第章寄生参数

第六章寄生参数寄生电容

寄生电阻

寄生电感器件的寄生参数

三种主要的寄生参数：寄生电容寄生电阻寄生电感parameterscaling：–conductancesandcapacitancesscalelinearlywithwidth（”wideningawireleadstolessthanaproportionalincrease

incapacitance,butaproportionalreduceinresistance,sotheRCdelayproductimproves.”“P219,CMOSVLSI”）–resistancesscaleinverselywithwidth–interconnectsintroduceextraresistance,capacitance,anddelay,degradeoflargedeviceperformance!

needmanyfingersconnectedinparallel

寄生电容导线之间（同层/不同层）、导线与衬底之间都存在平面电容；上层导线到下层导线、下层导线到衬底之间存在边缘电容。寄生电容Capacitanceiseverywhere.Everythingistalkingtoeverythingelse.由于尺寸很小，因此这些寄生参数的值也很小。对于对电容不敏感的电路，不必担心；不管是CMOS还是双极型，只要涉及高频，寄生会成为问题。忽略寄生参数会毁掉你的芯片。

导线尽可能短减少寄生电容的方法：采用电容最低的金属层绕过电路走线寄生电容减少寄生电容的方法-选择金属层起主要作用的电容通常是导线与衬底间的电容。如下图，寄生参数可以把电路1的噪声通过衬底耦合到电路2，所以要设法使所有的噪声都远离衬底。寄生电容减少寄生电容的方法-选择金属层可以通过改变金属层来获得较小的至衬底的电容，通常最高金属层所形成的电容总是最小的。另外值得注意的是并不是所有工艺的最高层金属与衬底产生的寄生电容都最小,它还与金属层的宽度等其它因素有关。有些工艺中或许是M2对地的电容要比M4的对地电容大,所以我们不能只凭直觉来判断,一定要通过具体的计算来确认。寄生电容MetalM1M2M3M4Min.Width0.80.82.46.5Cap/UnitArea(fF/um2)532.51.5Cap10umwire40246697.5减少寄生电容的方法-选择金属层Modernprocesseshavesixormoremetallayers.Thelowerlayersarethinandoptimizedforatightroutingpitch.

Middlelayersareoftenslightlythickerforlowerresistanceandbettercurrent-handlingcapability.

Upperlayersmaybeeventhickertoprovidealow-resistancepowergridandfastglobalinterconnect.寄生电容LayerPurposeMetal1InterconnectwithincellsMetal2/3InterconnectbetweencellswithinunitsMetal4/5Interconnectbetweenunits,criticalsignalsMetal6I/Opads,clock,power,ground减少寄生电容的方法-选择金属层wideningawireleadstolessthanaproportionalincreaseincapacitance,butaproportionalreduceinresistance,sotheRCdelayproductimproves.Wideningwiresalsoincreasethefractionofcapacitanceofthetopandbottomplates,whichsomewhatreducescouplingnoisefromadjacentwires.Increasingspacingbetweenwiresreducescapacitancetotheadjacentwiresandleavesresistanceunchanged.ThisimprovetheRCdelaytosomeextentandsignificantlyreducescouplingnoise.

寄生电容减少寄生电容的方法–绕过电路走线在某些电路的上面布金属线,这是在数字自动布局布线中经常会遇到的情况。各层金属相互交叠,所以在反相器、触发器等都存在寄生电容。如果不加以干预的话,只是由布线器来操作,那么就有可能毁了你的芯片。在模拟电路版图设计中,我们经常会人为的将敏感信号隔离开来,尽量避免在敏感电路上面走线,而只是将金属线走在电路之间,这样寄生的参数就小一些且相对容易控制。在数字版图中，90%的导线一起布置，不必关心它们的功能；而在模拟版图中，对于某些功能可以不在乎寄生电容，而另一些必须注意。寄生电容减少寄生电容的方法–绕过电路走线寄生电容通过电流密度可以选择导线宽度，电流大小孩影响单元间的布线方案。翻开工艺手册,我们经常能看到每层金属线能够承载的电流。通过这个参数我们可以计算所需要的金属层宽度。例如,有一根信号线需要承载1毫安的电流,而工艺手册注明每微米可以走0.5毫安的电流,那么这根金属层的宽度至少要2微米。寄生电阻IR压降：假设导线的方块电阻Rsqu是0.05Ω,则R=Rsqu*L/W=0.05Ω*（2mm/2um）=50ΩV=IR=50Ω*1mA=50mV所以计算得知电压为50毫伏。它对于一个电压非常敏感的电路来讲就会有很大的影响。如果这条导线的压降不能超过10毫伏,显然这个设计就是失败的。所以这就意味着我们必须增加导线宽度才能满足这一要求。寄生电阻为了降低寄生电阻,就需要确保使用最厚的金属层。正如我们了解的,一般情况下,最厚的金属线具有最低的方块电阻。如果遇到相同的金属层厚度,也可以将这几条金属重叠形成并联结构,大大降低了电阻。因此,并联布线是降低大电流路径电阻的有效方法,而且还能节省一定的面积。寄生电阻当电路是在一个真正的高频的情况下工作时,导线也开始存在了电感效应。解决寄生电感的方法就是试着去模拟它,把它当成电路中的一部分。首先需要尽早的完成布局,好让电路设计者较早的看到导线究竟能有多长,然后估计出可能引起的电感。版图设计过程中尤其注意不要因为电感耦合而影响其它部分。能否利用寄生参数？从整体来说，不可以利用寄生参数得到好处。因为寄生参数可以正负相差50%，无法很好地控制。然而，可以利用寄生参数得到一点小外快。如把电源线和地线互相层叠起来就可以得到免费的电源去耦电容。寄生电感CM渗OS晶体橡管MO葱S器件问本身蛛存在顺两种邮电容姓：栅电形容和扩散用电容。栅电涉容：平行或板电阵容：Cgb=滔Cun粗it产/a遥re君ax论A源漏川交叠膏电容克：Cgs、Cgd总的耍栅电叨容：Cg=楚Cgb+Cgs+Cgd器件蜂的寄徐生参坐数ov茄er壁la阵pca须pa邮ci喂ta住nc橡ein刘tr惠in刚si趟c诞ca奴pa须ci庙ta袄nc爽e(a阵p汇ar朴al建le膛l诵pl仓at味e尿ca念pa岂ci某to巷r)Cgs啦(f浙ri晒ng腹in袍g)Cgd给(f要ri东ng局in脱g)CM粱OS晶体搅管-栅电誉容：Cg轿bisne罗ce艘ss丑ar示yto歉a呈tt雨ra祸ct概c胖ha支rg筝e决to览i徐nv份er躬t幻玉th踢e去ch廊an总ne例l,稿s升o获hi哲gh佩g搞at茶e嚼ca规pa犬ci雅ta愧nc闹e对is蚂r咳eq啦ui央re肃d辉to被o贷bt山ai问n俩hi经gh溪I仁ds绢.Cg喇b踏=速Co木x熊*士WL论=牧C短pe搏rm飞ic蛋ro满n重*荡WCp往er德mi询cr泡on漫=絮C茧ox踢*L券=（εs/tox）*Ｌ（Cp恭er掠mi亡cr及on匙h刮as夜a剖v负al惩ue榴o膝f赴ab煮ou轻t捧1.蹄5~咳2f史F/翅um速o躲f辫ga性te尚w挺id畅th）器件咳的寄柜生参借数parametercutofflinearsaturationCgbC0=

Cox*WL00Cgs0C0/22C0/3Cgd0C0/20Cg=Cgb+Cgs+CgdC0C02C0/3CM删OS晶体贯管-栅电很容：边该缘交当叠电耗容Th滥e丢ga斗te掘a介ls捏o番ha旦sfr雾in县gi禁ng掘f零ie险ld移ste致rm击in薄at联in构g稿on董t尼he远s帮ou弄rc成e幼an世d妹dr屯ai璃n,农t露hi色s叉le议ad浆s环toad际di稳ti卸on线o悄ve撇rl纵ap鞭c洋ap己ac辅it斗an要ce,出ca购ll毒ed赴“Cg铸s(瞒fr秩in月gi伤ng余)/Cg基d(专fr飘in打gi今ng丙)”.Cg恋s(扔fr跨in贡gi返ng唇)乐=句Cg坊sf们r啊*以WCd阻s(滩fr砖in卵gi莫ng河)水=这Cd缴sf浅r晶*贩WCo更mp虑ar轿in芳g算to急alo慌ng舍c稠ha介nn暖elnM倒OS港t感ra奖ns驱is忍to叹r,卵w迟e犹ca母n吃fi禾nd宰t帅ha药tCg分d怜do微es惯n礼ot格g煮o屠to寸0in灭s成at怒ur周at桐io收n蛾of垂ash漠or仓te质r扬ch碍an多ne遮ltr扬an牢si塌st违or叔,黑be繁ca皆us描e讯th值e逢fr滩in息gi谷ng多o仙ve交rl近ap笛c专om凳po拆ne倒ntCd显s(津fr衣in懂gi丽ng娃)规is蜓s出ig与ni旁fi瓜ca它nt.狠Th部e莫fr文in叙gi师ng膊o短ve沃rl崭ap度c越ap虚ac氧it裤an成ce灵b农ec凤om顶es饺r系el护at霞iv桨el抖y钥mo桃re墓i陈mp柜or朱ta需nt州f在or荐s送ho计rt明er仿c型ha押nn僻el挎t始ra丙ns称is田to室rs连b槽ec确au监se碌i努t医is隶a烈l衫ar灶ge海f垄ra鞋ct懒io质n图of属t度he蚁t夜ot敌al县.器件材的寄财生参驶数CM饺OS晶体德管MO凝S器件凶本身恒存在闸两种迹电容暗：栅电翼容和扩散笋电容。扩散叼电容：扩散培电容辫主要蛋是由内源、允漏扩诸散区台与衬屿底或市阱之怜间形静成的PN结电伍容。亭由两剥部分距组成垄：扩孕散区妻底面佣结电妈容和车边缘电菌容。Cd役b堵=征Cj脱bs欠*（ab）+级Cj卡bs颈sw阵*（2a启+2厌b）其中穿，Cj背bs：肤每颈平方um的结丈电容Cj察bs茶sw捡:每um的边进缘电哑容a、b：骡扩素散区庭的宽跃度和秤长度器件扩的寄贪生参赴数CM顺OS晶体源管-扩散秤电容：Be娃ca塞us薯e独th脱e苦de哪pl战et捏io俘n逆re险gi辱on拘t巨hi皱ck奔ne程ss污d志ep蹦en制ds腔o宿n梯th剧e母re吓ve托rs俱e凳bi坝as迹,碎th商es促e隐pa等ra肯si闷ti出cs见a喝re花n尺on愿li兆ne果ar欲,投Th烫e洋ar阵ea屡j子un忙ct甲io孝n筐ca心pa找ci画ta顷nc橡e娇te环rm贝i得s:Cjb革s=塞Cj(1乓+Vsb/Φ0)-M丢jMj虾:j财un誉ct插io方n岁gr未ad辜in川g导co姥ef矿fi需ci所en驱t,锯0田.3仗3~殖0.鹊5Cj批:t泽he恒j圣un窜ct冶io君n抚ca栽pa训ci源ta歪nc项e狠at也0给b表ia促sΦ0:b使ui统lt易-i邪n尊po柱te炸nt讯ia贫l,药e挂qu牵al讽s俩to遇(搜kT修/q庆)l庸n(尺NAND/ni2)ni:i板nt拣ri寸ns箱ic匙c委ar仰ri厚er伟c腊on窄ce慢nt缓ra淡ti慌onan枯d峡th训e锡si窑de题wa居ll惰c托ap尖ac料it帜an剖ce优t盛er积m节is货o粥f宋a提si亿mi准la艳r福fo程rm至:Cjb堵ss穗w=麻Cjs鼻w(1也+Vsb/Φ0)-M箩js熊w器件趣的寄兰生参方数CM着OS晶体感管-扩散权电容：Cd颂b等an菊d绢Cs德bar荷e猪no拍t电fu遇nd渣am冷en帆ta锯l植to喇o公pe朗ra惑ti怎on川o举f瘦th葡e争de话vi掠ce息s,跃b爆ut挪d门o喝im辞pa侧ct叔c合ir旷cu豆it段p与er驱fo凑rm新an裕ce教a络nd虏h唤en番ce雄a舰re尼c筑al尽le世dpa显ra厚si店ti绕c失ca脚pa罩ci首to榴rs,结al秋so嫂c菜al扮le颂ddi替ff飞us讨io做nca渴pa功ci还to贝rs.Th蛾e踩si遭ze啄o凳f芝th欲e烘tw寄o蹄ju捆nc膏ti兰on动sde蜡pe王nd盟s撇on谊t赤hear选eaan暴dpe琴ri梯me肚te刘rof喂t隆he到d波if苏fu扮si蜜on胞,童th狱edo伶pi死ng爽l筝ev考el毫s,竭th污ede链pt繁hof申t呆he萝d跃if葬fu含si喷on曾,笛an隐d胆th吃evo惠lt凳ag饰e.As杯d暮if膜fu裳si欣on握h趟as泰b灰ot鉴h骗hi段gh版c本ap貌ac策it对an积ce冰a茫nd厉h说ig婆h摘re倡si将st稿an谦ce视,喉it戚i准s誓ge晋ne驾ra输ll弓y竖ma乓deas劈燕s行ma争ll阀a逃s短po资ss堂ib魔lein世t俊he教l磨ay害ou揉t.Fo仰r蓝th用e宽pu仁rp技os卫e困of困h系an安d抱es名ti让ma乡丰ti街on普,燃yo管u事ca千n榜ob盗se弓rv暴e弊th米at烧t集he每d闻if蜜fu屡si饺on群c旁ap础ac押it俯an泰ceCd待b、Cs划bof犬s疲ou悟rc巧e骑an货d栋dr芒ai钩n晕re守gi廊on狐s酬isco描mp洋ar殃ab谦leto矮t倾he财g竟at挑e灿ca符pa竹ci挠ta纵nc粒eCg,窃e.夫g.恼,Cg芽=斜C从db扶=弟C滩sb育=应1蕉.5迈~2偏fF课/u色mof银g勒at览e穴wi梅dt咐h.器件民的寄息生参佣数CM悬OS晶体傻管对于幅处于N阱中酱的PM膛OS晶体逮管，贤当源耳或漏欠上的扑电压吊发生浊变化贺时,阱电宜容会歉使这蚕一变锐化变扮慢。范当有混一个绿电压厉加到抛栅上嘱时,栅电删容会亲使它猪变慢轿。多糟晶硅句栅的宅串联莫电阻惨与栅颗电容否一起灯形成币了一弟个R抱C时间抛常数,它使粘器件蚀进一氧步变浸慢。毯几乎驼器件坊的每吗一个转部分神都有牛某种房诚电容缠以某隔种方梦式使袋器件障的操唐作变叼慢。器件少的寄授生参躺数SDGonof价fonof肚fin粉pu罩t源si自gn莫al照o跌f垦Gin敲pu丛t田si某gn眼al她o斑f坊AACM益OS晶体寸管减少CM浑OS器件俗寄生征参数概的技荷术就撕是减挽少栅戚的串藏联电鲜阻。亲任何宇其它均在内架的寄贫生参已数是偿没有窑办法弄改变红的。厚如果踩我们雪降低晓了多浮晶硅震栅的听串联予电阻,就降籍低了R句C时间部常数,从而侨改善盲了器互件的渡速度校。我浴们可博以通惕过把厕多晶虑硅栅争分成缓多个赵“指涌状“孤结构,然后床用导那线将聚它们今并联待起来贺以降弃低电才阻。器件琴的寄艘生参杨数SDGIII攀IIIIVbi捆g码si思ze拾M数OSsp壤li工t绑in馒to祥f筋ou磁r护pa伟rt算ssi邪mp伐le针m饰od骗eCM同OS晶体弯管–雅us也e超of絮m猪ul际ti研pl插e县fi巧ng坊er邻s器件董的寄英生参迷数CM恐OS闩锁某效应腥及其强预防在CM观OS电路尼中PM键OS和NM富OS经常饥作互诞补晶撑体管梨使用漏，它笼们相世距很步近，读可以立形成垃寄生抗可控缩慧硅结罩构，缎一旦奴满足联触发沿条件茅，将弄使电盒路进闹入低薄压大亏电流瘦的状病态，苦这就打是闩活锁效凳应。造成追电路系功能彼的混联乱，裕使电鲁路损摧坏。产生离闩锁滚效应畅的条愚件1．血环惊路电熊流增仓益大梦于1，即βn眉pn耻*β勒pn碌p迎>=严1；2．吗两惜个BJ怒T发射委结均志处于朴正偏沿；3．该电歉源提戒供的侦最大词电流既大于PN没PN器件兽导通唱所需渗维持他电流IH。器件肤的寄配生参脏数N阱CM衫OS工艺亮中的相典型PN还PN可控抄硅结桐构及挤其等炊效电艰路器件贡的寄弹生参址数-CM顷OS闩锁透效应努及其袭预防潜在旱的发着射极(结)：绿色参标出虽区域园是潜观在的套发射逆极(结)，当汪这些MO元SF疫ET作为I/隶O器件政时，什由于棕信号六的大狭于VD冲D的ov槐er怜sh谅oo买t，可华能使PM葵OS的源/衬结横、漏/衬结吼和沟耍道中总感应续的纵巷向PN结(这些温都是赢纵向倦寄生PN薪P树BJ汤T的发扯射结)正偏貌而发州射空飘穴到N阱中净，接堆着在N阱和酿衬底跃的PN结内吊建电剃场的洞驱动衫下，歉漂移淡进入P衬底守，最牲终可各能被膝横向穴寄生NP亩N深BJ宪T吸收靠而形失成强陵耦合咸进入la樱tc握h状态挠；同嘱理，鸽由于迈信号拳的小已于GN记D的un艺de熟rs抵ho启ot，可够能使NM然OS的源/衬结弓、漏/衬结马和沟班道中拌感应胞的纵居向PN结(这些日都是巨横向妥寄生NP行N拣BJ惜T的发甲射结)正偏材而发络射电狐子到P衬底炉中，争接环着在N阱和注衬底仪的PN结内牺建电预场的叹驱动盯下，壳漂移强进入N阱，乌最终隙可能幼被纵短向寄柴生PN拥P切BJ霸T吸收香而形派成强病耦合星进入la从tc扯h状态绘。另外主还有辣两种黑情形长可能把向衬井底或N阱注登入少餐数载非流子砖，一梦，热支载流封子效看应；叶二，ES们D保护残，前滥者可兔采用阁加大叹沟道粪长度著的方续法解招决，壶后者奋可采疯用在从版图乐中追笼加少吵数载党流子本保护医环的框方法印来解疼决。器件蔑的寄佛生参猴数-CM页OS闩锁肠效应反及其拐预防预防谨措施-一、旱工艺置技术蓄预防断措施为了婶有效胡地降碗低βn篇pn和βp影np，提歌高抗碗自锁通的能托力，峡要注泳意扩序散浓道度的狐控制亲。对宵于横膝向寄辨生PN个P管，础保护土环是艰其基侨区的乱一部闻分，叠施以弱重掺书杂可慌降低档其βp酒np；对白于纵舟向寄屠生NP狐N管，台工艺弱上降仅低其βn芹pn有效驾的办睡法是使采用漆深阱厘扩散门，来永增加牙基区什宽度忆。此建外，统为了袜降低Rw，可蔽采用亦倒转技阱结匹构，笛即阱杂的纵开向杂盟质分佛布与烟一般础扩散搭法相侨反，假高浓背度区尺在阱恨底；永为了触降低Rs，可京采用N+_s斗i上外绘延N-作为翻衬底烈，实董验证腿明用狠此衬习底制焰作的CM于OS电路沉具有丑很高短的抗央自锁逆能力惯。如铲果采缸用下苏图所勾示的摆外延有埋层CM阴OS电路(E膏BL栏C梯MO竹S佳IC涉)，由隐于衬即底材样料浓攻度很静高，互使寄甲生PN画P管的拦横向卡电阻Rs下降值；又梳因为业阱下盛加入P+埋层载，使去阱的奴横向梦电阻Rw和βn生pn大大迅下降偷，从积而大妥大提胆高电留路的唇抗自狼锁能第力。器件支的寄躬生参斧数-CM弟OS闩锁联效应批及其拜预防预防村措施-一、宿工艺丝式技术茂预防示措施器件着的寄秃生参寄数-CM附OS闩锁促效应猛及其茅预防外延售埋层CM飘OS反相摧器剖毁面图预防帜措施-二、魔版图员布局葛设计本预防轨措施1．吸械收载侄流子矮，进菠行电积流分腔流，鉴避免巾寄生裹双极胸晶体芬管的酿发射赤结被正栗偏。1.如1群“少数勺载流貌子保袍护环智”：即伪届收集畏极，开收集编发射贷极注宿入衬卵底的透少数机载流镜子。券形式晒有：a.位于P衬底茂上围远绕NM和OS的被精接到VD已D的N+环形产扩散螺区；b.或位胃于P衬底辆上围靠绕NM南OS的被贴接到VD寨D的环南形N阱。器件箭的寄骡生参梦数-CM商OS闩锁取效应挨及其也预防采用常伪收泉集极王的反娇相器夹剖面闹图预防柔措施-二、袖版图滋布局供设计赴预防视措施1．吸忍收载洋流子陷，进蚀行电党流分周流，挂避免省寄生夏双极也晶体粥管的抹发射嘴结被正渠偏。1.剃2圆“衬底骑接触盛环”佣：形式康：若采香用普体通CM饥OS工艺挑，它扶是位锐于芯缺片或翁某个霜模块甘四周净的被接到膊地电伯平的P+环形食扩散安区；若采约用外虎延CO洋MS工艺嗽，除贿了以券上说总明的肤以外某，还金包括犹晶圆背面韵被接葱到地涂电平贸的P+扩散识区。作用方：收集P衬底勾中的伞空穴房诚，进携行电拌流分叶流，歪减小P衬底讨中潜魄在的横向觉寄生NP满N昌BJ胆T发射喉结被佛正偏挎的几惭率。器件搂的寄弹生参训数-CM湿OS闩锁岸效应班及其矛预防预防膨措施-二、却版图线布局森设计崇预防势措施2．减笨小局慕部P衬底絮（或N阱衬依底）形的电盾阻Rn和Rp，使Rn和Rp上的据电压派降减毛小，屡避免绝寄生铸双极执晶体获管的税发射权结被你正偏弃。2.津1诉“多数馒载流森子保偿护环贝”：形式践：位于P衬底甚上围奔绕NM存OS最外阔围被草接到可地的P+环形秒扩散斜区；位于N阱中构围绕PM橡OS最外倡围的赢被接吩到VD回D的N+环形辟扩散金区。【注：坡为节蛋省面休积，始多数折载流园子保爬护环叠常合夹并到柏衬底鹊偏置淹环】作用抱：P衬底铸上围参绕NM炒OS最外榜围的P+多数神载流义子保拉护环吉用来疲吸收外来辨的（申比如墙来自N阱内屡的潜且在发灯射结垂）空受穴；N阱中山围绕PM吓OS最外闸围的N+多数铜载流窃子保动护环饭用来烘吸收外来肚的（陷比如拘来自N阱外继的潜厅在发旗射结景）电懒子。器件莲的寄狐生参疲数-CM浓OS闩锁巷效应舰及其惊预防预防么措施-二、菜版图榜布局孤设计狸预防母措施2．减昨小局咳部P衬底哪（或N阱衬希底）率的电杨阻Rn和Rp，使Rn和Rp上的牢电压钉降减谦小，支避免疗寄生霞双极侦晶体至管的债发射母结被损正偏绒。2.谢1辟“多数侨载流融子保图护环警”：器件马的寄艘生参仰数-CM窄OS闩锁流效应变及其县预防采用闲保护础环的捎反相瘦器剖临面图预防盆措施-二、剥版图课布局去设计懒预防据措施2．减座小局盛部P衬底法（或N阱衬蹈底）件的电谜阻Rn和Rp，使Rn和Rp上的洒电压挎降减见小，稳避免显寄生蔑双极程晶体赔管的功发射泉结被有正偏流。2.冶2膀“多条仿阱接令触”凶：形式星：一般贼用N阱内拥多数芹载流仗子保抢护环信代替丈，而修为了寒节省杯面积菜，多数载短流子先保护辽环又掠常常付合并证到衬管底偏汇置环赶，所炮以多缺条阱以接触实际斩上常叛常由恼衬底波偏置骡环来松代替逢。作用创：减小N阱内裕不同螺位置丘之间注的电袋压降厚，减蚂小N阱内辟潜在爹的纵集向寄生PN亏P犬BJ域T发射锻结被登正偏秒的几侵率。2.捉3增加骨与电配源线拼和地竟线的呀接触昂孔，有加宽津电源鸟线和立地线僵，以减小团电压忍降。器件魂的寄责生参见数-CM绍OS闩锁治效应骆及其丈预防预防家措施-二、梳版图溪布局甘设计滴预防挡措施3．提浓高PN叫PN可控腔硅结颠构的扎维持隔电流捆。“紧党邻源挎极接霜触”割：形式改：（假垦定MO呈SF条ET源衬讲相连没）用金局属层封把NM拆OS的源主极和蒜紧邻谁的P衬底户偏置贯环相薄连；用金兄属层年把PM抵OS的源冈极和钞紧邻混的N阱衬羽底偏肚置环建相连谜。作用嫂：提高PN鹊PN可控闻硅结谅构的留维持贤电流湾和维拦持电恳压，劈燕减小PN逝PN可控滔硅结搬构被吼触发扮的几年率。器件撑的寄矛生参皮数-CM川OS闩锁剩效应过及其立预防预防欲措施-二、剧版图雾布局垄设计顾预防悬措施4．减民小横根向寄壤生双塑极管徒的电放流增胃益。增大NM遍OS夕FE恐T的源您、漏轮极与狐含有映纵向贞寄生PN梅P躺BJ洗T的N阱之兴间的纺距离弟，加黑大横久向寄份生NP鄙N蚀BJ俩T的基俯区宽闯度，晚从而减小βnp燃n。该插措施绢的缺晃点是绝要增必大版博图面锈积。5．任沃何潜旱在发权射极央（结融）的澡边缘怀都需侨要追妹加少五数载朝流子饱保护环，欣以提叙前吸碌收注骨入衬涛底的医少数寒载流喘子。比如拨：ES该D保护柜二极断管和I/贡O器件稀的周锹围都茶需要纹布局仍少数岛载流子保恋护环狡。在某呈些场劝合，千为避镰免电笋磁干准扰（泪尤其旨是变捆化磁安场的抱干扰垄），这些男保护文环需姓要留零有必雅要的刃开口暖，不赛可闭冠合。为了莫节省辛面积猎，这水些保相护环替不一俊定要结闭合伤，只宣要达份到有凤效吸收相旧关载侵流子招的目塑的即霜可。6．根游据实华际需映要，午这些芽措施邮可以愤有选询择地督使用龙。器件蛾的寄柳生参树数-CM子OS闩锁忙效应摊及其不预防N阱CM漫OS工艺银闩锁辛效应角版图皮布局善设计这预防决措施迷俯视芹示意歌图pn结收选集电恩子/空穴劝的能责力（哈如BJ彻T的集驰电极弯）：与pn结接组触所默形成在的耗郊尽区琴电场万分布援有关流。内建旧电势Vb际i温=（kT拌/q）ln声(NAND/ni2)耗尽侮区宽眠度W友=（2εsVbi/q票ND）1/节2（NA》ND）最大尚电场Em监=横qNDW/εs(ND是轻杜参杂双的浓侮度)器件姜的寄比生参煌数-CM哥OS闩锁施效应棍及其负预防E发射轿区基区集电睁区Em帜1Em兄2PN虚P晶体争管电场贷分布P阱CM浮OS工艺歌中的属典型PN纺PN可控杂硅结尘构及洋其等国效电您路器件猾的寄纲生参央