项目二 电子元器件的识别与检测(任务7-9) 电子课件 电子装配工艺实训-项目教程

项目二电子元器件的识别与检测(任务7-9)电子课件高教版电子装配工艺实训——项目教程任务7场效应管的识别与检测相关知识

场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。FET是由多数载流子参与导电，称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。一、场效应管的分类场效应管分结型、绝缘栅型两大类。

结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。

按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型可分为N沟道和P沟道两种。

按导电方式划分:场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。直插式场效应管表贴式场效应管场效应管的作用主要有：

可用于放大，由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器；可以用作电子开关；场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换，常用于多级放大器的输入级作阻抗变换；场效应管还可用作可变电阻，恒流源等。二、场效应管的识别1.场效应管的电路符号

(a)N沟道结型(b)P沟道结型(c)N沟道增强型

(d)N沟道耗尽型(e)P沟道增强型(f)P沟道耗尽型2.场效应管的型号命名命名方法一：与三极管相同，其中，第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道，C是N型硅P沟道。第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。命名方法二：CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。3.场效应管的主要参数（1）跨导gM。漏极电流的微变量与引起这个变化的栅-源电压微变量之比。（2）饱和漏源电流IDSS。指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。（3）夹断电压UP。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。（4）开启电压UT。

指增强型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。（5）漏源击穿电压BUDS。

指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。（6）最大耗散功率PDSM。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。（7）最大漏源电流IDSM。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。4.场效应管的管脚识别三、场效应管的检测1.结型场效应管的检测（1）判断管脚方法一：将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。方法二：用黑表笔接场效应管的任意电极，另一表笔依次接其余两电极，测其阻值。若两次测得的阻值近似相等，则黑表笔接的是栅极G，其余两极为漏极D和源极S。（2）判断管型

用黑表笔接栅极G，红表笔分别接其余两极。若两次测得的阻值均很大，则说明是N沟道场效应管；若两次测得的阻值均很小，则说明是P沟道场效应管。（3）估测场效应管的放大能力

将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G，可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。（4）用数字万用表测量放大能力使用数字万用表的hFE档检测。N沟道管选择NPN插座，P沟道管选择PNP插座。将场效应管的栅极G、漏极D、源极S分别插入hFE测量插座的B、C、E孔中。2.MOS场效应管的检测（1）准备工作测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触MOSFET的管脚。最好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。再把管脚分开，然后拆掉导线。（2）判定电极将万用表拨于R×100档。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极G。交换表笔重新测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为D极，红表笔接的是S极。

（3）检查放大能力（跨导）将G极悬空，黑表笔接D极，红表笔接S极，然后用手指触摸G极，表针应有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。为区分之，可用手分别触摸G1、G2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。任务评价任务8晶闸管的识别与检测相关知识

晶体闸流管简称晶闸管,俗称可控硅(SCR),是由三个PN结构成的一种大功率半导体器件。在性能上,晶闸管不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件更为可贵的可控性,它只有导通和关断两种状态。被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电路中。一、晶闸管的分类

晶闸管的种类很多，按关断、导通及控制方式，可分为单向晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管、BGT晶闸管、温控晶闸管及光控晶闸管等。按引脚和极性，可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。按电流容量，可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管。

（a）小功率晶闸管（b）中功率晶闸管

（c）表贴式晶闸管（d）螺栓式晶闸管二、晶闸管的识别1.晶闸管的电路符号晶闸管在电路中用字母V或VT表示。（a）单向晶闸管

（b）双向晶闸管2.晶闸管的型号命名晶闸管的型号命名主要由四部分组成。第一部分用字母“K”表示主称为晶闸管。第二部分用字母表示晶闸管的类别，如：P表示普通反向阻断型；K表示快速反向阻断型；S表示双向型。第三部分用数字表示晶闸管的额定通态电流值。第四部分用数字表示重复峰值电压级数。3.晶闸管的主要参数（1）额定正向平均电流：额定正向平均电流是指阳极和阴极可以连续通过的50Hz正弦半波电流的平均值。选用晶闸管时应使额定正向平均电流大于电路工作电流。（2）正向阻断峰值电压：正向阻断峰值电压是指正向转折电压减去100V后的值。使用时正向电压峰值不允许超过此值。（3）反向阻断峰值电压：反向阻断峰值电压是指反向击穿电压减去100V后的值。使用时反向电压峰值不允许超过此值。（4）维持电流：维持电流是指在规定条件下，维持晶闸管导通所必需的最小正向电流。（5）门极触发电压：门极触发电压是指在规定条件下使晶闸管导通所必需的最小门极直流电压。（6）门极触发电流：门极触发电流是指在规定条件下使晶闸管导通所必需的最小门极直流电流。三、晶闸管的检测1.晶闸管极性、管型的判断（1）用指针万用表检测选择指针万用表电阻档R×1或R×10档，测量任意两个极之间的电阻值。若有一组电极测得阻值为几十欧至几百欧，且反向测量时阻值较大，则该晶闸管为单向晶闸管，且红表笔所接为阴极K，黑表笔所接为门极G，余下的即为阳极A。若有一组电极测得正、反向阻值均为几十欧至几百欧，则该晶闸管为双向晶闸管，且阻值较大的一次，红表笔所接的为门极G，黑表笔所接的为第一阳极T1，余下的即为第二阳极T2。（2）用数字万用表检测选择数字万用表二极管档，测量任意两个极。若只有一组电极测得正向电压为600～800mV，且反向测量时万用表显示“OL”或最高位显示“1”，则所测的晶闸管为单向晶闸管，红表笔所接的为门极G，黑表笔所接为阴极K，余下的即为阳极A。若只有一组电极测得正、反向电压为200～800mV，则所测的晶闸管为双向晶闸管，且电压较大的一次，红表笔所接的为第一阳极T1，黑表笔所接为门极G，余下的即为第二阳极T2。2.晶闸管质量检测（1）单向晶闸管选择指针万用表电阻档R×1档，黑表笔接阳极A、红表笔接阴极K，黑表笔在保持和阳极A接触的情况下，再与门极G接触，此时，单向晶闸管导通，阻值较小，表针偏转。然后，黑表笔在保持和阳极A接触，并断开与门极G的接触。若此时晶闸管仍维持导通状态，即表针偏转状况不发生变化，则晶闸管基本正常。（2）双向晶闸管对于工作电流为8A以下的小功率双向晶闸管，可用指针万用表电阻档R×1档直接检测。先将黑表笔接第二阳极T2，红表笔接第一阳极T1，黑表笔在保持和第二阳极T2接触的情况下，再与门极G接触，即给门极G加上触发电压。此时，双向晶闸管导通，阻值减小，表针由无穷大偏转至几十欧。再将黑表笔接第一阳极T1，红表笔接第二阳极T2，红表笔在保持和第二阳极T2接触的情况下，再与控制极G接触，即给门极G加上触发电压。此时，双向晶闸管导通，阻值减小，表针由无穷大偏转至几十欧。由此可断定晶闸管基本正常。若在晶闸管触发导通后断开门极G，第一阳极T1与第二阳极T2之间不能维持低阻状态而变为无穷大，则说明该双向晶闸管性能不良或已损坏。若给门极G加上正（或负）极性触发信号后，晶闸管仍不导通，即第一阳极T1与第二阳极T2之间正、反向电阻值仍为无穷大，则说明该管已损坏，无触发导通能力。对于工作电流大于8A以上的中、大功率晶闸管，在检测其触发能力时，可先在万用笔的某只笔上串接1至3节1.5V干电池，然后再按上述方法检测。任务评价项目考核内容配分评价标准评分记录晶闸管的识别1.识读晶闸管的型号2.识别晶闸管的类型10101.能正确识读晶闸管的型号，每只2分2.能说出晶闸管的类型，会从手册中查看其主要参数，每只2分

晶闸管的测量1.测量晶闸管3个极间正反向电阻2.判断晶闸管的管型、极性和质量10

101.万用表档位选择适当，操作方法正确，测量结果准确2.能熟练判断晶闸管的管型、极性和质量

任务9单结晶体管的识别与检测单结晶体管的识别与测量记录表序号单结晶体管型号正向电阻eb1、eb2、b1b2反向电阻eb1、eb2、b1b2单结晶体管质量判断结果

一、单结晶体管的外形及特点

单结晶体管内只有一个PN结，故称为单结晶体管，它有三个电极，一个为发射极，另两个为基极，又称为双基极二极管。单结晶体管具有负阻特性，即单结晶体管内部电流增加时，其电压降随电流增加而减小。广泛应用于振荡、双稳态、定时等电路中。单结晶体管实物图

单结晶体管电路符号及等效电路二、单结晶体管的型号命名单结晶体管型号命名由四部分组成：第一部分表示制作材料，用字母“B”表示半导体；第二部分表示种类，用字母“T”表示特种管；第三部分表示电极数目，用数字“3”表示有三个电极；第四部分表示单结晶体管的耗散功率，通常只标出第一位有效数字，耗散功率的单位为毫瓦。三、单结晶体管的主要参数1.基极间电阻Rbb。发射极开路时，基极b1、b2之间的电阻一般为2～10kΩ，其数值随温度上升而增大。2.分压比η。指Rb1上产生的电压Ub1与两基极电压Ubb的比值，公式为：η=Ub1/Ubb=Rb1/Rbb。3.e、b1间反向电压Vcb1。b1开路，在额定反向电压Vcb1下，基极b1与发射极e之间的反向电压。4.反向电流Ieo。b1开路，在额定反向电压Vcb2下，e、b2间的反向电流。5.发射极饱和压降Veo。在最大发射极额定电流时，e、b1间的压降。6.峰点电流Ip。单结晶体管刚开始导通时，发射极电压为峰点电压时的发射极电流。四、单结晶体管的检测1.判断单结晶体管发射极e的方法是：将万用表置于