GB/T 15651.4-2017半导体器件分立器件第5-4部分：光电子器件半导体激光器

ICS31260

L51.

中华人民共和国国家标准

GB/T156514—2017/IEC60747-5-42006

.:

半导体器件分立器件

第5-4部分光电子器件

:

半导体激光器

Semiconductordevices—Discretedevices—Part5-4Otoelectronicdevices—

:p

Semiconductorlasers

(IEC60747-5-4:2006,IDT)

2017-05-31发布2017-12-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T156514—2017/IEC60747-5-42006

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………2

物理概念

3.1……………2

器件类型半导体激光器激光二极管

3.2———()………2

一般术语

3.3……………2

与额定值和特性有关的术语

3.4………………………3

基本额定值和特性

4………………………7

类型

4.1…………………7

半导体

4.2………………7

外形与封装细节

4.3……………………7

极限值绝对最大额定值

4.4()…………7

光电特性

4.5……………8

补充资料温度对波长的影响

4.6———…………………9

测试方法

5…………………10

功率测试

5.1……………10

输出功率稳定性

5.2……………………10

时域分布

5.3……………12

寿命

5.4…………………14

激光束的光学特性

5.5…………………14

附录资料性附录空间分布和光谱特性相关术语及定义参照表

A()…………………18

附录资料性附录空间分布和光谱特性相关测试方法参照表

B()……22

附录资料性附录功率测试和寿命相关术语定义及测试方法参照表

C()、…………23

参考文献

……………………24

图带端口无透镜器件

1……………………3

图开关时间

2………………4

图激光二极管的阈值电流

3………………5

图基本电路图

4…………………………10

图基本电路图

5…………………………12

图典型脉冲响应图

6……………………13

图基本电路图

7…………………………14

Ⅰ

GB/T156514—2017/IEC60747-5-42006

.:

图半强度角

8……………15

图指定平面和机械参考面的关系

9……………………15

图基本测量装置图

10……………………16

图D和D的测量装置

111/21/e2……………17

表光电特性

1………………8

Ⅱ

GB/T156514—2017/IEC60747-5-42006

.:

前言

半导体器件分立器件和集成电路第部分光电子器件由以下部分组成

GB/T15651《5:》:

第部分光电子器件基本额定值和特性

———5-2:;

第部分光电子器件测试方法

———5-3:;

第部分光电子器件半导体激光器

———5-4:。

本部分为的第部分

GB/T156515-4。

本部分按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻译法等同采用半导体器件分立器件第部分光电子器件

IEC60747-5-4:2006《5-4:

半导体激光器

》。

与本部分中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下

:

激光辐射功率和功率不稳定度测试方法

———GB/T13863—2011(ISO11554:2006,MOD);

激光术语

———GB/T15313—2008(ISO11145:2006,MOD);

半导体器件和集成电路第部分总则

———GB/T17573—19981(IEC747-1:1983,IDT);

激光和激光相关设备激光光束宽度发散角和光束传输比的试验方

———GB/T26599.1—2011、

法第部分无象散和简单象散光束

1:(ISO11146-1:2005,IDT);

激光光束指向和位置稳定性测试方法

———GB/T27662—2011(ISO11670:2003,IDT)。

本部分做了下列编辑性修改

:

在第章规范性引用文件中增加了

———2,“IEC60747-1”;

图中接收角或束散角对应为全角

———1α;

开关时间中见图改为见图

———3.4.1“(3)”“(2)”;

注中微分输出辐射功率量子效率中η改为η

———3.4.33()“ed”“d”;

激光束光学特性中见改为见

———3.4.7“(ISO1146-3)”“(ISO11146-3)”;

改为

———“4.2.1.1”“4.2.1”;

表中边模抑制比改为

———1,4.5.12“SMS”“SMSR”;

注中根据ϕ依次确定指定平面后确定后增加如图所示

———5.5.4a)“”“8。”;

附录中术语相干性脉冲重复频率引用由改为

———A,“~”ISO11145“3.14~3.51”“3.15~3.52”,

术语量子效率非稳腔引用由改为术语偏振引用

“~”ISO11145“3.52~3.56”“3.54~3.58”,“”

由改为

ISO11145“3.36”“3.37”;

附录中删除术语峰值发射波长光谱辐射带宽引用的的

———A,“”、“”ISO11145“3.54”;

附录中开通延迟时间引用由改为寿命引用

———C,“”IEC60747-5-4“3.4.1.4”“3.4.1.3”,“”

由改为

ISO11145“3.33”“3.34”。

本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本部分由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本部分起草单位中国电子科技集团公司第十三研究所

:。

本部分主要起草人刘小文陈海蓉安振峰牛江丽王晓燕任浩

:、、、、、。

Ⅲ

GB/T156514—2017/IEC60747-5-42006

.:

半导体器件分立器件

第5-4部分光电子器件

:

半导体激光器

1范围

的本部分规定了半导体激光器的基本额定值特性及测试方法

GB/T15651、。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

半导体器件分立器件和集成电路第部分总则

IEC60747-11:(Semiconductordevices—Dis-

cretedevicesandintegratedcircuits—Part1:General)

光纤光学系统用半导体光电器件第部分基本额定值和特性

IEC62007-11:(Semiconductor

optoelectricdevicesforfibreopticsystemapplications—Part1:Essentialratingsandcharacteristics)

光纤光学系统用半导体光电器件第部分测试方法

IEC62007-22:(Semiconductoroptoelectric

devicesforfibreopticsystemapplications—Part2:Measuringmethods)

光学和光学仪器激光和激光相关设备术语和符号

ISO11145(Opticsandoptical

instruments—Lasersandlaserrelatedequipment—Vocabularyandsymbols)

激光和激光相关设备激光光束宽度发散角和光束传输比的试验测试方法第

ISO11146-1、1

部分无像散和简单像散光束

:(Lasersandlaser-relatedequipment—Testmethodsforlaserbeam

widths,divergenceanglesandbeampropagationratios—Part1:Stigmaticandsimpleastigmatic

beams)

激光和激光相关设备激光光束宽度束散角和光束传输比的测试方法第部

ISO11146-2、2

分广义像散光束

:(Lasersandlaser-relatedequipment—Testmethodsforlaserbeamwidths,

divergenceanglesandbeampropagationratios—Part2:Generalastigmaticbeams)

激光和激光相关设备激光光束宽度束散角和光束传输比的测试方法第部

ISO11146-3