• 被代替
  • 已被新标准代替
  • 1995-12-22 颁布
  • 1996-08-01 实施
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GB/T 15877-1995蚀刻型双列封装引线框架规范_第1页
GB/T 15877-1995蚀刻型双列封装引线框架规范_第2页
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文档简介

TC3..31.200L55中华人民共和国国家标准GB/T15877－1995蚀刻型双列封装引线框架规范SpecificationofDIPducedlbyetchingT1995-12-22发布1996-08-01实施国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准蚀刻型双列封装引线框架规范GB/T15877-1995SpecificationofDIPleadframesproducedbyetching主题内容与适用范围主题内容本规范规定了半导体集成电路蚀刻型双列封装引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检验规1.2！适用范围本规范适用于半导体集成电路塑料双列封装引线框架，其他封装形式引线框架也可参照使用。2引用标准GB7092-93半导体集成电路外形尺寸GB/T14112—93半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范GB/T14113-93半导体集成电路封装术语SJ/Z9007-87计数检套抽样方案和程序术语、符号、代号本规范所用术语、符号和代号应按GB/T14113的规定技术要求4.1设计引线框架的外形尺寸应符合GB7092的有关规定，并符合引线框架设计的要求。4.1.1引线键合区的最小面积引线键合区应保证其宽度不小于0.2mm，长度不小于0.635mm，由于蚀刻工艺中的钻蚀是难以避免的，并将产生端头倒圆现象，因此在长度计量时应从距端部0.25mm处起进行计算，4.1.2金属间的间隔引线框架各内引线之间，内引线与芯片粘接区之间的距离不小于0.15mm.4.2引线框架形状和位置公差4.2.1引线框架的侧弯应小于标称条长的0.5%.4.2.2引线框架的卷曲应小于标称条长的0.3%4.2.3引线框架的横弯引线框架的最大横弯尺寸应符

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