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模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案
=6V,当温度升高到70℃时,稳定电压变为6.2V,求该稳压管的温度系数αU。解:稳定电压变化量ΔUZ=6.2V-6V=0.2V,温度变化量ΔT=70℃-20℃=50℃。由温度系数的定义可知:αU=ΔUZ/(UZ×ΔT)=0.2V/(6V×50℃)=0.00667/℃。因此,该稳压管的温度系数αU为0.00667/℃。题目1-7:已知电路中电源电压U=10V,电阻R=200Ω,负载电阻R_L=1kΩ,稳压管的稳压值U_Z=6V。求:1.稳压管中的电流I_Z=?2.当电源电压U升高到12V时,I_Z将变为多少?3.当U仍为10V,但R_L改为2kΩ时,I_Z将变为多少?解答:1.根据稳压管的特性,稳压管中的电流为I_Z=(U-U_Z)/R_L=(10V-6V)/1kΩ=4mA。2.当电源电压U升高到12V时,稳压管中的电流为I_Z=(U-U_Z)/R_L=(12V-6V)/1kΩ=6mA。3.当U仍为10V,但R_L改为2kΩ时,稳压管中的电流为I_Z=(U-U_Z)/R_L=(10V-6V)/2kΩ=2mA。题目1-8:设有两个相同型号的稳压管,稳压值均为6V,当工作在正向时管压降均为0.7V。如果将它们用不同的方法串联后接入电路,可能得到几种不同的稳压值?试画出各种不同的串联方法。解答:由于稳压管的稳压值为6V,因此两个稳压管串联时,它们的管压降之和应该等于输入电压与输出电压之差,即0.7V+0.7V=U_in-U_out,即U_out=U_in-1.4V。因此,可以得到以下三种不同的串联方法:1.串联两个稳压管,输入电压为12V,输出电压为12V-1.4V=10.6V。2.将两个稳压管反向串联,输入电压为12V,输出电压为6V。3.将两个稳压管并联,输入电压为6V+0.7V=6.7V,输出电压为6V。题目1-9:一个三极管的输出特性如图所示,试在图中求出u_CE=5V,i_C=6mA处的电流放大系数β、α、β和α,并进行比较。设三极管的极限参数为I_CM=20mA,U(BR)CEO=15V,P_CM=100mW,试在特性曲线图中画出三极管的安全工作区。解答:1.根据图中的输出特性曲线,当u_CE=5V,i_C=6mA时,可以得到β≈150,α≈0.993,β'≈145,α'≈0.993。2.三极管的安全工作区可以通过极限参数计算得到。由于三极管的最大耗散功率为P_CM=100mW,因此其最大电流为I_CMAX=P_CM/u_CE=100mW/5V=20mA。又因为三极管的最大集电极-发射极电压为U(BR)CEO=15V,因此其安全工作区可以画在u_CE=15V和i_C=20mA的直线上方,如下图所示:安全工作区<0,uBC>0,截止。PNP型:uBE<0,uBC>0,放大;uBE>0,uBC<0,截止。(a)三极管1:uBE=+0.7V,uBC=+4.3V,工作在放大区;三极管2:uBE=+0.7V,uBC=-12V,工作在截止区;三极管3:uBE=-10.3V,uBC=+1.4V,工作在放大区。(b)三极管1:uBE=+0.3V,uBC=+4.4V,工作在放大区;三极管2:uBE=+0.3V,uBC=-12V,工作在截止区;三极管3:uBE=-4.7V,uBC=+1.6V,工作在放大区。(c)三极管1:uBE=+0.7V,uBC=+7.3V,工作在放大区;三极管2:uBE=-1.3V,uBC=+12V,工作在截止区;三极管3:uBE=+6V,uBC=-4.7V,工作在截止区。(d)三极管1:uBE=+8V,uBC=-10.7V,工作在截止区;三极管2:uBE=+8V,uBC=-12V,工作在截止区;三极管3:uBE=+10V,uBC=-10V,工作在截止区。(e)三极管1:uBE=+5V,uBC=-5V,工作在截止区;三极管2:uBE=+5V,uBC=-12V,工作在截止区;三极管3:uBE=-0.3V,uBC=+4.4V,工作在放大区。(f)三极管1:uBE=-1V,uBC=+6V,工作在放大区;三极管2:uBE=-1V,uBC=+12V,工作在截止区;三极管3:uBE=+1V,uBC=-4.7V,工作在截止区。(g)三极管1:uBE=+12V,uBC=-10.75V,工作在截止区;三极管2:uBE=+12V,uBC=-12V,工作在截止区;三极管3:uBE=0V,uBC=+10V,工作在放大区。(h)三极管1:uBE=+12V,uBC=-8V,工作在截止区;三极管2:uBE=+12V,uBC=-12V,工作在截止区;三极管3:uBE=+8V,uBC=-4.7V,工作在截止区。在本文中,给出了一些三极管电路的特性曲线和估算公式。首先,根据三极管的类型和电压值,可以判断它们工作在截止、放大或饱和区。然后,根据给定的参数,可以估算出电路中的电流和电压值,并将它们对应在输出特性曲线上的位置。最后,将每个管子的iC和uCE值分别画在图中,以便更好地理解电路的工作原理。在给定的电路中,三极管的类型分别为PNP型和NPN型。对于PNP型三极管,当uBE小于0时,它处于放大区;当uBE大于0时,它处于饱和区。对于NPN型三极管,当uBE大于0时,它处于放大区;当uBE小于0时,它处于饱和区。对于图P1-14(a)中的电路,根据估算公式,iC约为3.25mA,uCE约为3.55V,因此三极管处于放大区,对应的位置为图中的A点。对于图P1-14(b)中的电路,iC约为2.325mA,uCE约为5.35V,因此三极管处于放大区,对应的位置为图中的B点。对于图P1-14(c)中的电路,根据估算公式,iC约为5mA,uCE约为0.3V,因此三极管处于饱和区,对应的位置为图中的C点。对于图P1-14(d)中的电路,iC约为0,uCE约为10V,因此三极管处于截止区,对应的位置为图中的D点。对于图P1-14(e)中的电路,iC约为0,uCE约为10V,因此三极管处于截止区,对应的位置为图中的E点。对于图P1-14(f)中的电路,iC约为0,uCE约为10V,因此三极管处于截止区,对应的位置为图中的F点。通过对这些电路的分析,可以更好地理解三极管的工作原理,并且可以更好地设计和优化电路。习题1-15中,通过给出的电位图,识别两个放大电路中三极管的管脚,并判断它们的类型和材料。第一个三极管的发射极为1,基极为3,集电极为2,是NPN锗管;第二个三极管的发射极为2,基极为3,集电极为1,是PNP硅管。习题1-16中,给出了一个N沟道增强型MOS场效应管的输出特性曲线,并要求根据图像求出该管的开启电压、IDO值和跨导。通过图像可以得到,当uDS=15V时,开启电压UGS(th)=2V,IDO=2.5mA,跨导gm=2.8mS。习题1-17中,根据转移特性曲线,判断各场效应管的类型和状态。第一个电路是绝缘栅型N沟道增强型;第二个电路是结型P沟道耗尽型;第三个电路是绝缘栅型N沟道耗尽型;第四个电路是绝缘栅型P沟道增强型。对于耗尽型管子,需要标注出夹断电压和饱和漏极电流;对于增强型管子,需要标注出开启电压。习题1-18和1-19中,要求根据已知参数示意画出N型沟道增强型MOS场效应管和P型沟道耗尽型MOS场效应管的转移特性曲线。习题2-1中,针对给出的电路图,判断是否有放大作用,并简单说明理由。其中,电路图(a)、(c)、(d)都没有放大作用,因为发射结或集电结没有直流偏置;电路图(b)不能正常放大,因为发射结没有直流偏置;电路图(e)有放大作用,因为它是射极跟随器;电路图(f)没有放大作用,因为输出交流接地。=1k,Re=1k,求当UBB分别为0V、3V、6V、9V时,三极管的工作状态。答:当UBB=0V时,三极管截止;当UBB=3V时,三极管放大;当UBB=6V时,三极管饱和;当UBB=9V时,三极管饱和。解:①首先根据近似估算法求出IBQ≈20μA,然后利用直流负载线方程求出静态工作点Q1处的ICQ≈0.95mA,UCEQ≈0.5V。但是从输出特性曲线可以看出,Q1点靠近饱和区,容易产生饱和失真,因此这个工作点选取不太合适。②为了将UCEQ提高到5V左右,可以同时减小Rc和Rb,如图中Q2点所示,也可以保持Rb不变,减小Rc,或者保持Rc不变,增大Rb,或者同时增大Rc和Rb等。③将IC=2mA,UCE=2V的一点与横坐标上UCE=10V的一点相连即可得到此时的直流负载线,此时集电极电阻为Rc=(10-2)/2=4kΩ。由图可知,Q3点处IBQ=40μA,则Rb=(10-0.7)/0.04≈233kΩ。因此,需要减小Rc和Rb。习题2-7是一个放大电路,其中三个晶体管Q1、Q2和Q3被连接在一起。其中,Q2和Q3是共射放大器,Q1是共基放大器。在该电路中,Rb1=39kΩ,Rb2=11kΩ,Rc=2kΩ,Re=2kΩ,Rl=2kΩ,C1和C2是耦合电容,CE是旁路电容。题目要求画出直流负载线和交流负载线,并定出Q点。直流负载线方程为uCE≈VCC-iC(Rc+Re)=15-3iC。Q点的UBQ≈3.3V,ICQ≈2.6mA,UCEQ≈7.2V。交流负载线通过Q点,斜率为-1kΩ。习题2-8要求判断一个放大电路的输出电压波形是截止失真还是饱和失真,并提出调整电路参数的方法。该电路的参数为Rb1=39kΩ,Rc=2kΩ,VB1=15V,VB2=-15V。答案是饱和失真,应该增大Rb1来降低Q点。习题2-9要求画出一个放大电路的负载线,该电路包括三个晶体管Q1、Q2和Q3。该电路的参数为Rb=560kΩ,Rc=5.1kΩ,R1=R=Rl=1MΩ,VB1=12V,VB2=-12V。该电路的直流负载线方程为uCE=7.2-4iC。BEQVCC=10VRC=2kΩRB=100kΩRE=1kΩC1=0.1μFC2=10μF解:①IBQ=(VCC-VBEQ)/(RB+(1+β)RE)=(10+0.2)/(100k+1.2k)=0.084mAICQ=βIBQ=8.4mAUCEQ=VCC-ICQRC=10-8.4×2=-6.8V②rbe=200+(1+β)×ICQ/IBQ=200+101×8.4/0.084=20.2kΩ③中频时,C1和C2均看成短路,则Au=-βRC/RE=-2000/1000=-2④输出波形为截止失真,应该减小RC或增大C2来提高低频响应。=1.88mARcRL1.8kΩUCEQVCCICQRc4.36V②微变等效电路100kΩRb1Rb2RLUirbeRbbIbRcUoC2C1C3③Au(Rc//RL)rbe(1)Re75.4④AuSAu75.4RSRb1Rb210.8⑤RiRb1//Rb2//rbe28.9kRoRc3k学习参考:本文是一篇电路分析题目,需要根据题目给出的电路图和参数,计算电路中的电压、电流等数值,并进行相应的推导和分析。文章中存在大量的格式错误和段落问题,需要进行修改和删除。修改后的文章如下:题目2-18已知一个晶体管的参数,如下表所示,求电路中各元件的数值和电路的放大倍数。参数数值β50VBEQ0.6VVCC15VRC3kΩRL3kΩRE1.2kΩRb12.5kΩRb210kΩ解题思路:1.计算电路中各元件的数值:-β=50-VBEQ=0.6V-VCEQ=VCC-ICQ*RC-IEQ*RE=6.6V-IEQ=ICQ+IBQ≈2mA-IBQ=ICQ/β≈0.04mA≈40μA-RE=1.2kΩ-Rb1+Rb2=(VCC-VBEQ)/IBQ≈2.5kΩ-rbb'=β/(ICQ/IEQ)≈300Ω-rπ=β*RE≈963Ω-Ri=rπ+(1+β)*rbb'≈18.8kΩ-Ro≈RC≈3kΩ2.计算电路的放大倍数:-Ai=-β*(RC||RL)/(rπ+(1+β)*rbb')≈-77.8题目2-19根据电路图,判断各电路的类型。解题思路:-(a)共基电路-(b)共射电路-(c)共集电路-(d)共射电路-(e)共射-共基电路题目2-20已知一个MOS场效应管的参数,如下表所示,求电路中各元件的数值和电路的放大倍数。参数数值VDD20VRD5.1kΩIDQ2.3mAVGSQ2VVDSQ8.3Vgm1.7mS解题思路:1.计算电路中各元件的数值:-RD=5.1kΩ-IDQ=2.3mA-VDSQ=8.3V-VGSQ=2V-gm=ΔID/ΔVGS≈1.7mS-RD'=RD||RL≈4.8kΩ-Ri=RD'/gm≈2.8kΩ-Ro=RD≈5.1kΩ2.计算电路的放大倍数:-Ai=-gm*RD'/(RD'+RS)≈-22.5题目2-21根据电路图,求电路的输入电阻、输出电阻和放大倍数。解题思路:1.计算电路的输入电阻:-Rin=RG+R1||R2≈20MΩ2.计算电路的输出电阻:-Rout=RD≈15kΩ3.计算电路的放大倍数:-Ai=-gm*RD||RL/(Rπ+(1+gm*RD)*rbb')≈-22.5本文是一个电路的计算结果,涉及到电阻、电压、电流等参数。需要剔除文章中的格式错误,删除明显有问题的段落,并对每段话进行小幅度的改写。本电路中有两个晶体管,分别为CQ1和CQ2。CQ2的电流约为0.14mA,而CQ1的电压为VCC减去CQ2的电流乘以Rc2再减去CQ2的电流乘以Re2,即UCEQ2=VCC-Ic2*Rc2-Ic2*Re2=3.7V。其中,VCC为15V,Rc2为2kΩ,Re2为750Ω。为了进一步计算电路中的参数,需要先得出一些基本的电阻值。其中,b1为360kΩ,c1为5.6kΩ,c2为2kΩ,e2为750Ω,β1为50,β2为30。另外,rbe1约为0.95kΩ,rbe2约为0.5kΩ。根据这些电阻值,可以得出以下计算结果:-Ri1=Rb1//rbe1约为0.95kΩ-Ri2=rbe2+(1+β2)*Re2约为23.75kΩ-u1=-(Rc1//Ri2)*β1*rbe1约为-238.5-u2=-(Rc2//Ri2)*β2*rbe2+(1+β2)*Re2约为-2.53-Au=u1/u2约为603-Ro=Rc2=2kΩ另外,根据题目给出的参数,得出以下计算结果:-VCC为15V,VEE为-12V-c1为3.9kΩ,c2为3.3kΩ,e2为2kΩ,b为200kΩ-ICQ1约为2.14mA,UCQ1约为3.66V综合以上计算结果,可以得出该电路的各项参数。本文是一个电路的计算题,需要计算各种电阻、电流、电压等参数。为了方便计算,我们将电路简化为微变等效电路。简化后的电路包括输入电阻、输出电阻、电压放大倍数等参数,这些参数可以通过计算得到。具体计算过程如下:首先,根据电路图,可以得到以下参数:-$\beta_1=40$-$\beta_2=20$-$V_{BEQ1}=0.7V$-$V_{BEQ2}=0.7V$-$V_{CC}=12V$-$V_{EE}=-12V$-$R_{c1}=3.9k\Omega$-$R_{c2}=3.3k\Omega$-$R_{e2}=2k\Omega$-$R_b=200k\Omega$-$I_{BQ1}=I_{CQ1}/\beta_1\approx0.058mA$-$I_{BQ2}=2.32mA$-$I_{EQ1}=I_{CQ1}+I_{BQ1}\approx2.38mA$-$U_{EQ1}=-V_{EE}=-12V$-$U_{BQ1}=-11.3V$根据以上参数,可以计算出:-$R_{i1}=r_{be1}=300+(1+\beta_1)I_{EQ1}\approx748\Omega$-$R_{o}=R_{c2}=3.3k\Omega$-$R_{i2}=r_{be2}+(1+\beta_2)R_{e2}\approx42.443k\Omega$-$I_{EQ2}=I_{BQ2}+I_{CQ2}\approx3.82mA$接下来,我们可以用微变等效电路来计算电路的电压放大倍数。首先,根据微变等效电路,可以得到:-$A_u=-\frac{R_{c1}}{R_{i1}}\approx-191$-$A_i=\beta(R_{i2}//R_{c2})\approx-1.56$然后,我们可以计算输入电阻和输出电阻:-$R_{in}=R_{i1}\approx748\Omega$-$R_{out}=R_o\approx3.3k\Omega$最后,我们可以计算电路的增益带宽积:-$GBW=A_u\timesA_i\times\frac{1}{2\piR_{eq}C}\approx297$其中,$R_{eq}=R_{b1}//R_{S}//r_{be1}\approx191\Omega$,$C=C_{11}\timesC_{12}/(C_{11}+C_{12})\approx5.48nF$。综上所述,该电路的输入电阻为748Ω,输出电阻为3.3kΩ,电压放大倍数为-191,增益带宽积为297。本文介绍了一个基于晶体管的放大器电路。该电路包括两个级联的晶体管,其中第一个晶体管是放大器的输入级,第二个晶体管是放大器的输出级。输入信号经过第一
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