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文档简介

HO216′**2*HO216′**2*2=*2=HO1200℃下进行基区氧化,氧化过程为:加45min湿T=95)干2NPN管分干:2由P131表1200℃,B=7.5×10

,

,

=1.87×10

m/min,===分秒tt,3030

X=O干

B

)(干初始氧化层厚X=200t2i

=

t=

0.02

2

=分湿2B=1.2×

µm

,A=t=

AX2ii1.2

分=′XO

湿(

45′

1.2

(451.502)

0.747µm分干2t

AX20.040.747ii

=784′XO

干2

15′

7.5

784)

Å现T=95℃2500nm,间(精确到分)。/

22=i222=i2T=1200℃,X=Å0.5µm0X=0干

B(

*

)

0.5=

1.62)

t=

0.520*7.5

1.62333.331.62331.7

′X0

湿

B(

*

)0.5=

1.2

t

t=

0.520=20.8B

′XO

(t*)

t=

0.5水1.457

′某盖0.2µm在长0.1µmX=0.2µm,再O

X=T=1200℃O干长0.2+0.1度SiO所需t.2:X=0.2µmit

*

j

0.2

0.047.5

′长X0.3µmO总X。=

B(*)

t=

0.320*6456

′/

22022202解:掩敝扩的X,t=23OminMOS

A8.6

查阅图3-46,D=cm,X

min

D

tSiO

=

2

=×=×10×nm=Å某硅晶为950℃求预为间(取μ≈p:0

1q

=

1

120

=9.47N1.6

cmD=/sQ=0S

t=(

Q2

s

)=

9.4720

5

=×=74把D=9×10代,t=51minIC采nΩ•cm为μ,eq\o\ac(□,),

16B

cm

R

1Rzj

25

cm

/

222S1/2S224222S1/2S224

N2

DtzDt(lnj

Ns2)NB

1

2

NS

j

N(lnS)N

14

:=,N=1

20

cm

=1

cm

/sQ=0S1

t11

t=(1

Q02

D1

)=(

4.41142

5

)=1.19×==20:=1180℃,D=1.2×10cm22=2j

Dt

NN

t=(2

xj2Dt

NN

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