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场效应管及放大电路第1页/共15页场效应管的分类按封装形式分：塑料封装和金属封装按功率大小分：小功率、中功率和大功率按频率特性分：低频管、中频管和高频管按结构特点分：结型（JFET）和绝缘栅型（IGFET）按导电沟道的不同还可分为：N沟道和P沟道，而绝缘栅型又可细分为N沟道增强型和耗尽型，P沟道增强型和耗尽型两种。第2页/共15页场效应管结型绝缘栅型（MOS管）N沟道耗尽型P沟道耗尽型增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道DGSGDSGDSDGSDGSDGS第3页/共15页DGS一.内部结构及工作原理（了解）N沟道耗尽型结型场效应管第4页/共15页-3V-2V-1VUGs=0V1VUDs(V)ID(mA)ID(mA)UGs(V)UPIDSS01234551015200(a)输出特性曲线(b)转移特性曲线二.转移特性和输出特性第5页/共15页-3V-2V-1VUGs=0V1VUDs(V)ID(mA)ID(mA)UGs(V)UPIDSS01234551015200输出特性可分为四个区：1）可变电阻区：UGS愈大，其等效电阻RDS愈小。2）恒流区：ID随UGS增大，处于放大时应工作在这个区域。3）夹断区：UGS<UP时，ID近似为零，管子夹断。4）击穿区：UDS>BUDS时，管子击穿，损坏。可变电阻区恒流区夹断区=UP击穿区第6页/共15页三.主要参数1.夹断电压UP：当UDS为一定值时，使ID等于0时，对应的负偏压UGS值。2.饱和漏极电流IDSS：当UDSUP，且UGS=0时，对应的ID值。3.跨导gm：4.最大漏源击穿电压BUDS、最大耗散功率PDM、最大漏源电流IDSM：都是保证管子不被损坏而规定的极限参数。第7页/共15页四.场效应管放大电路的分析计算1.自给偏压式特点:1.该电路只适用于耗尽型场效应管电路。

2.静态时，ID不为零。因为偏压是ID在RS上产生的，故称为自给偏压。第8页/共15页2.分压式偏置电路特点:1.RG1和RG2构成的分压式电路给栅极G提供静态电位VG，故称为分压式偏置。

2.调整分压比，可使UGS>0或使UGS<0，使用灵活，适用于各种类型的场效应管。第9页/共15页静态分析因为栅极电流为零，所以第10页/共15页动态分析与三极管放大器一样，场效应管放大电路的动态分析也采用微变等效电路。第11页/共15页共源极放大器的动态分析

因为源极S是输入回路和输出回路的公共端，所以该电路称为共源极放大电路.画出该电路的微变等效电路。第12页/共15页输入电阻输出电阻第13页/共15

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