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全球碳化硅产业向好国际大厂市场占有率高国内企业持续扩大投资加速追赶碳化硅属于第三代半导体材料，在低功耗、小型化、高压、高频的应用场景有极大优势。碳化硅制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积，下游应用广泛，包括半导体器件、耐火材料、功能陶瓷、冶金原料、磨具磨料等。在碳化硅器件成本结构中，衬底成本约占50%。碳化硅器件成本结构\t"/market/202112/_blank"，随着新能源汽车、工业电源行业发展，全球碳化硅器件需求增多，行业市场规模快速增长。数据显示，全球电力电子碳化硅市场规模为5。64亿美元，较上年同比增长31。2%；2020年，全球电力电子碳化硅市场规模约为6。03亿美元，较上年同比增长6。9%。2018-2020年全球电力电子碳化硅市场规模、增速及预测现阶段，国际龙头企业占据碳化硅市场主要位置，其中美国Cree领先发展。数据显示，2020上半年美国Cree半导体SiC晶片出货量占据全球45%。2020年H1全球半导体SiC晶片出货量占比情况从国内企业来看，经过十余年的技术自主研发，国内龙头碳化硅衬底企业已经掌握2-6英寸的碳化硅衬底制备方法，产品质量达到国际先进水平，并持续扩大投资碳化硅衬底项目，逐步提升市场份额。国内厂商碳化硅投资情况公司名称地点碳化硅投资情况三安光电湖南长沙2021年6月，总投资160亿元的湖南三安半导体基地一期项目正式投产，产能规模达到6寸3万片/月。露笑科技浙江绍兴公司项目计划总投资6.95亿元，主要采用碳化硅升华法长晶工艺及SiC衬底加工工艺，建成后形成年产8.8万片碳化硅衬底片的生产能力。天科合达北京2020年投资第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目95,706.00万元，建设一个包括晶体生长、晶片加工和清洗检测等全生产环节的生产基地。项目投产后年产12万片6英寸碳化硅晶片，其中6英寸导电型碳化硅晶片约为8.2万片，6英寸半绝缘型碳化硅晶片约为3.8万片。山东天岳山东济南在上海临港新片区建设碳化硅衬底生产基地，满足不断扩大的碳化硅半导体衬底材料的需求。公司的“碳化硅半导体材料项目”已被上海市发改委列入《2021年上海市重大建设项目清单》。为实现产能扩张，正在募资建立25亿元项目。同光晶体河北保定公司已完成自主搭建200台单晶生长炉

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