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晶体与矿物认知教育部职业教育宝玉石鉴定与加工专业教学资源库GemsandJadeIdentificationandProcessingTeachingResourceLibrary晶体的形成—晶体的生长1、晶核的形成(晶体的发生)晶核(亦称晶芽):是晶体生长最原始的胚胎(生长点),是极微小的微晶粒，是晶体成长的中心。晶体形成全过程包括两个阶段①形成晶核。②晶体的成长。

形成晶核的条件

自发晶核(质点聚合)①溶液过饱和②熔体过冷却1、晶核的形成(晶体的发生)

外来晶核，非自成的。例如人工合成水晶，就是在溶液中放入一个石英晶粒(籽晶)作为晶核。

当过冷却或过饱和度很高时,产生的晶核数目多;反之则少。

1、晶核的形成(晶体的发生)

晶体生长的一般过程：

先生成晶核而后再逐渐长大晶体的生长阶段：

介质达到过饱和，过冷却阶段成核阶段生长阶段2、晶面的发育在晶体生长过程中，不同晶面的相对生长速度不同。晶体的形态取决于晶面的相对生长速度。

所谓晶面生长速度：是指晶面在单位时间内沿其法线方向所增长的速度。

生长速度慢，晶面扩大，最后包围整个晶体。生长速度快，晶面缩小，最终消失。若2、晶面的发育

晶体是被生长速度慢的晶面所包围。

布拉维法则指出：晶体上的实际晶面平行于面网密度大的面网；且面网密度越大，相应晶面的重要性也越大。3、晶体生长理论

层生长理论（Kossel-Stranski模型）由科塞尔在1927年提出，后经斯特兰斯基(Stranski)加以发展。晶体生长时，以单个质点方式往晶芽上堆积，首先是完成一个行列,再长相邻行列；长完一层面网再长第二层面网，即晶面是平行向外推移而生长的。3、晶体生长理论

层生长理论（Kossel-Stranski模型）

--W.Kossel—I.N.Stranski二维成核理论

三面凹角二面凹角一般位置

质点优先进入顺序：（1）1＞2＞3（2）质点行列面网（3）层层向外3、晶体生长理论

层生长理论（Kossel-Stranski模型）

--W.Kossel—I.N.Stranski二维成核理论

石英的环带结构把晶体的生长过程简单化，所描述的晶体生长过程只有在理想情况下才能出现。层生长理论的缺陷：3、晶体生长理论

位错理论（螺旋生长理论）

spiralgrowth由于晶核中螺旋位错的出现，晶核表面呈现出了永不消失的阶梯，在邻近位错线处，永远存在三面凹角。晶体生长时，质点首先将在位错线附近的三面凹角处填补，从而使新的质点棉网一层接续一层地作螺旋式地生长。3、晶体生长理论

位错理论（螺旋生长理论）

spiralgrowth

F.C.Frank,W.K.Burton等人提出。位错—凹角—行列—螺旋生长螺旋位错凹角3、晶体生长理论

布拉维法则在1855年，法国结晶学家布拉维(A．Bravis)从晶体具有空间格子构造的几何概念出发，论述了实际晶面与空间格子构造中面

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