光电幕墙及光电屋顶设计资料

光电幕墙及光电屋顶光电幕墙（屋顶）是将传统幕墙（屋顶）与光生伏打效应（光电原理）相结合的一种新型建筑幕墙（屋顶）。主要是利用太阳能来发电的一种新型的绿色的能源技术。能源是人类生存和发展的基础，传统的能源是以消耗地球的有限资源，同时又污染人类生存环境为代价来生产，20世纪七十年代全球的能源危机，使世界很多国家清醒地认识到：太阳能是一种绿色（清洁，无污染）丰富的自然能源，争相加以开发和研究，因而太阳能电池从人造卫星发电开始向地面发电普及和应用，（见表一）据不完全统计，1999年，全世界太阳能电池的年产量已超过二亿峰瓦（MWP）（见图一、图二），但其年产量与世界能源总需求相比仍然相差甚远，为了在21世纪能得到突破性发展，一些国家正在围绕制约太阳能电池地面大规模普及应用的一些根本问题进行研究，其中一个问题就是接收面积问题，因为太阳能是分散的，为了提供所需的能源，必须有足够的接受面积。据测算：为了满足2000年全球电力的需求，以太阳能电池转换率10%计算，需要的面积为840km×840km=640000km2，这相当于德国和意大利两个国家的面积。表一：太阳能电池的五种应用领域知应用领域滩成本效应棋标准系统堆市场潜力澡人造卫星的发顶电系统局佳，最早的太泥阳能发电应用凭数百到千瓦宣量小，但发展订稳定狸发展中国家居丈家用的太阳能剩系统直佳，市场呈稳摆定成长胁5盈瓦欢至延500奇0真瓦锡预估世界上有紧十亿人口没有价电网供应电力然工业应用漠利润最高的太堤阳能应用。刷5科瓦特哀至乡1飞，垂50仆0镰瓦馆公路的急救电天话、公路标志既、微波自动转篇换装置、电栏缸杆、犹街灯等候已发展国家建育立建筑物整体尺性的太阳能系避统姻（秒Buildi颤ngInt匪ergrat朵edPho产tovolt澡aiac铜s万）并依据电力成本断及政府辅助金磨而定组2死，缸00雄0闻瓦基至茄30纳0怨，拒00贷0赌瓦浴美国、日本和盛德国发展他们值已经宣布的「荐屋顶方案」，乳市场将超过每装年产1敌，采00斥0以万瓦塞中央电力供应妈站钢太贵，约平常俘电价三倍。箱一百万瓦至上肤千百万瓦慈视石油价格及倦环保要求而定图一：全世界1966年~1999年太阳能电池产量（单位MWP）图二：世界主要太阳能电池公司1991年~1998年产量(单位MWP)光电幕墙及光电屋顶之光电电池基本原理光电幕墙（屋顶）的基本单元为光电板，而光电板是由若干个光电电池（又名太阳能电池）进行串、并联组合而成的电池阵列，把光电板安装在建筑幕墙（屋顶）相应的结构上就组成了光电幕墙（屋顶）。2.1光电现象：1983年，法国物理学家A.E贝克威尔观察到，光照在浸入电解液的锌电板产生了电流，将锌板换成带铜的氧化物半导体，其效果更为明显。1954年美国的科学家发现从石英提取出来的硅板，在光的照射下能产生电流，并且硅越纯，作用越强，并利用此原理做了光电板，称为硅晶光电电池。2.2硅晶光电电池分类：单晶硅光电电池：表面规则稳定，通常呈黑色,效率约14~17%辈恒行响椅匠硅晶光电电池暂可分为单晶硅君电池，多晶硅警电池和非硅晶鬼电池。炎给所励闭盒滔锐多晶硅光电电住池：染闸咐嫩箩结构清晰，通些常呈兰浴色供,螺效率望约已12~14%算京丧宗椒非硅晶光电电氏池：只饰尘情刮邮透明，不透明乔或半透挎明颠,扰透殖过慈12做%有的光时，颜色尤为灰色，效率叮为佩5~7%臭2.弯3布硅晶光电电池制原理插硅晶光电电池誓的原理是基于堆光照射到硅半延导阶体遍P即N汉结而产生的光朱伏效应竞（美Photov锯oltrai雹cEffe未c吓t紧，缩写清为土P越V老），它的外形遍结构有圆形的违和方形的两种持，其结构如图羞（四）所示臂这是一蛛种乐N滤+叼/造P皮型光电电池，厌它的基本材料吊为挎P首型单晶硅，厚僵度砖在拢0.4m村m扒以下，上表面辩是歼N皇型层，是受光扭层，它和基体钟在交界面处形征成一仪个评P侦N削结，逼在再n较型层上面制作牢金属栅线，作御为正面栅状电旅极（负极）在凑整个背面也制陈作金属膜，作罪为背面金属电彻极（正极），勿这样就形成晶袭体硅光电电池烫。为了减少光饰的反射损失，浩一般在整个表骤面上再覆盖一梢层减反射膜。怨当兔N灌型半导体致和貌P朋型半导体紧密视接触时，在交滑界处形陈成丽P梢N呈结冤：暴N稠型半导体的电云子族和姓P趁型半导体的空皮穴，都会齐向对方扩散，谁从而形成一个偶内建电场。当掠光照射脆到焰P骑N嘉结时，如果光涂子的能量大于搂禁带宽度（对辟硅而言，其数施值帜为后1.1e辟v侵），满带中的线电子就会被激静发到导带中去胁，形成牢由防N昨区流肺向色P卫区的内光致电厘流，光致电流吐使所N对和喜P裤区分别积累了绝负电荷和正电切从而壁在售P衬N解结上形成附加驾的电势差，这律就是光生伏打表效应理（倚P纱V黄），如果泽将崇P眼N筛结两端与外电茅路相连，负载蠢便会有电流通晴过，示意图见恭图五：世2.烫4狱光电电池（太倡阳电池）的效姻率切太阳电池的效谨率是指太阳电侦池的输出功适率御P临M谈与投射到太阳阔电池面积上的扣功保率醋P倘s泄之比，其值取朵决于工作点。箱通常采用的最叛大值作为太阳兄电池的效率，诉如果太阳电池偿不相工作于最大功范率点，则太阳湾电池的实际效环率都低于按此倡定义的效率值驰，实际效率可对能更低。泊影响太阳电池果的效率的因素枝很多，如日照继强度、光谱、碧温度等，只有调当这些因素都裁确定时，太阳乱电池的效率才复能被确定。下般面分别讨论上竹述三种因素对抬太阳电池效率控的影响：功日照强棉度埋S躁：其单位捕是轿W/m怠2瓜，在大气层之缺外其值最大，漆称为太阳常数狠。在大气层之伍外的日照强度忘为稠S腰≈残1.37kw犁/m劣2值。在地球表面蜜的修S律值通常在零守到肝1kw/m唇2屑之间变化。图耕六绘出了一簇朴以多种不料同幅S沸值为参数的特呀性曲线。由图犁可见，短路电诉流晃I辫SC授随着日照促度户S络的变化而有较裁大改变，而空烈载电弦压遵V槐OC茅仅是随恒着样S朝的变化而略有帖变化。劈由上式可以看埋出，效娃率设η冒仅是随着日照康强架度义S做的变化而微弱外地变化，它们抢的关系是近似棚的对数关系。蔽当太阳电池的撒最佳工作点始焰终保持在它的印最大功率点上裳时，太阳电池葡具有相当好逐的渐“碎部分负荷特天性酒”第，既它带有部贿分负荷时的效撕率不见得会比付它带有额定负膝荷时的效率小积。总图衡六毁珍法不爽同顾S汁对应的曲线簇叫光线的波偷长态λ命或频挪率拐f疏架：在非单色光很的照射下，太责阳电池的效率筝和光谱特性有贞关。由于地球党表面上日照光蒜谱既取决与测蓄量瞬间的天气点条件（云、雾绢、空气、湿度笨等）。因为在诚每一天中对应搬的时间不同，扶太阳光线与地炭球表面的夹角版即日照投射的韵倾回角绿θ方不同，因此地目球表面的日照仿光谱取决于日性照投射的倾省角味θ泡。党当齿θ控不同的时候，尚太阳光在大气拒中所经过的距浪离不同，即大烟气质脚量籍A著M优不一样，则太需阳光谱曲线就怪不一样。因此宜，需要给定太献阳电池在某一还光谱下的效率惧时，应该在相训应的大气质量奸下给定。坐太阳电池的效露率还和温度有复关。太阳电池就具有负的温度签系数，即太阳洋电池的效率随蜜着温度的上升村而下降。图七睬给出了日照强确度级为厨1kw/m木2皂，而温度变化浴范围锐为优20~7根0梅℃猪时效率变化的旬情形。可用下栽面的公式近似沟表示：廊图杨七铃璃各种不同温度迁下太阳电池的觉特性曲线辆η矮=壁η瞧O·呆[1沃-蝇α放（浴T-T既O喜）青]糟上式中校，碍η锄O在=0.胃1复，丧T布O稳=辨0逼℃损；皱α迟=0.004沟9破/酱℃咸。可以看出，疏温度每升胆高生1器0提℃尾，其效率大约炮降暂低蛾5撕%勿。料由上述我们可伯以看出，太阳窝电池的效率和氧很多因素有关爹。当我们定义惨太阳电池的效兔率的时候，必计须确定它的工挣作环境才能够耳得出明确的效工率值姨。踢禾光电幕墙及光锻电屋顶之光电锐板基本结构:容瓣胶上层一般为留4mm乱白色玻璃，中诱层为光伏电池睡组成光伏电池滴阵列，下层为发4mm克的玻璃，其颜型色可任意，上山下两层和中层带之间一般用铸省膜树脂非（处EV昂A窃）热固而成，迫光电电池阵列眠被夹在高度透苏明，经加固处魔理的玻璃中，佳在背面是接线服盒和导线。模捎板尺寸：浇500mm姓×扇500mm夹至庄2100mm撤×锯3500mm摧。从接线盒中材穿出导线一般曲有两种构造：趁照片十九所显柱示的构造，是究从接线盒穿出险的导线在施工鸟现场直接与电周源插头相连，慎这种结构比较重适合于表面不剂通透的建筑物奉，因为仅外片采玻璃是透贼明的；照片二赞十所显示的构惹造是导线从装福置的边缘穿出异，那样导线就怖隐藏在框架之秤间，这种结构蹈比较适合于透高明的外立面，锐从室内可以看维见此装置。说光电幕辽墙塔(习屋残顶猫)轧光电面积设计炊计算雅光电幕陵墙俩(五屋算顶等)布一般电学结构直光学幕枕墙业(烘屋差顶童)板结构设计可按依照玻璃工程技婚术规慢范言(JGJ10锤2)晴,她建筑玻璃应用幻技术规做程指(JGJ11塞3植)预等有关标准和房规范进鸣行端,个这里简介其电盘学设计。耽光电幕肝墙戚(呀屋猴顶申)彻电学结构一般俱采用单路自然级能怨—异—的单蓄电池结构蜘，其框图为图否十三示意：被担珠踪惭灿图十危三臭蹈单路系统框图兰光电幕墙（屋奉顶）所产生的惕电能，经过输筝入电能变换器建，转换成能蓄柿电池组要求的娇充电电压和充欧电电流，向蓄抵电池充电，蓄莲电池容量按用秀户要求的无太需阳天气连续供提电天数进行设采计；输出电能抬变换器，将蓄罗电池组中的直些流电能转换成巡负载要求的电肯压和电流及电跌能形式，向负卸载供电。有些盯国家由于光电巨幕墙（屋顶）认发出电量，经铲过逆变器后可歉并入电网，可挑以不设蓄电池怨组，中国目前腐还做不到这一跃点。所以建议浅采用电池组，谋在阴雨天气或齐太阳光少的情太况下，也能保致证一段时间的腐连续供电，由灭于输入电能变余换器和输出电强能变换器互相延独立，其设计涛更为容易，光舟能的波动对供暖电质量几乎没跌有影响。钳光电幕脏墙贸(两屋肾顶耍)赤产生电能的计杏算公育式吴:但P伸S找=H×A罢×铲η榴×K疲剩——————填—————球—逢（趋1牺）鼠P臂S母—净—吨光电幕墙（屋邪顶）每年生产悠的电能（兆忍焦满/弯年霞）墨索（贫MJ/蛮a顺）牛H滥—森—递光电幕墙（屋常顶）所在地区谁，每平方米太萄阳能一年的总筑辐射能益（奉MJ/m夹2鉴a他），可参照图久三查取。床A塔—甲—兔光电幕墙（屋章顶）光电面积至（缴m腰2患）陆η—唱—孕光电电池效率首，建议如下：南单晶硅织：香η勿=12%堂多晶硅友：烟η菊=10%撑非晶硅考：卖η狠=8%愿K营—门—魂参正系数锁K=K晓1斧·K每2身·K听3乞·K岔4魔·K痒5析·K利6筋各分项系数建园议值如下：督K有1嘱—困—束光电电池长期奸运行性能参正琴系数厕，罢K元1厕=0.8许K天2絮—肥—的灰尘引起光电毁板透明度的性尽能参正系数禁，诱K阶2析=0.9查K声3欠—驳—收光电电池升温兆导致功率下降县参正系数片，少K崇3爸=0.9征K千4教—重—呜导电损耗参正胆系数枣，处K蠢4副=0.95壳K贷5双—炒—匙逆变器效率程，辣K朴5鸭=0.85盘K驳6新—站—网光电模板朝向敞修正系数，其净数值可参考表衬四选取。泉表四罪：粉史光电板朝向与烦倾角的修正系丹数扑K踩6奖幕墙方向丘光电阵列与地堆平面的倾角控0°牵30°板60°狮90°录东柿9专3陶％艰9推0忽％歪7驶8艳％均5拼5晃％宏南顿-最东谣9汁3盏％鹅9特6夕％骆8阿8隔％射6逐6兆％惜南遭9泪3融％炉10展0饭％伍9降1崭％援6薪8纯％五南扔-丧西卷9饼3惠％狗9颗6兰％躬8档8闻％秧6滚6垃％就西壳9煌3停％傅9短0们％推7斗8要％兔5退5朵％鼓光电幕墙（屋绿顶）光电面积垦计算举例：筛[之已仿知韵]耳：（一）室内征用电负载：筛1夸）越宣设备一台，日苏均耗饥电桂640W·椅h蝴2倚）恰8炸W收日光挪灯查6絮盏，平均每天殿照队明锈3痛小时束3差）匆丝标称功远率离60竹W纲彩电，平均每斗天收咳看亭2馅小时丧（二）幕墙所董在地：北京宗（三）选用旭适格集团或上海违东连公司提供纹的单晶硅光电幕板柴（四）光电阵御列与地平面倾割角私为渡90榴°迟，幕墙方向南紧[决求法]妨：光电幕墙的虚光电面积返[由解尺]神：（一）负载国用量计算检根据室内负载鼻用电要求，日芒均耗电肢量嗽P今d冬为：胜Pa=640芝W·h+8猴×6×3W间·h+60猛×2W·h达=904W晒·h犁以全年工束作羞28伸0煎天计算全年的仇耗电总抹量巩P见d赢为：漫Pa=9黑04×280茅×3600W故S/a停=911×1黄0杀6俗WS/a仿=911×1拒0烈6秀J/a点（二）光电幕爆墙全年的产生架电能与室内负首载全年消耗的迈电能相等，则糟根据式各（友1捎）得：讽查图三：北京邻地区全年每平跃方米太阳能总访辐射能约为：腐H=50MJ麦/m税2药a小=5000汤×10己6芦J/m杏2给·a圣单晶硅光电板苏的效隆率圾η晴=12%然依锻照上4.吼2油节的建议参考匠数据：洽K=K爹1作·K围2步·K丘3痒·K屠4方·K劣5乎·K殃6悬=0.8×0咸.9×0.9歉×0.95×慢0.85×0淘.68=0.355匆则岭：虏911×1隐0根6甘J/a熊5000×1予0蒸6城×0.12×诉0.355采J/m碍2金a=4.3m2物选用旭格集团奋或上海东连公虚司的光电板，僵规格捎：钓1003mm卵×760m驶m僵共叨计邪8令块舟则实际光电板陵的面积为：该1.03m问×匙0.76m通×产8牢≈广6.3m翅2满足设计要求显光电幕墙（屋行顶）成本分析凭6.1遇屡光电幕墙（屋迫顶）属于一种字特殊的高技术算建筑，幕拔墙的初装成本关高，一次性投径资大，只有少烛数特殊建筑物玻采用，它要大侄规模推广应用兴，关键问题要绸大幅度降低成躁本，提高性能兰价格比。许光电幕墙（屋做顶）的成本主惰要有幕墙（屋丑顶）的建筑结揉构件（立柱横抱梁结构），光尘电板（光电电镰池经过封装及粮组装形成的组齐件）附属设备弃（例如独立用绪户需配置蓄电典池及调节控制汗器等装置）。作建筑结构件与与一般幕墙（屋季顶）无多大差言异，主要的发址展方向在于降孟低光电电池本卷身及组装件的棋成本，提高转饰换效率和性能纽，降低附属设病备的投资，提淋高系统寿命。徐6.2唇难光电电池材料畏目前多用单晶莫硅，它的转换额效率高，但价风格昂贵，估计浴短期内大幅度搏降低成本比较哈困难。多晶硅凡光电电池比单阅晶硅效率低一柔些，但成本降装低幅度更大，那效率成本比值周要高一些，地驶面应用的上升寸趋势明显，美摘国、日本、台垦湾等地区的工捉业化及商品化虚程度较高，例菊如美国揉的礼SefoP袄owe稼r迟，日本的晶都念陶瓷，台湾的按茂迪公司都有准相应的产品。刻在近期不失为盯光电幕墙（屋味顶）推广应用葡的重要选择。姜非晶硅光电电著池是廿世傲纪浊7惠0痛年代才发展起她来的，它不是功采用由硅原料批，硅锭、硅片立到光电板组件忍的工艺，而是穿直接由原材料吩到光电板组件沾的低温工艺，席耗材少，（单虫晶硅膜厚德约恶5缸0佩μ角m屑，非晶硅膜烈厚顷1~古2叛μ让m迎），便于大面只积连续生产，骆能在任何形状疗的衬底上制作贿，可用玻璃，览不锈钢，聚合卖物等姐为衬底，直接纱做成光电幕墙饶面板和光电屋歇顶瓦，安装容岔易。并能做成冈投射部分可见换光的光电板，俊非晶硅电池对旧温度依赖不明立显：例如工作处温度逢从摩3蹦0吹℃馅上升顿到先6服0紧℃践，其功输出几震乎没有变化，嚷而单晶硅，多择晶硅功率输出泄将下斗降想20散%起，由于非晶硅宋电池有上述优买点，并在降低法成本方面有巨名大潜力，如果坝提高大面积模净板效率及克服毁光衰退等不足跪之处，有进一垒步改良的话，庸可能是光电幕蛾墙（屋顶）大餐规模应用的主古选产品。瓦6.3照椅光电电池组件朴（光电板）成药本：宫太阳电池经过校封装及组装工渐艺形成组件，播即使在严峻环闷境下它也应得俗到最佳保护，门同时也要达到雹结构的强度要燃求及易于安装避。晶体硅太阳窜电池的常规结瞒构是：玻治璃但—圆EV均A云—虚PV圆F粱复合膜。其结狸构示意图见图掏十四。玻璃采副用低铁的透光咳性良好的白玻戏璃，这样的组帖件寿命可盾达尸2挥0健年，先进国家匆的序目标是要达三到愉3锋0逐年。另一种结架构是电池背面澡的衬底可采用鹅环氧板或铝板施，正面采用透家明侮的裹PV啄F啄膜。由于其重邮量轻，可在特储殊用途使用，吊但寿命达不到群玻璃封装的水洞平。可靠性高恢的非晶硅太阳粗电池组件的封冷装是采用玻龙璃已—轮透明导电电庆膜层—鼻集成太阳电池斥膜井—陪铝牧膜摧—著EV祝A好—克玻璃（河或勉PV惯F绝复合膜）。双挠玻璃封装对非签晶硅太阳电池赞有较好的环境兼保护作用。莫组件镜中童EV脆A渣为乙烯聚醋酸剃乙烯脂。这种公粘结胶是乙烯喉与醋酸乙烯脂辅的共聚物，其回中醋酸乙烯脂弯的含量直约役33誉%录。从户外多年淡使用结果看，耻紫外线强及温嫌度高的地区，贞多年使用猾后划EV览A瘦会变微黄犹，观EV编A欠性质造就光热纸衰退是这种变裹化的主要原因宗。在美国西部闪，一煌般哪4雅年后就能看出质，但美国中部资、东部及西欧微没有发食现系EV炸A绑变黄。目前正厅开发耐紫外线窑性能更好鹰的监EV油A臂。色EV档A利一般干在鹿15嘴0值℃静左右进行固化踪交联，近年研笑制的快速固笛化而EV训A丑可使固化时间贿减少一半，有阔利于提高产率荡。组件上面的光玻璃添加微量奶的氧化铈有阻粗挡紫外线的作利用，可大幅度归降下低干EV恭A站变黄的程度。边进口的太阳电政池用玻璃一般乏都添加了微量陕氧化铈。我国垦西藏安装并工辫作松了踪6训年遭及婚1零0呀年的光伏电站亿中的组件也志有父EV枯A阅变黄的现象，腰应引起重视。兄低倍聚光会加歌速旁EV蠢A布变黄，在应用亦时要注意。仙近年来封装材安料国产化已取芝得一定进展地。葛EV回A详材料基本能满镰足质量要求而卵不需依赖进口击。菌PV井F腥（聚氟乙烯）墨复合膜具有良垫好的耐候性哲，子PV疤F身膜机/笛聚脂醉膜爸/PV岂F美膜所组成的复映合孝膜，国内产品尖质量有待进一膊步改进。低铁和白玻璃由于国股内用量不多，康不易形成专业像产品投产。进间一步提高国办产拉EV纪A此及耳PV免F拦复合膜的质量核，对降低国产皱太阳电池组件卡的成本及提高百寿命具有明显幼意义玩6.4暮诚成本分析沿如果国内晶体职硅电池工厂只躺进口关键设备琴及采用国内技知术，由于生产艇比较满负荷，肠设备折旧负担仓较小。目前组元件的成本约为糟人民驳币贷2于0肌元尖/块W考，其中硅片工烈序约侍占蛇40姑%棕，电池工序约戏占绪25照%姻，组件封装工质艺等费用约槽占抄35灵%楚。引进技术及农设备元的刻1M副W去生产线，如产盘量能达到设计漆标准，在良好乐的经营管理条拆件下，成本也仅可降碰为变2闪0锡元狸/扫W钱左右。但实际山上由于各种因孙素的制约，成鉴本高掩到梢3缴0轿元穴/W~3弹5掠元盛/厘W尖。汤1M勇W堵非晶硅生产线舟，如产量能达饭到设计标准并暖有良好的经营锯管理，成本可前降放到迷1管2促元筝/盾W飘左右，其中材柜料及电费约项占缺50溜%扛，人工及管理随费约盐占严20引%懒，设备及厂房捉占地费约御占追30稻%迅。失美国能源部安在粒199线0熊年对太阳电池兄组件的成本进时行了预测。各昼种太阳电池成握本间的相对关输系具有参考价惭值，见表五。村组件的成本与迫工厂的产量有饺明显关系，变跌化情况可从表出六中看出。喇表键五维面地面太阳电池鞋组件的制造成概本预测督（歉199氧0宝年美元计价）筹项目晶199泡0碍年剪成肚本坚/愚价格循（美元）超199分5庭年荐成明本虚/矩价格猾（美元）揪200橡0补年佣成啦本筹/紫价格叫（美元）养201艘0锡年码成闪本颠/铃价格塌（美元）水单晶硅太阳电铲池皮3.25/5前.40惕2.40/4确.00脑2.00/3只.33口1.50/2睬.50魂多晶硅太阳电观池晌3.00/5枯.00柿2.00/3写.33苏1.50/2凡.00抗1.30/2肥.20葱硅带太阳电池三3.60/6眠.00吊3.00/5伐.00翻2.40/4唯.00婆1.50/2冻.50缓聚光系统太阳百电池眯7.00/5定.00葡2.00/3暮.33曾1.20/2袜.00水1.00/1柜.67碗非晶硅太阳电祖池需3.00/5划.00待2.00/3蛾.33胶1.20/2波.00鹊0.90/1应.50监低价格常规预未测剪5.00笨3.75老2.50平2.00水低价格加速预召测垂4.00糊3.25帅2.00隆1.50往表傲六词撞光伏组件生产俯长的产量与组驻件成本关系厨生产量伍（着M筹W锐）脂组件成本（美赵元脾/宫W团）难0.5那5.31谢15具1.8离500捧0.85插目前晶体硅太族阳电池先进工浆厂的年产能力燥已达响到队15MW~2霜0M浆W兵。当晶体硅太毒阳电池正式进份入大规模生产膜时成本会进一料步下降，能否痛下降到具有和词常规能源竞争裳的能力，是人进们密切关心的推。存B硬P软公司炊以闯Bruto雀n雷为首的权威性甩工业专家组进分行了一项由欧肚共体支持的重啄要研究，结论姑是建立一帐个就500M员W表的晶体硅太阳毒电池组件工厂竿，没有设备及宿原材料方面的茎障碍。对大部伙分的晶体硅太势阳电池技术，掘按这一水平的混生产成本将接柔近或低蒸于棕1萍欧厦元慰/M桃W遍。秃此研究确认，彻随着市场的扩猛大，太阳电池号组件的价格将索下降。产量寿为材500M胀W拥时，各种方法拳制作的晶体硅受太阳电池成本弱见表七。绣表史七猴500M菊W蜡产量下各种方武法制作的晶体匠硅太阳电池成普本（欧广元塞/渴W肠）巩种类编号浸生产方法商电池工艺旦锭成本甜切片成本询电池成本排组件成本浑总成本礼1雀多晶硅真丝网印刷窜0.28扇0.22胸0.11砌0.30刮0.91墨2确单晶硅队丝网印刷乱0.62充0.21偷0.12袋0.31佛1.25付3相单晶硅宗刻槽埋栅玻0.55蜻0.18诱0.14睬0.28博1.15奏6经单晶硅聚局部背场圈0.50苏0.18蠢0.83反0.27肥1.18欢7雀硅带班（兄EF丹G观）伏线网印刷筛0.28向0.00忍0.11两0.32忆0.71汁一项欧共体支瞎持的研究表明辟，建戴立惑60M彼W剥的薄膜太阳电苏池组件工厂成暴本能达帅到饿1挤欧功元置/秩W辫成本。被选用汪的薄膜技术包左括非晶硅太阳爷电池、碲化镉傅太阳电池、铜袜铟硒太阳电池拍，但目前投产剥的风险比晶体牺硅电池大。从阶长期考虑，建湖议对碲化镉太扬阳电池及铜铟骂硒太阳电池要安建立材料回收溜技术。具体的庙成本情况见表竹八。亏表输八央60M还W兰生产线薄膜电绪池生产成本情归况补生产成本念非晶体硅电池漏CI炉S促电池秀CdT骤e眨电池下风险围低笔中给低道中杆低浅/筛中轨中宿/符高文组件效率屑（渠%稻）辨8冤9饿10盛12肥10灵12免全部直接人工恩（欧元）笑190纸184堡213冒204匀350熄314搅生产投资（兆勉欧元）隐35.7川33雁47.0贪46.0蝴25.6逗23.2貌直接成本（欧诉元寄/W告P矩）犯

性

杀

冻

纺

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苗材料疫0.35章0.34妨0.36搅0.31唤0.38嘱0.32卷人工器0.08霸0.08听0.10门0.09或0.15具0.14补可变管理成本寿0.05辩0.05舍0.06橡0.05踢0.05没0.05甩固定成本忽0.12刘0.11往0.16增0.15仪0.08佳0.07叙总生产成本幕0.6挥0.59中0.68须0.60魂0.66您0.58显我国光伏发电叠的配套系统（彻系统平衡）价义格约租为式3妈5渴元扒/W~5订0索元扮/笛W眼（不含太阳电走池组件），成凶本相对较高，淡部稀分原因是没有黎较大批量的生撞产，这方面的拢成本较难估算施，且各种系统杠由于应用场合己不同，配套系播统会有大的变归化。应加强研端究，使之工业尤化、规范化、玉系统化并达到害批量生产，售收价可望降还到怨2晌0件元恨/赌W酬左右。乒表路九颠暴中国商品船化偏10k哄W镰光电幕墙（屋赴顶）的售价分虾配预算宜项目费曾费用（泄元霞/W皆P握）避项目费怖费用（坚元坚/W栗P擦）凳太阳电池组件饿37腿间接费用绍5.7拌支架等组阵系硬统平衡费用畅9.7杯蓄电池两23朴功率控制柔7魄合计馋82.4傅多年来，我国善太阳电池组的劳成本以平均每套年师5涉%评的速度下降。简随着技术进步枯及产量的扩大垃，国内外太阳屠电池组件的成丝本都会继续下讲降。国内光伏墙发电系统的平成衡构件还未形蜻成批量生产规晋模，达到一定炸产量时，成本幻会明显下降。烈光电幕墙（屋也顶）在中国的桂大规模推广应勉用，除了有关塑研究开发机构录及公司企业进违一步努力之外玉，很重要的一摘个方面，还需钞要政府有关机前构和部门对其养重要性和迫切予性进一步提高富认识，进一步痕扩展其战略规伶划和发展计划抱，进一步制订木有效的扶持政述策和措施，进潮一步加强指导叙和引导，使光富电幕墙、光