-11:1990)

膜集成电路和混合膜集成电路总规范

———GB/T8976—1996(idtIEC60748-20:1988)

半导体器件集成电路第部分膜集成电路和混合膜集成电路分

———GB/T11498—201821:

规范采用鉴定批准程序

()(IEC60748-21:1997,IDT)

半导体器件集成电路第部分膜集成电路和混合膜集成电路

———GB/T13062—201821-1:

空白详细规范采用鉴定批准程序

()(IEC60748-21-1:1997,IDT)

膜集成电路和混合膜集成电路分规范采用能力批准程序

———GB/T16465—1996()(idt

IEC60748-22)

膜集成电路和混合膜集成电路空白详细规范采用能力批准程序

———GB/T16466—1996()(idt

IEC60748-22-1)

本部分为半导体器件集成电路的第部分

《》21。

本部分按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本部分代替膜集成电路和混合膜集成电路分规范采用鉴定批准程序与

GB/T11498—1989《()》,

相比主要技术变化如下

GB/T11498—1989:

试验程序由一个鉴定程序扩展为程序和程序两个鉴定程序

———AB。

本部分使用翻译法等同采用半导体器件集成电路第部分膜集成电路

IEC60748-21:1997《21:

和混合膜集成电路分规范采用鉴定批准程序

()》。

本部分做了下列编辑性修改

:

原文为以逐批和周期试验为基础的鉴定批准程序见表和表或表和表有误现改

———IEC“2367”,

为以逐批和周期试验为基础的质量一致性检验程序见表和表或表和表见

“2367”(3.2);

原文为评定水平应从表或表和表或表中选取有误改为评定水平应从表或

———IEC“2632”,“2

表和表或表中选取见

637”(3.3);

表的分组试验后增加脚注建议试验后进行终点电测试见表

———3bC2、C3、C4、D1,,(3b)。

表中分组可焊性试验原文为即非破坏性有误该项试验性质为破坏性因此改为

———51.2“ND”,,

见表

“D”(5)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任

,。

Ⅰ

GB/T11498—2018/IEC60748-211997

:

本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本部分由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本部分起草单位中国电子科技集团公司第四十三研究所中国电子技术标准化研究院

:、。

本部分主要起草人冯玲玲陈裕焜雷剑王琪王婷婷管松林

:、、、、、。

本部分所代替标准的历次版本发布情况为

:

———GB/T11498—1989。

Ⅱ

GB/T11498—2018/IEC60748-211997

:

半导体器件集成电路第21部分

:

膜集成电路和混合膜集成

电路分规范采用鉴定批准程序

()

1范围和目的

半导体器件集成电路的本部分适用于作为目录内电路或定制电路而制造的其质量是以鉴定

《》、

批准为基础评定的膜集成电路和混合膜集成电路

。

本部分的目的是为额定值和特性提供优先值从总规范中选择合适的试验和测量方法并且给出根

,,

据本部分制定的膜集成电路和混合膜集成电路详细规范使用的通用性能要求

。

优先值的概念直接应用于目录内电路但是不必应用于定制电路

,。

参照本部分制定的详细规范所规定的试验严酷等级和要求可等于或高于分规范的性能水平不准

,

许有更低的性能水平

。

同本部分相联系的有一个或多个空白详细规范每个空白详细规范均给以编号按照规定填

,。2.3

写空白详细规范即构成一个详细规范按体系的规定该类详细规范可用于膜集成电路和混合

,。IECQ,

膜集成电路鉴定批准的授与和质量一致性检验

。

注对于试验程序有两个选择程序和程序但是不准许在程序和程序之间进行个别试验项目的调换

::AB。AB。

通常程序更适用于基于无源元件的膜集成电路程序更适用于基于半导体集成电路技术的膜集成电路

,A,B。

2总则优先特性额定值和环境试验严酷等级

、、

21规范性引用文件

.

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

电阻器和电容器优先数系

GB/T2471—1995(idtIEC60063:1963)

膜集成电路和混合膜集成电路总规范

GB/T8976—1996(idtIEC60748-20:1988)

半导体器件集成电路第部分膜集成电