IGBT及二极管晶元使用

芯极值：集电极—发射极饱和电压，任何情况下都不可以超过大值，即使是瞬间超过也会引起器件失效。集电发射极阻断电压与温度有关，所有ABB器的设计都使阻断电压包含在一定的温度范围内用高直流电压会增加器件失效几率此作电压必须低于规定的可重复峰值电压。IC：流集电极电流，名义上的直流电压。ICM集电极峰值电流IGBT可在最大峰值电压的范围内开关，超过这个值会引起关断失效，同时也会由于过热引起器件失效热脉冲持续时间有关，如果持续时间非常短，则不一定会引起过热VGES：极发极电压，这是任何条件下门极与发射极之间允许的最大电压值，超过这个值会引起门极氧化退化，最终导致器件失效。tpsc:短安全工作区是在一定条件下，通过的路电流脉冲允许持续的最大时间。超过这个时间会使器件由于过热而失效。：温，是指IGBT芯片能够工作的最高温度。二管片限：重复反向峰值电压，指器件可重复阻断的最大电压。过高的电压会导致是器件失效几率增大。：正向连续电流，即指直流电流。IFRM：可重复正向峰值电流，指二极管可以导通的最大电流超过此值会导致关断失效及器件过热（根据脉冲持续时间：温，二极管可以工作的最高温度。特参，为静态参数和动态参数两种：集电发极击穿电压，击穿电压达到最小时器件在阻止正向导通。：电极发极饱和电压，指一定条件下集电极与发射极之间的电压，与键合线的走线有关。ICES：电极截止电流，：栅极漏电流，：极发射极阈值电压，指集电极电流达到指定时栅发极电压的值。：极充电荷，指在一定条件下，门极电压从最小值升到最大值所需要的电荷量。Cies：输入电容，指在给定条件下，门极与发射极之间电容。：输出电容，指在给定条件下，集电极与发射极之间电容。：向传输电容，指在给定条件下，集电极与门极之间的电容。：部门极电阻，指门极内建电阻。：开通延迟时间，指门极电压和集电极电流上升到最终值的10%时所需要的时间。tr：上升时间，指集电极电流从最终值的10%上升到所需要的时间。开通时间是和之。：关断延迟时间，指门极电压和集极电流降至最终值的所要的时间。：断时间，指集电极电流由最终值的90%沿由最终值分别到达90%和60%两个时间点组成的外推直线降至10%所要的时间。开通时间是td(off)和tf之。1

图开参数曲线图图关参数曲线图Eon开通能量损耗，指单次开通时损耗的能量，是集电极电与集电极发射极电压从t1到的（值的大小还与使用的稳流二极管有关此极管具有与相同的温度。当使用不同的二极管时，会导致不同的能量损耗。：断能量损耗，指单次关断时损耗的能量，是集电极电流与集电极-发极电压从t3到的分）：短路电流，指在一定条件下器件短路时，限电流达到饱和。典型的波形如图所示，2

一般数据手册中的Isc值饱电流脉冲中间部的平均值，即图中黑色虚线之间数值的平均值。图3饱和电流二极管特性参数VF：正向导通电，指一定条件下二极管导通状态下阳极-阴之间的电压值。这个数值与键合线参数有关。IR：反向电流，指在一定条件下的漏电流。Irr：反向恢复电流，指在一定条件下的整流程中反向电流的峰值。Qrr：向恢复电荷，指在一定条件下的整流过程