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专技继续教育公需课集成电路试题及答案专技继续教育公需课集成电路试题及答案

PN结加正向电压时，空间电荷区将（）

A、变窄

B、基本不变

C、变宽

D、无法判断

答案：A

3、(单选，5分)

会造成元器件永久性损坏的击穿是（）

A、齐纳击穿

B、雪崩击穿

C、热击穿

答案：C

4、(单选，5分)

当温度升高时PN结反向饱和电流将（）

A、增加

B、减小

C、不变

D、无法判断

答案：A

5、(单选，5分)

二极管的伏安特性可以构造多种等效电路，对于不同的应用场合应选用不同的模型，下列适用于小信号分析的模型是（）

A、理想二极管模型

B、恒压降模型

C、折线模型

D、微变等效模型

答案：D

6、(单选，5分)

稳压管的稳压区是工作在（）

A、正向导通

B、反向截止

C、反向击穿

答案：C

7、(单选，5分)

当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）

A、前者反偏，后者也反偏

B、前者正偏，后者反偏

C、前者正偏，后者也正偏

D、前者反偏，后者正偏

答案：B

8、(单选，5分)

当晶体管工作于饱和状态时（）

A、发射结正偏，集电结正偏

B、发射结正偏，集电结反偏

C、发射结反偏，集电结反偏

D、发射结反偏，集电结正偏

答案：A

9、(单选，5分)

当温度升高时，晶体管的电流放大系数将（）

A、减小

B、增大

C、不变

D、无法判断

答案：B

10、(单选，5分)

当温度升高时，晶体管的输入特性曲线（）

A、左移

B、右移

C、不变

D、无法判断

答案：A

11、(单选，5分)

当温度升高时，晶体管的输出特性曲线（）

A、上移

B、下移

C、不变

D、无法判断

答案：A

12、(单选，5分)

场效应管属于什么类型的器件（）

A、电压控制电压型

B、电压控制电流型

C、电流控制电流型

D、电流控制电压型

答案：A

13、(多选，5分)

uGS=0V时能够工作在恒流区的场效应管（）

A、结型管

B、增强型MOS管

C、耗尽型MOS管

答案：AC

14、(单选，5分)

与双极型晶体管比较，场效应管（）

A、放大能力强

B、放大能力弱

C、输入电阻小

D、输出电阻大

答案：B

15、(单选，5分)

共源放大电路中的场效应管应工作在（）

A、可变电阻区

B、恒流区

C、夹断区

D、击穿区

答案：B

16、(单选，5分)

2000年，（）的成立标志大陆地区开始建立真正意义上的代工厂

A、中兴通讯

B、中芯国际

C、中星微电子

D、华微电子

答案：B

17、(单选，5分)

（）年半导体技术被列为国家四大紧急措施之一

A、1955

B、1956

C、1957

D、1958

答案：A

18、(单选

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