半导体硅片清洗4课时

半导体硅片清洗4课时第1页/共87页2本节课主要内容硅片清洗湿法清洗：Piranha，RCA（SC－1，SC－2），HF:H2O物理清洗干法清洗：气相化学吸杂三步骤：激活，扩散，俘获碱金属：PSG，超净化＋Si3N4钝化保护其他金属：本征吸杂和非本征吸杂——大密度硅间隙原子＋体缺陷SiO2的成核生长。硅片背面高浓度掺杂，淀积多晶硅第2页/共87页净化的三个层次：环境、硅片清洗、吸杂本节课主要内容净化级别高效净化净化的必要性器件：少子寿命，VT改变，IonIoff，栅击穿电压，可靠性电路：产率，电路性能Thebottomlineischipyield.“Bad”diemanufacturedalongside“good”die.

Increasingyieldleadstobetterprofitabilityinmanufacturingchips.杂质种类：颗粒、有机物、金属、天然氧化层强氧化天然氧化层HF:DIH2O本征吸杂和非本征吸杂第3页/共87页4三道防线:环境净化（cleanroom）硅片清洗（wafercleaning）吸杂（gettering）第4页/共87页51、空气净化FromIntelMuseum第5页/共87页6净化级别：每立方英尺空气中含有尺度大于0.5mm的粒子总数不超过X个。0.5um第6页/共87页7第7页/共87页8高效过滤排气除尘超细玻璃纤维构成的多孔过滤膜：过滤大颗粒，静电吸附小颗粒泵循环系统20～22C40～46％RH第8页/共87页9由于集成电路內各元件及连线相当微细，因此制造过程中，如果遭到灰尘、金属的污染，很容易造成芯片内电路功能的损坏，形成短路或断路，导致集成电路的失效！在现代的VLSI工厂中，75%的产品率下降都来源于硅芯片上的颗粒污染。例1.一集成电路厂产量＝1000片/周×100芯片/片，芯片价格为$50/芯片，如果产率为50％，则正好保本。若要年赢利$10,000,000，产率增加需要为产率提高3.8%，将带来年利润1千万美元！年开支=年产能为1亿3千万1000×100×52×$50×50%=$130,000,000第9页/共87页10Contaminantsmayconsistofparticles,organicfilms(photoresist),heavymetalsoralkaliions.第10页/共87页11外来杂质的危害性例2.MOS阈值电压受碱金属离子的影响当tox＝10nm，QM＝6.5×1011cm-2（10ppm)时，DVth＝0.1V例3.MOSDRAM的刷新时间对重金属离子含量Nt的要求＝10－15cm2，vth=107cm/s若要求G＝100ms，则Nt1012cm-3

=0.02ppb

!!第11页/共87页12颗粒粘附所有可以落在硅片表面的都称作颗粒。颗粒来源：空气人体设备化学品超级净化空气风淋吹扫、防护服、面罩、手套等，机器手/人特殊设计及材料定期清洗超纯化学品去离子水第12页/共87页13各种可能落在芯片表面的颗粒第13页/共87页14粒子附着的机理：静电力，范德华力，化学键等去除的机理有四种：

1氧化分解

2溶解

3对硅片表面轻微的腐蚀去除

4粒子和硅片表面的电排斥去除方法：SC-1,megasonic（超声清洗）第14页/共87页15金属的玷污来源：化学试剂，离子注入、反应离子刻蚀等工艺量级：1010原子/cm2影响：在界面形成缺陷，影响器件性能，成品率下降增加p-n结的漏电流，减少少数载流子的寿命Fe,Cu,Ni,Cr,W,Ti…Na,K,Li…第15页/共87页16不同工艺过程引入的金属污染干法刻蚀离子注入

去胶水汽氧化910111213Log(concentration/cm2)FeNiCu第16页/共87页17金属杂质沉淀到硅表面的机理通过金属离子和硅表面终端的氢原子之间的电荷交换，和硅结合。（难以去除）氧化时发生：硅在氧化时，杂质会进入去除方法：使金属原子氧化变成可溶性离子

MMz++ze-去除溶液：SC-1,SC-2（H2O2：强氧化剂）还原氧化第17页/共87页18有机物的玷污来源：环境中的有机蒸汽存储容器光刻胶的残留物去除方法：强氧化－臭氧干法－Piranha：H2SO4-H2O2

－臭氧注入纯水第18页/共87页19自然氧化层（NativeOxide）在空气、水中迅速生长带来的问题：接触电阻增大难实现选择性的CVD或外延成为金属杂质源难以生长金属硅化物清洗工艺：HF＋H2O（ca.1:50）第19页/共87页202、硅片清洗有机物/光刻胶的两种清除方法：氧等离子体干法刻蚀：把光刻胶分解为气态CO2＋H2O（适用于大多数高分子膜）注意：高温工艺过程会使污染物扩散进入硅片或薄膜前端工艺（FEOL）的清洗尤为重要SPM：sulfuric/peroxidemixtureH2SO4(98％):H2O2(30％)=2:1~4:1把光刻胶分解为CO2＋H2O（适合于几乎所有有机物）第20页/共87页21SC-1（APM，AmmoniaPeroxideMixture）：NH4OH(28%):H2O2(30%):DIH2O=1:1:5～1:2:7

70～80C,10min碱性（pH值>7）可以氧化有机膜和金属形成络合物缓慢溶解原始氧化层，并再氧化——可以去除颗粒NH4OH对硅有腐蚀作用RCA——标准清洗OH－OH－OH－OH－OH－OH－RCAcleanis“standardprocess”usedtoremoveorganics,heavymetalsandalkaliions.第21页/共87页22SC-2:HCl(73%):H2O2(30%):DIH2O=1:1:6~1:2:8

70～80C,10min酸性（pH值<7）可以将碱金属离子及Al3＋、Fe3＋和Mg2＋在SC-1溶液中形成的不溶的氢氧化物反应成溶于水的络合物可以进一步去除残留的重金属污染（如Au）RCA与超声波振动共同作用，可以有更好的去颗粒作用20～50kHz或1MHz左右。平行于硅片表面的声压波使粒子浸润，然后溶液扩散入界面，最后粒子完全浸润，并成为悬浮的自由粒子。第22页/共87页23机器人自动清洗机第23页/共87页24清洗容器和载体SC1/SPM/SC2–石英（Quartz）或Teflon容器HF–优先使用Teflon，其他无色塑料容器也行。硅片的载体–只能用Teflon或石英片架第24页/共87页25清洗设备超声清洗喷雾清洗第25页/共87页26洗刷器第26页/共87页湿法清洗传统RCA湿式化学清洗技术(wetchemicalcleantechnology)仍是主导目前深亚微米工艺的清洗过程，只是在SCl和SC2混合溶液方面作了些微小的改变，所有化学品的纯度也比早期提高很多，纯度从10-6提高到10-9，而高纯度的气体及纯水也比以前改进很多，因此在微粒、金属杂质及有机污染的去除效果方面有很大的进展。湿式化学清洗站(wetchemicalstation)，从早期的手动方式(manualtyp)发展到目前全自动电脑控制，供酸、换酸系统也发展成为自动化控制。27第27页/共87页湿式清洗程序

湿式清洗程序(wetcleanrecipes)主要仍以RCA清洗程序为主，对其经过改良以适用于IJLSI工艺及高温炉扩散前清洗，并开发出多种清洗应用程序，如扩散前清洗(pre一diffusionclean},栅极氧化前清洗(Pre一gateclean)和化学气相沉积前清洗(Pre一CVDclean)等。28第28页/共87页1.RCA清洗程序RCA清洗是采用SC1(APM)+SC2(HPM)化学清洗液进行清洗，主要去除微粒、金属杂质及有机污染，但不将晶片浸在HF槽中去除自然氧化物或氧化层。常用的RCA清洗程序如表所示:29第29页/共87页30常用的RCA清洗程序第30页/共87页为了要清除残留在晶片上的光刻胶及有机物，在标准RCA清洗程序中多增加了硫酸清洗，如SPM/SOM(SPM=H2SO4+H2O2,SOM=H2SO4+O3)这样的清洗程序称为改良式RCA清洗。清洗程序如表所示:31第31页/共87页32改良式RCA清洗程序第32页/共87页

RCA清洗常被用来作为CVD沉积前清洗和不必去除自然氧化物的清洗工艺，若需去除氧化层上的金属杂质则使用改良式RCA清洗程序，将晶片短暂浸蚀在DHF中，刻蚀氧化层的表层，以去除氧化层上的金属杂质。33第33页/共87页A式清洗程序A式清洗也是一种改良式的RCA清洗，与前面清洗程序的差别为在SC1和SC2清洗之间再加一个步骤:将晶片在SC1清洗后短暂浸人DHF(1%一5%HF),以去除自然氧化物及沉积在氧化层上的金属杂质，其清洗程序如表所示:34第34页/共87页35A式清洗程序A式清洗是早期工艺技术(3μm以上)中常用的清洗程序，由于晶片经SC1清洗去除微粒后，要再浸人DHF，这会产生新的微粒污染，所以在ULSI工艺中，不再使用A式清洗，而由B式清洗所取代。第35页/共87页B式清洗程序B式清洗也是一种改良的RCA清洗，主要是在SPM清洗后，将晶片浸人DHF槽以去除氧化层或自然氧化物，然后再进行标准的RCA清洗。清洗程序如表所示:36第36页/共87页37B式清洗程序第37页/共87页

B式清洗程序的微粒、金属杂质去除效果比A式清洗好，已取代A式清洗程序成为主要的湿式化学清洗程序。DHF中的浸蚀时间根据去除氧化层的厚度而定，并需考虑氧化层刻蚀的均匀度。B式清洗常被用来作为栅极氧化层前清洗，因此需特别注意清洗后有源区(activeArea)的洁净度、微粒、金属杂质、有机污染、自然氧化物和表面微粗糙度等。这种清洗程序也常被用来作为垫层氧化（padoxide)及场区氧化(fieldoxide）前清洗和离子注人后清洗。38第38页/共87页HF终结B式清洗当工艺技术精进到0.5μm以下时，栅极氧化层的厚度已降低到10nm以下，在B式清洗后化学氧化形成的一层薄氧化物会影响栅极氧化层的品质。为了避免薄氧化物的产生，发展了HF终结B式清洗，其程序如表所示:39第39页/共87页40HF终结B式清洗程序为了避免第9步DHF浸蚀时产生新的微粒，有许多清洗工艺将这一步的改为FPM(HF+H2O2)或HF+IPA,以去除微粒及金属杂质、改良表面微粗糙度第40页/共87页金属前清洗溅射金属前清洗的目的，主要是将接触孔刻蚀后残留在接触孔侧壁(sidewall的聚合物polymer)及接触孔底层的自然氧化物去除干净，以利于金属溅镀时形成良好的接触，使接触电阻降低。晶片经SPM清洗可去除附在接触孔侧壁的聚合物等有机污染，为了使BHF容易润湿接触孔的小洞，有效地将自然氧化物去除干净，通常在BHF中加人表面活性剂。其清洗程序如表所示:41第41页/共87页42清洗后的晶片应避免暴露在空气中，以免接触孔底层又产生自然氧化物而影响金属与接触孔的接触电阻，所以应立即放人金属溅射机内，快速完成金属溅镀。在如需等待金属溅镀，清洗后的晶片需存放在N2气柜内，若等待时间超过4小时，则晶片需要重新清洗。重洗不得超过两次，否则，接触孔的小洞受BHF浸蚀将变大或变形而造成接触孔破裂，从而影响线路，造成接触孔桥接短路，影响器件的可靠性。第42页/共87页SPM清洗

在前面已经讨论硫酸清洗去除光刻胶及其清洗配方。这里主要讨论PSG、BFSG或全面离子注入(blanketimplant)后的清洗。在磷硅玻璃或硼磷硅玻璃沉积后，SPM清洗的主要目的是将玻璃沉积后析出表面的磷玻璃及硼玻璃溶于硫酸，以消除表面的磷斑点或硼斑点。因为磷、硼玻璃的吸水性较强，沉积后的磷硅玻璃或硼磷硅玻璃放置在空气中，硼斑点或磷斑点将吸收空气中的水气形成磷酸或硼酸，使沉积后的晶片表面形成斑点的污染源，其反应式如下:B2O3+3H2O→2H3BO3P2O5+3H2O→2H3PO443第43页/共87页44同时沉积后的PSG或BPSG经高温致密化及回流后，也会析出成分为P2O5及B2O3的一层很薄的透明结晶玻璃，需经硫酸清洗以溶去磷、硼玻璃。在全面离子注人的过程中，虽然晶片表面没有光刻胶覆盖，但晶片表面在离子注人时也会沉积一层聚合物，因此，需通过硫酸清洗去除这层有机物污染。SPM清洗后，晶片表面会有微粒产生，因此常在SPM清洗后再加上SC1清洗以去除微粒。其清洗程序如上表所示。第44页/共87页湿式化学清洗工艺技术

在湿式化学清洗工艺技术中，主要有三种不同形式的清洗机台，各种机台有其不同的优缺点及应注意考查的标准，下面对各种清洗设备说明如下，以供参考。45第45页/共87页浸洗式化学清洗站这种化学清洗技术已经完全属于自动化控制，操作员只要将欲清洗的晶片连同晶舟放置在清洗站的输入端（inputstage)即可进行清洗。为了增加产量，一般均设计两个晶舟，每个晶舟可装25片晶片。如晶片不足，则用伪片补满或平均分配，使两个晶舟装有相同的晶片数，以便两边负重平衡。这样，在旋干时，才不会因负重不平衡导致旋干机振动造成碎片或产生微粒。若用IPA干燥法进行干燥可不必考虑到平衡的间题。操作员根据流程卡上记录的所需清洗程序，在电脑上选定要清洗的程序后，按下启动，机械手即开始按照设定的清洗程序执行清洗的工艺，逐槽清洗到脱水于燥。清洗完成后，机械手自动将清洗后的晶片传送到输出端(outputstage），然后发出信号告诉操作员将货卸下。一般化学酸槽非常庞大，在某些比较复杂的设计中，全套RCA或B式清洗.工艺共有5个化学槽，6个去离子纯水洗涤槽，长度超过30英尺。它的最大缺点为占用面积大。这种自动化学清洗站一般都设计有小型号及独立的排气系统，而机械手为后置式(rearmount)的，机械手在传送晶片从1站开始按照清洗程序逐槽清洗，到第12站清洗干燥后会自动更换晶舟。清洗程序可简述如下:46第46页/共87页①中央控制系统及晶片输人端:操作员将欲清洗的晶片及晶舟放在晶舟自动转换器上，将晶片从塑料晶舟转换到耐酸的特氟龙或石英晶舟后，操作员在电脑控制系统选定清洗程序并按下启动键。机械手即开始将晶舟提吊到程序设定的酸槽，徐徐浸人第2站酸槽。②每一站均有两个槽，一个为化学酸槽（chemicaltank)，另一个为纯水洗涤槽。在化学酸槽清洗后，机械手将晶片传送到洗涤槽将化学残酸洗除干净后，再传送到第3、4、5、6、12站等。③安装前置式的机械手，即机械手如装置在前面并与操作员同向时，容易造成机器手臂伤人的意外事件，为安全考虑，机械手常为后置式的。④酸槽化学浓度的校准:所有的酸槽都是开放式的，在酸槽内的化学酸会因加热蒸发、分解而影响到酸的浓度及各成分的混合比例，因此，需要用滴定法来检验酸浓度的变化，并添加新的化学品，以保持酸槽内浓度及比例的稳定。47第47页/共87页浸洗式化学清洗站的功能和优缺点

(1)软件功能(softwarecapability)在整座自动化酸槽系统中，各种清洗参数均能利用软件设定程序，以达到自动控制，如;①换酸时间(chemicalchange}②混合溶液比例(chemicalratio}③酸槽温度(tankternperatuive)④清洗时间〔cleaningprocesstime)⑤酸槽浓度(chemicalconcentration)⑥洗涤时间(rinsetime)⑦清洗阻值(rinseresislivity)⑧机械手操作(robotoperation)⑨预警系统(alarmsystem)48第48页/共87页(2)清洗功能(recipecapabilities)可设定多种清洗程序避免晶片间的“交互污染”，即将有掺杂(doped)及无掺杂(nondoped)的晶片分开在不同的酸槽系统内清洗，主要清洗程序有以下几种:①RCA清洗程序。②B式清洗程序。③栅极氧化前清洗程序。④HF终结B式清洗程序。⑤无HF酸B式清洗程序。⑥SPM清洗程序⑦金属前清洗程序。49第49页/共87页

(3)优点①节省化学品用量:每一个化学槽换酸后，约可清洗12一24h或以清洗的晶片批数作为换酸的依据。若连续清洗，则每片晶片清洗化学品的费用和成本较低。②连续清洗，提高了设备的利用率:换酸完毕，酸槽需预热约1h才可进行清洗，连续清洗时每10一15min可放入两个晶舟(50片晶片)进行清洗。50第50页/共87页

(4)缺点

这种清洗系统酸槽内的化学品的洁净度，随着清洗晶片数的增加逐渐脏污且金属和有机杂质易沉积在槽内而造成污染。另外，晶片是通过机械手移动来实现逐槽清洗的，机械手的移动会产生很多微粒。同时，机械手暴露在化学蒸气环境中，易受腐蚀而影响到机械手的可信度，机械手的异常会造成晶片报废及产生生产不安全因素，如机器手臂伤人、撞破石英槽、手臂断裂、破片等。微粒的控制及氧化的刻蚀率不稳定、不均匀。如将8英寸的晶片浸在DHF酸槽中去除氧化层时，下端先人后出，而上端后人先出，且晶片拉出液面时DHF由上往下流，将造成刻蚀的不均匀。随着晶片尺寸的变大，这些问题更为突出。该清洗系统的缺点为:51第51页/共87页①体积庞大，占用昂贵的净化室。②换酸后的准备时间长，影响产能。③价格昂贵，系统复杂，维修困难。④酸槽溶液越洗越脏。⑤洗涤槽的用水量多。⑥开放式加热酸槽使酸槽内的溶液浓度、比例随时在变。⑦清洗工艺不稳定。⑧机械手易造成意外事件。52第52页/共87页2.喷洗式单箱化学清洗机(spray

chemicalcleaningprocessor)

这种清洗方式是将晶片放在清洗槽内的转盘上，新鲜的清洗用化学溶液经N2加压、通过喷洗柱(spraypost)均匀喷淋在晶片上作为化学清洗及超纯水洗涤，转盘按照清洗程序所设定的转速转动，根据不同的清洗循环(cycle)自动变化，以达到最佳的清洗效果。每一循环结束后，喷洗后的化学酸立即排出，所以每次清洗时都是用新鲜、洁净的化学酸喷洗，不像浸洗式化学酸槽中的酸易受污染。以美国FSI公司设计的多座式喷洗机为例，清洗过程中首先用加压N:将化学罐(chemicalcanister)内的清洗用化学溶液压出并经由清洗腔中央的喷洗柱与超纯水均匀棍合到配方的比例，然后喷洗旋转中转盘上的晶片，如图所示。按照程序设定的顺序，不同的化学清洗溶液依序喷洗晶片。在改换化学溶液前，化学管路(elremicaltubing},喷洗柱和清洗槽需用超纯水洗涤干净，以避免“交互污染”53第53页/共87页54FSI公司生产的化学喷洗机剖面图第54页/共87页清洗槽需用超纯水洗涤干净，以避免“交互污染”。下图1所示为FSI公司生产的化学喷洗机的化学溶液管路图。在最后纯水洗涤(finalrinse)后，转盘高速旋转，利用高速离心力、伯努利原理及顶盖上的加热.器(blanketheater)，将清洗后的晶片烘干。为了彻底清洗晶片边缘靠近清洗槽侧壁的化学残留物，装在侧壁上的纯水洗涤喷洗柱从侧壁喷洗晶片，如图2所示。一次清洗循环(cleaningcycle)约为20一30min,清洗的晶片片数根据晶片的大小及清洗程序的不同而不同。这种清洗设备面积很小，不像整座化学清洗站要占用庞大昂贵的净化室面积，以下为喷洗式化学清洗机的优点:①设备占用的净化室面积较小。②清洗产能高。③清洗循环时间短。④使用新鲜、纯净的清洗用化学品。⑤清洗后晶片表面的微粒少，小于0.1/cm2⑥金属杂质含量低，小于1010atoms/cm3⑦工艺省水、省化学品。55第55页/共87页56图1FSI公司生产的化学喷洗机化学溶液管路图第56页/共87页57图2化学喷洗机中央及侧壁喷洗柱(spray-post)透视图第57页/共87页这种单槽喷洗式的化学清洗机也有多种清洗功能，可设定很多清洗程序，可应用在以下工艺中:(1)清洗①扩散前清洗。②栅极氧化前清洗。③外延前清洗(preEPIclean)。④化学气相沉积前清洗。⑤氧化前清洗(pryaxidationclean)〔2)清除(stripping)①光刻胶的清除。②钛/氮化铁金属的清除(Ti/TiNstripping)。③多晶硅的清除(pnlysiliconstripping)(3)刻蚀.①WSi的刻蚀(wsietching)。②Si3N4的刻蚀(nitrideetching)③SiO2的刻蚀(oxideetching)。(4)特殊①化学机械研磨后清洗(PostCMPclean)②晶片的回收(waferreclaim)58第58页/共87页3，密闭容器化学清洗系统这种化学清洗技术是将晶片放在密闭单容器(singleenclosedvessel)的清洗腔内，按照设定的清洗程序，通人不同的清洗用化学溶液清洗晶片，超纯水清洗残留的化学酸液后，通人IPA使晶片脱水干燥。整个清洗工艺均在“标准态”的密闭容器内进行，不同于浸洗式化学清洗站和喷洗式的化学清洗机，晶片的清洗过程在半真空状态下进行，晶片表面不接触空气，所以能减少微粒污染、提高晶片表面的洁净度。清洗前，品片经自动晶舟转换器放入有沟槽(slotted)的密闭容器内，操作员选定清洗程序并将程序下载到系统的电脑控制站(computercontroller），按下启动键。系统开始按照设定的清洗程序，依次将不同的清洗用化学溶液通人密闭容器清洗品片，随后通人超纯水洗涤晶片和容器。当达到设定的阻值后再通人第二种化学溶液进行清洗和排出。再通人超纯水洗涤，按照程序设定的顺序来完成清洗。在切换不同的清洗用化学溶液时，用超纯水冲洗晶片及容器洗涤残留的化学品，以避免不同化学溶液间交互污染。在最后超纯水洗涤后，通人IPA将残留的水分排除，然后通人N2，利用IPA蒸发、表面张力及分子力原理，将晶片及容器脱水干燥。下图为全流式密闭容器的清洗工艺图59第59页/共87页60全流式密闭容器清洗工艺图第60页/共87页这种全流式密闭单容器化学清洗系统的设计非常简单和新颖，清洗腔的体积较小，以50片8英寸晶片的容器为例，体积约为浸洗式化学清洗槽的1/5因此，清洗用化学品和纯水的用量和成本比化学清洗酸槽要低很多，而且清洗用化学溶液可密闭到清洗容器内，不易挥发和分解，溶液浓度及比例均可以保持稳定不变，每批晶片的清洗条件均相同。此外，每批晶片均用新鲜和洁净的化学溶液清洗，金属和有机杂质较低。全流式密闭单容器化学清洗系统有以下优点;①化学溶液用量少。②可减少超纯水的用量，全流设计使洗涤效率较高。③减少了废气、废水排放量。④系统简单、价格低、维修容易。⑤使用的均为新鲜和纯净的化学溶液。⑥晶片表面微粒少且无水痕，而且刻蚀均匀度较高。⑦清洗用化学溶液的浓度、纯度、比例稳定，每批晶片的清洗条件均相同。⑧清洗准备时间短，不必等待换酸。⑨清洗程序功能多。⑩程序设定简易，转换较快。61第61页/共87页物理清洗技术

物理清洗技术主要是利用物理原理来清洗晶片，而不使用任何化学品进行处理。这种清洗技术主要是去除微粒的污染，最常用的清洗方法是通过刷洗、超声波振荡,高压喷洗及高压气体喷洗将附着在晶片表面的微粒去除于净，减少因微粒污染而造成的缺陷，提高成品率及器件的品质和可靠性。目前，根据以上的物理作用所设计的清洗设备有刷洗机(scrubber)和冷冻喷雾清洗机两种。物理清洗技术主要应用在去除工艺诱发的微粒污染，如刻蚀、离子注人、化学气相沉积或物理气相沉积工艺后附着在晶片表面的微粒。62第62页/共87页刷洗机

这种刷洗机的设计主要是利用特殊有弹性和低污染的特氟龙刷)在高速旋转的晶片表面来回刷洗，同时用超纯水洗涤晶片表面将微粒冲洗干净，刷洗程序可设定为单面或双面刷洗.下图所示为DSN公司生产的SS一W629一B刷洗机。这种设备有多功能的设计，为了提高微粒的去除效果，有自动刷洗、高压刷洗,超声波刷洗三种选择配合刷洗程序进行清洗。63第63页/共87页64刷洗机对微粒的去除效果与Mll洗系统的机械结构有很大的关系，刷子的材料、结构和形状也会影响微粒的去除效果。晶片经过刷洗去除晶片表面及背面的微粒污染，在工艺上有很多优点:①提升产品合格率。②降低散焦不合格率。③提高生产线的洁净度①防止微粒的再沉积。⑤纯水刷洗没有化学反应的影响。第64页/共87页冷冻喷雾清洗机

这种冷冻l喷洗技术是将惰性气体(主要是Ar）低温冷冻后喷射出来，由于膨胀吸热形成Ar粒子，可通过与N2的混合比来控制Ar粒了的大小，高速Ar粒子喷洗、撞击晶片表面，可将附着在晶片表面的微粒去除干净。这种冷冻喷雾清洗技术应用在反应离户刻蚀后晶片的清洗，对工艺诱发的残留微粒和杂质的去除效果非常好。尤其当金属连线刻蚀后，Al金属侧壁所残留的聚合物,金属线或金属屑及侧壁聚合物吸附的刻蚀气体残留的Cl2或氯化物(chlorides）等很难用有机溶剂去除于净，采用这种物理清洗技术可有效去除这些污染物。避免形成金属桥接短路及残留氯化物水解而造成金属腐蚀等不良缺陷，提高产品的成品率、品质及可靠性。在冷冻喷雾的物理清洁技术中，高速的冷冻Ar粒子喷射在晶片表面l时具有很高的动能和动量。将撞击附着在晶片表面的各种污染物。同时，高速粒子撞击时会产生热效应，可利用不同材质热膨胀系数的差异使附着在侧壁卜的残留物剥落并脱离表rfil减少金属腐蚀的缺陷。提高产品的成品率:如图3所示可以看到，金属刻蚀后，侧壁残留有大量的不纯物l如图3（a)所示，清洗后侧壁及表面非常洁净L如图3（b)所示。这说明经冷冻喷雾清洗后，侧壁残留物可以被完全清除干净.65第65页/共87页

金属腐蚀实验表明冷冻喷雾清洗对抑制、减少金属腐蚀的效果比湿式清洗有明显的改善，图4所示比较了冷冻喷雾清洗和湿式清洗对金属腐蚀的影响“，冷冻喷雾清洗的个属腐蚀约为湿式清洗的十分之一。冷冻喷雾清洗可应用在任何刻蚀工艺后的清洗，如多l晶硅栅极氧化层刻蚀、氧化物刻蚀、接触孔及走线孔刻蚀后的清洗，能有效地去除刻蚀后残留下来的有机和无机副产品及不纯物、抑制刻蚀后的化学反应，使刻蚀后的图形和线路更清晰、洁净，提高产品的成品率。66第66页/共87页67图3金属刻蚀后，侧壁残留物冷冻喷洗前后比较图4冷冻喷雾清洗与湿式清洗对金属腐蚀的影响比较第67页/共87页68对硅造成表面腐蚀较难干燥价格化学废物的处理和先进集成工艺的不相容湿法清洗的问题第68页/共87页为解决这些问题，开发了许多替代的清洗技术，干式清洗技术(drycleantechnology)即是其中之一，但仍无法完全取代湿式化学清洗技术。一般，晶片可在湿式化学清洗后，再利用干式清洗技术去除晶片表面碳氢化合物等有机杂质及自然氧化物以确保晶片表面的洁净度，使后续工艺的薄膜沉积(例如多晶走线通孔沉积和外延层沉积)能达到高品质。干式清洗技术主要是应用气相化学反应进行清洗。在常温或低温下，利用等离子体(plasma)、射频(radiofrequency)或辐射(radiation)提升化学反应的活化能,增加对晶片表面的清洗能力。69第69页/共87页主要清洗技术HF/H2O蒸气清洗技术HF/H2O蒸气清洗技术是利用N2作为载气，将HF带人低压的蒸气反应腔内，同时通人水蒸气，HF/H2O混合蒸气将与放在反应腔内的硅片表面的氧化层发生反应。HF蒸气在水蒸气的催化助长下与SiO2反应生成SiF4气体，经抽气系统排出，同时用超纯水洗涤，将晶片表面刻蚀后的残留不纯物及金属杂质清洗去除，使硅片表面成为非常洁净的、无微粒和自然氧化层的表面。70第70页/共87页在这种气相干式清洗系统中，除了HF气体外，还可通人其他气体，如HC1,O2/O3等作为去除有机物及金属杂质的气体。这种清洗技术最大的优点是在真空下清洗晶片，使晶片表面没有氧化物、水痕、微粒和较低的金属及有机物污染，纯水及化学品的用量少。该技术可用于多晶硅沉积及金属溅射前的接触孔的清洗，可有效地降低接触孔的接触电阻。此外，还可用于去除金属刻蚀后残留的杂质和侧壁聚合物等不纯物，如图所示为金属刻蚀后，干式蒸气清洗前后的比较。71第71页/共87页72金属刻蚀后，干式蒸气清洗前后的比较第72页/共87页紫外线/臭氧干洗技术紫外线/臭氧干洗技术(UV/O3dryclean)，将O2通人真空的蒸气反应室内，紫外线的能量使氧分子分解成具有强氧化能力的初生态O和C}}，进而将有机碳氢化合物氧化成具有挥发性的化合物，由抽气系统排出。这种方法可有效地将晶片表面的有机物质去除干净。另外，也可通人HF蒸气将晶片表面的自然氧化物去除干净，或通人IPA（C3H7OH)、N2和Cl2以去除金属杂质。如图所示为美国SMS公司制造的SP一200蒸气反应室的结构图‘，反应室内有紫外灯UV一lamp和红外灯(IRlamb)以提供光化学反应所需的能源。这种紫外线干式清洗技术可清除有机不纯物、金属杂质及自然氧化物，使晶片表面具有非常高的洁净度，避免后续工艺的薄膜沉积中品片表面微粒和不纯物的污染。73第73页/共87页74SMS公司生产的SP一200蒸气反应室结构图第74页/共87页Ar等离子体干洗技术Ar等离了体干洗技术(Arplasmadyclean)是采用氛等离子体溅射和轰击表面以达到清洗口的，主要是应用在金属溅镀前走线孔的清洗，去除走线孔底部的自然氧化物和走线孔刻蚀后残留在侧壁及晶片表面的有机聚合物杂质，以免造成金属腐蚀。因为此时的晶片上已经沉积了第一层金属，所以不能使用湿式化学清洗工艺。一般，金属物理气相沉积系统中都有这种内部溅射清洗的功能，Ar等离子体干洗工艺应适当调整Ar离子的能量，以免高能量的Ar离子轰击使晶片表面受损造成微粒污染。75第75页/共87页76其它方法举例第76页/共87页773、吸杂把重金属离子和碱金属离子从有源区引导到不重要的区域。器件正面的碱金属离子被吸杂到介质层（钝化层），如PSG、Si3N4硅片中的金属离子则被俘获到体硅中（本征吸杂）或硅片背面（非本征吸杂）第77页/共87页78硅中深能级杂质（SRH中心）扩散系数大容易被各种机械缺陷和化学陷阱区域俘获第78页/共87页79吸杂三步骤：杂质元素从原有陷阱中被释放，成为可动原子杂质元素扩散到吸杂中心杂质元素被吸杂中心俘获第79页/共87页80Aus＋IAu