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文档简介

preparation(硅片准备)

(硅片制造)

(硅片测试和拣选)

(装配和封装)

test(终测)

不同晶向的硅片，它的化学、电学、和机械性质都不同，这会影响最终的器

双极集成电路通常用（111）晶面或<111>晶向。

氧化方式及其化学反应式：①干氧氧化：Si＋O2

硅的氧化温度：750

Na＋、K＋离子，来源于工艺中的化学试剂、器皿和各

As）。

④硅片晶向：<111>硅单晶的氧化速率比<100>稍快

通常的退火温度：＞950℃，时间：30

RTP，在较短的时间（10

注入；⑨超浅结注入；⑩绝缘体上的硅（SOI）中的氧注入。

④轻掺杂漏区（LDD）注入：减小最大电场，增强抗击穿和热载流子能力。

数值孔径（NA）

sin

透镜半径m 透镜焦长

分辨率（R）

0.6～0.8；λ为光源的波长；NA

焦深（DOF）

0.1%，因而需要较多的气体以产生足

系统（APCVD）体）。

系统（LPCVD）

Poly－Si

Poly－Si

Poly－Si

Poly－Si

多晶电阻及桥联；③PIP

Al）更高的可靠性；⑤在陡峭的结构上沉

缺点：溅射速率低,

在纯铝和硅的界面加热合金化过程中（450～500℃）

TiSi2、CoSi2

Polish）是通过化学反应和机械研磨相结合的方法对表面起伏的硅

3.0μm

阱区→N

隔离工艺:垫氧氧化→氮化硅沉积→光刻有源区→光刻

管源漏区→NMOS

管源漏区→PMOS

⑤金属互连的形成：BPSG

沉积→回流/增密→光刻接触孔→溅射

0.18μm

工艺；⑤侧墙形成工艺；⑥源/漏（S/D）注入工艺；⑦接触形成工艺

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