• 现行
  • 正在执行有效
  • 1995-12-22 颁布
  • 1996-08-01 实施
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中华人民共和国国家标准GB/T15870--1995硬面光掩模用铬薄膜Chromethinfilmsforhardsurfacephotomasks1995-12-22发布1996-08-01实施国家技术监督局发布

GB/T15870-1995本标准非等效采用SEMI标准Semip2-86《硬面光掩模用铬薄膜》。本标准第4章“要求”中4.6按Semip2-86《硬面光掩模用铬薄膜》制定，其余均按我国国情制定。本标准对国家标准GB7237—87(铬版》中3.2的内容进行补充。与GB7237中3.2的重要技术改变之处为：增加磁溅射方法制作的铬膜有关技术指标。本标准由中华人民共和国电子工业部提出本标准由电子工业部标准化研究所归口。本标准起草单位：长沙韶光微电子总公司、电子工业部标准化研究所。本标准主要起草人：吴保华、王亦林、赵雨生、谈仁良

中华人民共和国国家标准GB/T15870-1995硬面光撞模用铬薄膜1范围本标准规定了硬面光掩模用铬薄膜的要求、试验方法、检验规则等内容本标准适用于硬面光掩模用铬薄膜(以下简称铬薄膜)2引用标准下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时，所示版本均为有效。所有标准都会被修订，使用本标淮的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。GB191一90包装储运图示标志GB2828—87逐批检查计数抽样程序及抽样表(适用于连续批的检查)GB2829—87周期检查计数抽样程序及抽样表(适用于生产过程稳定性的检查》GB7239—87铬版铬膜和胶膜厚度的测试方法GB7240—87格版铬膜表面反射率的测试方法GB7241—87铬版光密度的测试方法GB/T15871—1995硬面光掩模基板SJ/T10584—94微电子学光掩蔽技术术语3定义本标准采用SJ/T10584中的定义。4要求4.11铬薄膜光密度a）铬薄膜的光密度为2.5士0.3(白光);b）特殊要求，由供需双方商定。4.2铬薄膜厚度a）真空蒸发成膜的低反射率(LRC)铬膜厚度为145nm±15nm;b）磁控滩射成膜的低反射率(SLRC)铬膜厚度为95nm±10nm;)特殊要求，由供需双方商定。4.3铬薄膜反射率a）高反射：R>40%;b）中等反射：15%<R<40%；c）低反

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