半导体器件 基于扫描监控技术的半导体器件退化水平评估方法 编制说明_第1页
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文档简介

《半导体器件基于扫描监控技术的半导体器件退化水平评估方法》(征求意见稿)编制说明根据国家标准化管理委员会于2022年下达第四批推荐性国家标准计划及相关标准外文版计划(国标委发【2022】51号)，由全国半导体器件标准化技术委标准,国外现行标准IECTR63133-2017-10《Semiconductordevices–Scanbasedageinglevelestimationforsemiconductordevices》，其主要内容R对、审核，应用评价与适用性分析等。本标准使用翻译法等同采用IECTR63133:2017。标准内容涉及的形位公差本标准规定了一种可以用于监测半导体器件的退化程度并量化其退化水平将退化模拟为信号延迟，通过监测多个延迟点的诱导延迟量来评价退化等通过/失败延迟时钟移相器评估控制器样本通过扫描输出终端和对一次结果及一个完整监测过程的结果进原位传感器的结构如图5，检测由于晶体管或器件老化而发生的延迟转换。当在号。编制组在仿真中模拟了原位传感器的应用场景，仿真的电路结构图如图6。图中的monitor为一个选择器和一个原位传感器，选择器的输入分别为位传感器的作用。图7为延迟较低的组合逻辑的结果，代表了电路的老化程度较轻。从图7中可以看出，延迟后的信号还未能到达监测窗口，所以原位传感器未发出报警信号。图8代表老化程度相对严重的情况，延迟经编制组仿真验证，基于晶体管退化的延迟特性进行退化水平监控技术可可靠性造成了极大的威胁。其中负/正偏压温度不稳定性，热载流子注入以及与分歧意见。十

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