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陕西国防工业职业技术学院课程报告课程微电子产品开发与应用论文题目CMOS集成电路制造工艺流程王京(24#) 任课教师张喜凤 2 4 CMOS集成电路制造工艺流程引言:集成电路的设计与测试就是当代计算机技术研究的主要问题之面MOS工艺技术,并制成了MOS集成电路。与双极集成电路相比,MOS集成电路的功耗低、结构简单、集成度与成品率高,但工作速度较慢。由于它们各具优劣势,且各自有适合的应用场合,双极集成工艺与MOS关键词:工艺技术,CMOS制造工艺流程1.CMOS器件成,有利于降低寄生电容,增加跨导,增强p沟与n沟晶体管的平衡性,适用于高性从MOS工艺集成技术发展历史上瞧,也经历了从简单到复杂的发展过程,如工艺已不能满足大规模与超大规模集成系统制造的需要,于就是早在1963年开复杂,早期的CMOS器件性能也较差,但CMOS器件的功耗极低,集成度也高,用以制与VLSI集成电路的制造中首先得到广泛应用,并得到快速发展,特别就是自20学刻蚀,具有优良的选择性,它刻蚀完当前薄膜就会停止,而不会损坏下面一层其也为模拟电路提供了更高性能的模拟开关与模拟电路应用的多晶硅－氧化物－点,CMOS工艺不仅就是数字电路的主导工艺技术,而且已不断在模拟与混合信号无线通讯系统由高频与中频模拟电路及数字信号处理电路构成。过去,一般高频模拟电路部分采用GaAs或硅双极工艺技术制造,中频模拟电路部分采用硅代通讯系统涉及到声音、数据、图像等多媒体信息,如果继续采用这种制造模式(5)形成N阱,去除硅片上的SiO2。SiOSiN,刻蚀场区

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