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文档简介

HY0164_NV生成说明PCBNV板子贴片回来后就可以下载静态NV,验证原理图设计了。本文对静态NV进展介绍,并具体HY016NV。NVNV包括如下局部:1RFCard〔NV1878〕22G/3G/4G,放射/主接收/分集接收3、每个支持频段的射频相关参数,包括放射和接收的增益等级、切换点、最大最小放射功率、温度补偿、时序把握等NV是要让射频电路跑起来的必要条件。RFCardRFCard是硬件和驱动正确关联的关键。每份不同的硬件设计承受不同的RFCard,比方有些是WTR2965+QFE4373WTR4905+QFE4320的,有些支持南美频段,有些支CA。这些不同的硬件设计,都对应不同的RFCardRFCard对硬RFCard弄错,往往都会导致开机死机。RFCardNV1878HY016南美全频段为例,射频和驱动商定这个设计的RFCard111,即NV1878=111。在这个RFCard中,射频承受WTR4905+RDAPhaseII来实现南美全频段。驱动也需要在这个RFCard下修改代码,使之和硬件相匹配,重点是通过MIPIGPIO对芯片的模式和频段进展把握。RFCard即可。以8909QCN_XTT_MBN_NV_sysRFCalDll_8909_JO.3.0_r00046以看到高通支持的RFCardQCN_XTT_MBN_NV_sysRFCalDll_8909_JO.3.0_r00046\modem_proc\rftarget_jolokia\msm8909\qcn〔驱动每个基线都会把这局部文档上传到效劳器〕RFCardPA进展设计的电路,在本钱上会贵不少。所以我们承受的射频方案后,往往第一个平台都要自己预备相关NV,PA厂家假设能供给那就更好了。RFC文件夹说明WTR4905_chile_srlte_V2为例来说明一个具体的RFCMasterFileCardMasterFile中包括了全部这个Card支持的频段的索引,每个索引都代表外面文件夹中的一个文件。以以下图就是MSM8909_WTR4905_CHILE_SRLTE_V2_MASTERFILE.xml的前一局部:如<xi:includehref=“WTR4905_CHILE_SRLTE_V2_CDMA_BC0_RX0.xml#xpointer(/NvSource/*)“/>WTR4905_CHILE_SRLTE_V2_CDMA_BC0_TX0.xmlCDMA制式下850M频段的主放射通路相关射频参数。MasterFile文件中除了每个频段的具体参数外RFCard频段相关参数:MasterFile文件LTEB1的放射、主接收、分集接收的文件为例,对主要NV进展说明WTR4905_CHILE_SRLTE_V2_LTE_B1_TX0.xmlWTR4905_CHILE_SRLTE_V2_LTE_B1_RX0.xmlWTR4905_CHILE_SRLTE_V2_LTE_B1_RX1.xmlHY016南美全频段静态文件的生成HY016南美全频段需要支持:GSMQB+WCDMAB1/2/4/5/8+LTEB2/4/5/7/12/28A/28B高通目前没有RDAPhaseIIRFCard,所以我们最快捷的方法是从F8T〔国内电信全网通〕的静态NV首先修改频段等相关参数,包括RFCard。NV定义和修改说明如以以下图:然后再添加增频段的参数〔需增加A5,E,这里LTEB12为例进展说明。1RFCB12的作为根本模板。\qcn\wtr4905_tmo\etc包含B12,所以可以把这个文件夹下的三个文件作为模板进展删减优化WTR4905_TMO_LTE_B12_TX0.xmlWTR4905_TMO_LTE_B12_RX0.xmlWTR4905_TMO_LTE_B12_RX1.xml2RX0RX1由于同为WTR4905为射频收发器,所以增益等级可以共用,即LNA共包括六个不同增益等级,各增益等级的上升下降沿如下:[-74dbm,-78dBm,-60dbm,-64dbm,-40dBm,-44dBm,-28dBm,-32dBm,-20dBm,-24dBm]<NvItem id=“22135“ name=“RFNV_LTE_B12_LNA_RANGE_RISE_FALL_I“ mapping=“direct“encoding=“dec“>-740,-780,-600,-640,-400,-440,-280,-320,-200,-240,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0</NvItem><NvItem id=“22177“ name=“RFNV_LTE_B12_C1_LNA_RANGE_RISE_FALL_I“mapping=“direct“encoding=“dec“>-740,-780,-600,-640,-400,-440,-280,-320,-200,-240,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0</NvItem>3TXAPTEPTXPTNV可以直接删除<NvItemid=“25543“name=“RFNV_LTE_B12_TX_XPT_DELAY_I“><NvItemid=“25686“name=“RFNV_LTE_B12_TX_LIN_VS_TEMP_VS_FREQ_P_IN_I“><NvItemid=“25642“name=“RFNV_LTE_B12_TX_LIN_VS_TEMP_VS_FREQ_P_OUT_I“><NvItemid=“22154“name=“RFNV_LTE_B12_TX_CAL_CHAN_I“>QSPR16个校准信道中<NvItemid=“27202“name=“RFNV_LTE_C0_B12_FBRX_GAIN_SWITCH_POINT_I“>认值<NvItemid=“22144“name=“RFNV_LTE_B12_MAX_TX_POWER_I“>23dBm默认值m“>A不同增益等级的PA特性有关,保持默认值<NvItemid=“22149“name=“RFNV_LTE_B12_PA_COMPENSATE_UP_DOWN_I“>,PA不同增益等AGCPA特性有关,保持默认值<NvItemid=“22150“name=“RFNV_LTE_B12_TX_LIN_VS_TEMP_I“>,不同增益等级下的温度补偿值,对电路调试无影响,保持默认值。后续温度特性较差的话,可以做些补偿,通常用默认值不会有问题<NvItemid=“22155“name=“RFNV_LTE_B12_TX_LIMIT_VS_TEMP_I“>,最大放射功率的温度补偿值,对电路调试无影响,保持默认值。后续温度特性较差的话,可以做些补偿,通常用默认值不会有问题<NvItemid=“22151“name=“RFNV_LTE_B12_PA_RANGE_MAP_I“>PA特性打算,对应[PAState0,State1,State2,State3]RDAPhaseIIPA,只有两个增益等级,PAState03,对应低增益等级;State1-30,对应高增益等级。默认值是基QPA的,包含四个增益等级,是[3,2,1,0]。我们需要将其修改为[3,0,0,0]<NvItemid=“22152“name=“RFNV_LTE_B12_TIMER_HYSTERISIS_I“>,高增益切换到低增益等级AGC的保持时间,用默认值即可<NvItemid=“22153“name=“RFNV_LTE_B12_PA_RISE_FALL_THRESHOLD_I“>,PA增益等级切换PA10*(70+dBm)PA_Range_Map对应。依据RPM6743Datasheet,我们将切换点设置在[6.5dBm,3.5dBm],即NV22153=<765,735,2047,2047,2047,2047,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0</NvItem><NvItemid=“22156“name=“RFNV_LTE_B12_MPR_BASED_PA_SWITCHPOINTS_SHIFT_I“>,无视,保持默认值<NvItemid=“22157“name=“RFNV_LTE_B12_TX_MPR_BACKOFF_I“>,放射功率回退,保持默认值<NvItemid=“22158“name=“RFNV_LTE_B12_TX_DIGITAL_GAIN_COMP_I“><NvItemid=“22159“name=“RFNV_LTE_B12_TX_AGC_OFFSET_I“>DAC饱和的功率回退值,保持默认值<NvItemid=“24167“name=“RFNV_LTE_B12_TX_EPT_DPD_CONFIG_PARAMS_I“>,由于我们未承受APTEPT0即可<NvItemid=“24943“name=“RFNV_LTE_B12_MIN_TX_POWER_DB10_I“>0.1dB的最小放射功率设置,获得更高精度<NvItemid=“22191“

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