电工电子技术第1章稳压管和三极管_第1页
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文档简介

§

1-4稳压管差别：1、反向击穿曲线较陡3、稳压管工作在反向击穿区DZ2、反向击穿是可逆的主要参数：1、稳定电压UZ4、最大耗散功率PZM=UZIzmax

5、动态电阻2、稳定电流IZ3、最大稳定电流Izmax①正向接法（同普通二极管）

折线化的伏安特性②反向接法折线化的伏安特性例：已知UZ=5V，

UD=0.6V，求U0=？

①Ui=10V②Ui=-10V③Ui=4V④例：已知UZ=5V，

UD=0.6V，求U0=？

①Ui=10V②Ui=-10V③Ui=4V④利用稳压管和普通二极管的正向压降，是否可以稳压？折线化的伏安特性一、基本结构§

1-5半导体三极管CBECBETNPN型CBECBETPNP型二、电流分配

共发射极接法EB：发射结正偏EC：集电结反偏（EC

>EB）e区：向基区扩散电子b区：电子扩散、复合c区：收集电子IBIEBCERBEBRCECNNPBCERBEBRCECNNPIBIE三、特性曲线（以NPN管为例）

1、输入特性曲线

2、输出特性曲线四、主要参数2、极间反向电流ICBO，ICEO（反映管子温度稳定性）1、电流放大系数（反映放大能力）3、极限参数ICM，U（BR）CEO，PCM（决定三极管的工作区域）例：已知三极管工作于放大区，测得三极管各极的电位分别如下，试判断各三极管的类型、材料、电极①=2V②=2.6V③=6V①=2.2V②=5.4V③=6V①=-4V②=-1.2V③=-1.5VBCEBCEVC>VB>VEVE>VB>VC

UBE>0UCE>0UBE<0UCE<01、晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）。(a)发射结反偏，集电结正偏(b)发射结、集电结均反偏(c)发射结、集电结均正偏2、工作在饱和状态的PNP型晶体管，其三个极的电位应为（）。(a)VE>VB，VC>VB，VE>VC(b)VE>VB

，VC<VB

，

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