光伏电池金刚线wafer相关工艺技术与PERC简课件

金刚线wafer相关技术与PERC简介纸上谈兵Benson.zhi2017/8For茂迪非技术部门内部员工，最好对常规工艺有一定的了解篇幅有限，不会面面俱到技术更新较快，部分信息已经过时或很快过时数据多来自网上，部分是实验资料，不得外传：1、避免不必要的侵权；2、避免专业人士笑掉大牙1ppt课件金刚线Wafer

DW相关工艺

PERC工艺

引言

总结2ppt课件引言Diamondwire2014年？3ppt课件引言4ppt课件引言5ppt课件

DW相关工艺

PERC工艺

引言

总结金刚线Wafer6ppt课件金刚线wafer7ppt课件金刚线wafer砂浆切割与金刚线切割过程8ppt课件金刚线wafer两种金刚线结构：电镀金刚线和树脂金刚线9ppt课件金刚线wafer重点：成本下降幅度10ppt课件金刚线wafer砂浆切割与金刚线切割表面容貌11ppt课件金刚线wafer碱制绒单晶表面形貌与腐蚀时间的关系EFF提升0.1%左右12ppt课件金刚线wafer多晶酸制绒金刚线绒面与电性13ppt课件金刚线wafer多晶酸制绒拉力砂浆wafer金刚线wafer14ppt课件金刚线wafer金刚线切割多晶硅片市场份额15ppt课件金刚线wafer金刚线切割多晶硅片市场份额厂商JuneDec(2017endplan)monthlycapa（Mpcs)金刚线产出（Mpcs)占比%monthlycapa（Mpcs)金刚线产出（Mpcs)占比%GCL2607027%30020067%大海40820%6565100%旭阳581119%656092%荣德651523%704057%高佳6058%1005050%南玻27519%301033%环太50510%803746%晶樱10660%3030100%Total57012522%74049266%16ppt课件金刚线Wafer

DW相关工艺

PERC工艺

引言

总结17ppt课件DW相关工艺多晶DW（diamondwafer）相关工艺（包含不限于）：EFFCTM成本添加剂预处理湿法黑硅干法黑硅SMD18ppt课件DW相关工艺添加剂：绒面取决于损伤层19ppt课件DW相关工艺添加剂：蚀刻速度控制中位数UocIscJscRsRshFFNCellIrev1Irev2BSL0.63608.96536.491.9647179.9318.560%0.040.05TEST0.63768.90136.231.8731880.1618.527%0.040.05动起来慢下来节奏基本一致挖孔促进剂黑丝抑制剂20ppt课件DW相关工艺预处理：时创SMD21ppt课件DW相关工艺SMD预处理：贵，增加一站，未知是否成熟22ppt课件DW相关工艺时创预处理：增加一站，破片率高，0.5%以上，甚至1%PC吸笔吸破HF上货手放时破裂PC炉管内破裂23ppt课件DW相关工艺湿法黑硅：24ppt课件DW相关工艺湿法黑硅：MAE/MACE：metal-assistedchemicaletching；MCCE：Metal-CatalyzedChemicalEtching通道25ppt课件DW相关工艺湿法黑硅：26ppt课件DW相关工艺湿法黑硅：27ppt课件DW相关工艺湿法黑硅：湿法制程调整(AgNO3)效率:+0.1%↑+0.4%↑外观:均匀绒面明显花片28ppt课件DW相关工艺湿法黑硅设备替代TX：槽式Total27槽(长度24m)29ppt课件DW相关工艺湿法黑硅设备替代TX：链式30ppt课件DW相关工艺湿法黑硅之太湖条例：第二条本条例适用于本省行政区域内太湖流域地表水体的污染防治。太湖流域包括太湖湖体，苏州市、无锡市、常州市和丹阳市的全部行政区域，以及句容市、高淳县、溧水县行政区域内对太湖水质有影响的河流、湖泊、水库、渠道等水体所在区域。第四十五条太湖流域一、二、三级保护区禁止下列行为：（一）新建、改建、扩建化学制浆造纸、制革、酿造、染料、印染、电镀以及其他排放含磷、氮等污染物的企业和项目；（二）销售、使用含磷洗涤用品；（三）向水体排放或者倾倒油类、酸液、碱液、剧毒废渣废液、含放射性废渣废液、含病原体污水、工业废渣以及其他废弃物；（四）在水体清洗装贮过油类或者有毒有害污染物的车辆、船舶和容器等；（五）使用农药等有毒物毒杀水生生物；（六）向水体直接排放人畜粪便、倾倒垃圾；（七）围湖造地；（八）违法开山采石，或者进行破坏林木、植被、水生生物的活动；（九）法律、法规禁止的其他行为。31ppt课件DW相关工艺湿法黑硅其他：32ppt课件DW相关工艺干法黑硅：增加两站1、DW原硅片2、酸制绒后4、后清洗3、RIE后33ppt课件DW相关工艺干法黑硅：增加两站topviewsideview(viewedat30°tothenormal)SF6等离子含有F+，SF+，SF3+，SF5+等，加入O2后，等离子中含有O*。负压下，SFx+

(x≤5)、F+注入Si中，生成SiF4挥发掉。加入O2，O*与Si反应生成SiOx，由于Si–F键能(129.3kcal/mol)比Si–O(88.2kcal/mol)大，SiOx与SFx+(x≤5)、F+反应生成SixOyFz。离子轰击下，一些SixOyFz离开Si，随后Si被SFx+(x≤5)和F+刻蚀。黑硅的多孔和针状结构在SFx+(x≤5)和F+离子刻蚀、SixOyFz钝化以及离子轰击的竞争下形成。34ppt课件DW相关工艺外观对比：35ppt课件DW相关工艺组件对比：36ppt课件DW相关工艺工艺对比solution优势劣势additive1、无需再投入设备

2、TX仅需要增加添加剂

3、不存在环评问题

4、较多公司已经量产1、效率会低0.05~0.15%

2、部分客户仅收自己Cell厂产品

3、GCL仅要18.4%以上，低效部分需要处理

4、偏亮有轻微晶花

5、后续产生使用添加剂的额外costSMD

pre-treatment1、外观佳，与常规工艺相近

2、无环评问题

3、后续制程工艺与常规相同，生产较好衔接及控制

4、后续制程无额外耗材或添加剂使用1、需要投入新设备，95W欧元/台

2、大陆没有量产设备

3、无效率增益

4、增加runingcost时创Pre-treatment1、效率提高-0.05~+0.2%2、外观介于additive与砂浆片3、应不存在过高投入问题1、破片率高，待克服2、具体技术处于保密阶段，需要持续跟进购买黑硅wafer1、无需再投入设备

2、无环评问题

3、可提高效率0.1~0.4%

4、GCL（RCTtank-type设备&纳鑫添加剂）已量产

5、轻微晶花，比NK直接法接近常规电池

6、后续制程无额外耗材或添加剂使用1、CTM稍大，组件未见明显功率效益

2、wafer价格与砂浆片一致

3、GCL产能较小（3台），大量采购需要提前预定

4、部分客户仅收自己Cell厂产品

5、稍亮有轻微晶花

6、来料检验未找到合适方法，批次间效率波动稍大tank-type1、部分公司已经量产

2、可提高效率0.1~0.5%

3、轻微晶花，比NK直接法接近常规电池

1、需要投入新设备¥420W/台，投入高

2、运行成本较高：能耗、用水量

3、需考虑银离子、氨氮排放等相关环保问题(需增加额外处理费用)

4、换酸周期、批次差异还有进步空间

5、相比常规电池，CTM稍大

6、设备产能尚未完全达到设计要求

7、因使用不同现况制程之添加剂，runningcost增加

8、部分客户仅收自己cell厂产品

9、技术路线多（Jet、纳鑫、时创、普扬科技等）RCT

roller-type1、能耗低、水用量、化学品用量少：CoO低

2、无双氧水、氨水，只要一种添加剂AgNO3

3、提高效率0.1~0.2%，效率还不太稳定

4、据说晶花比槽式花一点点1、需要投入新设备¥450W

2、现有TX设备改造方案（聚晶）依然不熟

3、用到AgNO3，有银离子、普氮相关环保问题(需增加额外处理费用)

4、组件增益不明显（少量组件）

5、RCT在中节能刚开始放量测试

6、因使用不同现况制程之添加剂，runningcost增加RIE1、提高效率0.4~0.55%

2、设备成熟

3、有外框defect问题1、需要投入新设备，费用较高（¥1500W/100MW）

2、CTMloss较高

3、外观整体较黑、部分客户仅收自己cell厂产品

4、增加runingcost37ppt课件DW相关工艺多晶电池制绒方法份额预测38ppt课件DW相关工艺多晶电池制绒方法砂浆片金刚线additive@金刚线MACE@金刚线RIE@金刚线39ppt课件金刚线Wafer

DW相关工艺

PERC工艺

引言

总结40ppt课件PERC工艺PassivatedEmitterandRearCell：发射极及背钝化的太阳能电池41ppt课件PERC工艺内量子效率:当光子入射到光敏器材（如CCD等）的表面时，被吸收的那部分光子会激发光敏材料会产生电子空穴对，形成电流，此时收集到的电子与被吸收的光子之比，就是内量子效率(internalquantumefficiency)。42ppt课件PERC工艺TXDFHFAl2O3PCPCCLaserPT背铝43ppt课件PERC工艺AL2O3设备分类：板式：12*3.6*2.5管式：2.8*3.1*2.144ppt课件PERC工艺AL2O3工艺分类：PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)--等离子体增强化学的气相沉积法ALD

(Atomiclayerdeposition)--原子层沉积PECVDALD45ppt课件PERC工艺AL2O3ALD工艺分类：空间ALD时间ALD开车兜风海边吹风46ppt课件PERC工艺PCCPCC与PC相同，均镀氮化硅膜，因对镀膜质量要求不高，一般镀膜速度较快，国产的设备也比较划算47ppt课件PERC工艺Al2O3+PCC梅耶博格：Al2O3+PCC一体机TXDFHFAl2O3PCPCCLaserPTTXDFHFAl2O3PCCPCLaserPT48ppt课件PERC工艺Al2O3+PCCCentrotherm：Al2O3+PCC一体机TXDFHFAl2O3PCPCCLaserPTTXDFHFAl2O3PCCPCLaserPT49ppt课件PERC工艺Laser50ppt课件PERC工艺Laser51ppt课件PERC工艺PERC相关的其他技术：抛光（HF）52ppt课件PERC工艺PERC相关的其他技术：LID之单晶高活性低活性氢（b）（a）硼原子较小53ppt课件PERC工艺PERC相关的其他技术：LID之多晶Arrhenius动力学形式

快衰减过程：激活能0.49eVBO复合体形成过程慢衰减过程：激活能0.60eV未知过程H-和H0的来源：富氢SiNx层Al2O3背钝化层空间电荷区的阻碍H-和H0的消耗：转变成H＋H++H-＝H20铝背层俘获54ppt课件PERC工艺PERC相关的其他技术：CTHEberger55ppt课件PERC工艺PERC相关的其他技术：CT