声表产品生产制作工艺介绍演示文稿

声表产品生产制作工艺介绍演示文稿现在是1页\一共有60页\编辑于星期一声表产品生产制作工艺介绍现在是2页\一共有60页\编辑于星期一一.声表面波器件的用途现在是3页\一共有60页\编辑于星期一滤波器:电子通讯移动设备无线宽带广播电视-------------------------------谐振器:移动设备无匙安全系统现在是4页\一共有60页\编辑于星期一射频识别：鉴别：身份识别，物体识别，运输方式跟踪-----------------------------------------传感器：感知：压力,温度液体，气体生物传感-----------------------------------------特殊应用：特殊压电材料，改变物理特性现在是5页\一共有60页\编辑于星期一二.声表面波器件工作原理现在是6页\一共有60页\编辑于星期一声表面波—SAW（SurfaceAcousticWave）就是在压电基片材料表面产生和传播、且振幅随深入基片材料的深度增加而迅速减少的弹性波。SAW滤波器的基本结构是在具有压电特性的基片材料抛光面上制作两个声电换能器——叉指换能器（IDT）。它采用半导体集成电路的平面工艺，在压电基片表面蒸镀一定厚度的铝膜，把设计好的两个IDT的掩膜图案，利用光刻方法沉积在基片表面，分别作为输入换能器和输出换能器。

现在是7页\一共有60页\编辑于星期一电转换为声（逆压电效应）声转换为电（正压电效应）

工作原理是输入换能器将电信号变成声信号，沿晶体表面传播，输出换能器再将接收到的声信号变成电信号输出。现在是8页\一共有60页\编辑于星期一现在是9页\一共有60页\编辑于星期一换能器空间图形对应脉冲响应图形

通过指条位置和重迭长度的设计即可控制换能器的脉冲响应，从而也就控制了换能器的频率响应

现在是10页\一共有60页\编辑于星期一SAW滤波器构成及频响

压电基片+IDT（半导体工艺）

电--声（SAW）--电

Hfilter(f)=HIDT1(f)*HIDT2(f)现在是11页\一共有60页\编辑于星期一现在是12页\一共有60页\编辑于星期一三.主要声表面波器件用晶片材料现在是13页\一共有60页\编辑于星期一LT、LN主要功能压电效应---表面波器件热释电效应----红外探测电光效应---光开关、光调制光折变效应-----全息存储非线性光学效应-----激光倍频

从上面可以看出LN、LT是一种多功能晶体，我们在实践中注意各种性能对使用和生产相互影响。比如热释电产生静电吸尘、静电击裂晶片影响．现在是14页\一共有60页\编辑于星期一常用表面波切型简称主面及传播方向简称主面及传播方向128°Y-XLN128°

旋转Y切X向传播铌酸锂36°Y-XLT36°

旋转Y切X向传播钽酸锂64°Y-XLN64°

旋转Y切X向传播铌酸锂42°Y-XLT42°

旋转Y切X向传播钽酸锂Y-ZLNY切Z向传播铌酸锂45°X-ZLBO45°

旋转X切Z向传播四硼酸锂X-112.2°YLTX切112.2°旋转Y向传播钽酸锂ST-XQUARTZST切X向传播α-石英现在是15页\一共有60页\编辑于星期一晶片背面的加工粗糙度碳化硅规格号100#120#180#240#W28W141000#2000#W3.5粒度尺寸范围160125806328-2014-1015.58.53.5-2.5晶片粗糙度>7≥5≥31-30.50.5-0.70.15-0.3金胜3--51.5—2.20.8-1.50.5-1.0水晶:0.5-1.0其他0.8-1.5DQ备注晶片背面粗糙度数值为LN晶片实测典型值。晶片材料不同其加工粗糙度值略有差别。现在是16页\一共有60页\编辑于星期一四.声表面波器件制作工艺流程现在是17页\一共有60页\编辑于星期一1.前工序基片清洗镀金属膜涂胶曝光显影腐蚀探针测试涂胶曝光显影镀金属膜剥离镀保护膜后工序现在是18页\一共有60页\编辑于星期一湿法工艺现在是19页\一共有60页\编辑于星期一①.镀膜铝晶片现在是20页\一共有60页\编辑于星期一铝晶片光刻胶②.涂光刻胶现在是21页\一共有60页\编辑于星期一③.曝光UV光光刻胶铝晶片现在是22页\一共有60页\编辑于星期一④.显影铝晶片光刻胶现在是23页\一共有60页\编辑于星期一⑤.刻蚀光刻胶铝晶片现在是24页\一共有60页\编辑于星期一⑥.去胶铝晶片现在是25页\一共有60页\编辑于星期一B、剥离工艺现在是26页\一共有60页\编辑于星期一①.涂光刻胶光刻胶晶片现在是27页\一共有60页\编辑于星期一②.曝光光刻胶晶片UV光现在是28页\一共有60页\编辑于星期一③.显影光刻胶晶片现在是29页\一共有60页\编辑于星期一④.镀膜光刻胶晶片铝现在是30页\一共有60页\编辑于星期一⑤.去胶铝晶片现在是31页\一共有60页\编辑于星期一制作完成图形现在是32页\一共有60页\编辑于星期一主要工艺－清洗全自动清洗机现在是33页\一共有60页\编辑于星期一STANGL精清洗系统

系统精清洗部分由以下构成：RBS1槽、RBS2槽、溢流清洗槽、QDR1槽、QDR2槽、兆声清洗槽、甩干机。

STANGL精清洗采用的是湿法批量式清洗，所用的工艺为RBS洗液超声清洗结合SC1洗液兆声清洗的方式，因该清洗系统设计时未考虑酸洗槽，有些晶片在清洗前得预先经过一次酸浸泡处理工艺。该系统专用于Φ3″和Φ4″标准晶圆片的清洗，日产量为300-400片/班（8小时）。主要工艺－清洗现在是34页\一共有60页\编辑于星期一主要工艺—镀膜

设备名称:BAK-SAW电子束镀膜机

主要技术指标

均匀性单片：±1%

片与片：±2%

批与批：±2%镀层材料AL、AL-CU2%合金、TI、CU

产量3英寸36片/炉

4英寸18片/炉

适用工艺

剥离工艺和湿法工艺单层和多层镀膜现在是35页\一共有60页\编辑于星期一主要工艺—镀膜

设备名称:KDF磁控溅射镀膜机

主要技术指标

均匀性单片±2%〔AL)±2～3%(sio2)

片与片±3～5%(AL)±5～8%(SIO2)

批与批±3～5%(AL)±5～8%(SIO2)

镀层材料AL、AL-CU2%合金、TI

产量

3英寸16片/炉、4英寸9片/炉适用工艺

湿法工艺

单层金属膜和SIO2保护膜现在是36页\一共有60页\编辑于星期一主要工艺—镀膜

设备名称:LEYBOLD(莱宝)电子束镀膜机主要技术指标

均匀性单片±1.5%

片与片：±2.5%

批与批：±2.5%镀层材料AL、AL-CU2%合金、TI

产量3英寸36片/炉4英寸18片/炉

适用工艺剥离剥离和湿法工艺

单层和多层金属膜现在是37页\一共有60页\编辑于星期一主要工艺—镀膜膜厚测试:FRT表面轮廓仪

ALPHA-STEP台阶仪现在是38页\一共有60页\编辑于星期一主要工艺－光刻分布重复式投影曝光主要技术指标:

最小分辨率：0.5um最大视场：15×19mm

掩膜版尺寸：5英寸晶片尺寸：3英寸光源波长：I线（365nm）缩影倍率：5：1

曝光工作台定位精度：100nm适用工艺：剥离工艺和湿法工艺现在是39页\一共有60页\编辑于星期一主要工艺－光刻3＂和4＂标准圆片的光刻胶涂覆及曝光后图形显影，满足特征尺寸CD≤0.35μm声表面波器件的光刻胶涂覆及曝光后图形显影工艺制作要求涂敷光刻胶均匀性和一致性：4＂片内为±2%，片与片之间达到±2%；GAMMA涂胶显影机现在是40页\一共有60页\编辑于星期一M2000涂胶显影机3“、4”标准圆片的光刻胶涂覆及曝光后图形显影，满足特征尺寸CD≥0.5μm声表面波器件的光刻胶涂覆及曝光后图形显影工艺制作要求；涂敷光刻胶均匀性和一致性：3＂片内为±2%，片与片之间达到±2%；显影均匀性和一致性：当以CD=0.5um作为测试线宽时，3＂片内为±6%，片与片之间达到±6%；涂胶产能达40片/小时，显影产能达40片/小时；主要工艺－光刻现在是41页\一共有60页\编辑于星期一半自动探针测试主要工艺－探针测试现在是42页\一共有60页\编辑于星期一2.后工序工艺流程点焊入库终测标记储能封帽筛选试验丝网涂胶划片光刻检验粘片前工序点焊检验初测预焊平行封帽编带现在是43页\一共有60页\编辑于星期一主要工艺－丝网涂胶（吸声胶）丝网涂胶现在是44页\一共有60页\编辑于星期一SAW滤波器凃胶的重要性现在是45页\一共有60页\编辑于星期一主要工艺－丝网涂胶吸声胶将吸声胶涂到器件两端，以消除反射回来的声波对器件性能的干扰现在是46页\一共有60页\编辑于星期一主要工艺－划片半自动砂轮划片机利用高速旋转的树脂刀片将晶圆分割成一个个小芯片。现在是47页\一共有60页\编辑于星期一主要工艺－划片现在是48页\一共有60页\编辑于星期一主要工艺－粘片（自动SMD）将芯片通过粘片胶粘贴固定到外壳底座上现在是49页\一共有60页\编辑于星期一主要工艺－粘片自动粘片现在是50页\一共有60页\编辑于星期一主要工艺－点焊（自动铝丝键合）降到第一焊点加超声能量键合上升到线弧高度现在是51页\一共有60页\编辑于星期一降到第二焊点加超声形成第二个焊点断线主要工艺－点焊（自动铝丝键合）现在是52页\一共有60页\编辑于星期一主要工艺－点焊6400型自动点焊机现在是53页\一共有60页\编辑于星期一主要工艺－点焊线拉力和芯片剪切力测试现在是54页\一共有60页\编辑于星期一主要工艺－预焊

预焊工序用于将表贴器件的盖板与基座固定起来。现在是55页\一共有60页\编辑于星期一主要工艺－平行封焊封焊工序将预焊后的器件焊接完毕。现在是56页\一共有60页\编辑于星期一主要工艺－平行焊接现有平行封装设备工艺