在抗坏血酸存在下用掺杂有纯碳纳米管的电沉积导电聚合物PEDO检测多巴胺课件

在抗坏血酸存在下用掺杂有纯碳纳米管的电沉积导电聚合物PEDOT检测多巴胺姓名：孙月昕学号：1002014024专业：分析化学摘要基于掺杂有纯碳纳米管（CNT）的电导电性高分子（聚乙烯二氧噻吩）（PEDOT）开发一种具有高度稳定的和高灵敏度的电化学多巴胺（DA）的检测的传感器。将掺杂有唯一掺杂剂碳纳米管的PEDOT/CNT纳米复合物通过的PEDOT的电化学聚合沉积在碳糊电极上。采用循环伏安法和微分脉冲伏安法对碳糊电极上的PEDOT/CNT薄膜的电化学性能进行了表征。在PEDOT/CNT（聚乙烯二氧噻吩/碳纳米管）膜测定DA的氧化还原反应表现高的电催化活性，而且DA的氧化还原峰电流的峰值与修饰电极相关的多巴胺浓度有关。一个灵敏的DA传感器是基于此优异的催化性能而发展的，线性范围为0.1~20μm，检测极限为20nM。这种传感器容易制得，非常稳定且可重复使用，并且不受抗坏血酸的干扰（存在的浓度比DA高1000倍），所有这些都使得它成为一种很有前途的检测DA的技术。Fig.1.Cyclicvoltammogramsof(a)thebareCPE,(b)theCNT/CPE,(c)thePEDOT/PSS/CPEand(d)thePEDOT/CNT/CPEin0.2MpH5.0B-Rbuffersolutioncontaining0.5mMDA.Thescanrateis100mVs-1.Fig.3.Dependenceofthecyclicvoltammogramof0.5mMDAatthePEDOT/CNT/CPEonthescanrate.1–15correspondtothescanratesof20,40,60,80,100,120,140,160,180,200,220,240,260,280,300mVs-1.Insets:PlotsoftheIpversusand½atthePEDOT/CNT/CPE,respectively.(a)Ipa~v;(b)Ipc~v;(c)Ipa~v½;(d)Ipc~v½.Fig.4.Cyclicvoltammogramsof

0.5mMDAatthePEDOT/CNT/CPEin0.2MB-Rbuffer

solutionwithvariouspH.ThepH

valuesforCVcurves1–6are3.0,4.0,5.0,6.0,7.0and8.0,respectively.Scanrate:100mVs-1.Inset:theplotoftheoxidationpeakpotentialvs.pH.Fig.5.DPVcurvesofthePEDOT/CNT/CPEin(a)pH5.0B-Rbuffersolution,withtheadditionof(b)0.5mMAA,(c)25uMDAand(d)25uMDA+5.0mMAA.结论用基于导电聚合物纳米复合材料PEDOT/CNT改性的CPE对DA的检测灵敏度和选择性较好的制备的电化学传感器，这是通过只有碳纳米管存在下EDOT的电化学聚合改性开发制得的。PEDOT/CNT修饰电极对DA的电化学反应表现出优良的催化性能，并且在AA的存在时它不受影响。此外，DA传感器表现出令人满意的长期稳定性。基于我们上